Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Биполярные транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 11220

KSA1220AYS

  • ksa1220ays
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR PNP 160V 1.2A TO-126 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 160V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1.2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 300mA, 5V · Мощность макcима

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSA1241YTU

  • ksa1241ytu
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR PNP 50V 2A I-PAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A · Ток коллектора (макс): 2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная: 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSA1242YTU

  • ksa1242ytu
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR PNP 20V 5A I-PAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A · Ток коллектора (макс): 5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная: 10В

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSA1220AOS

  • ksa1220aos
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR PNP 160V 1.2A TO-126 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 160V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1.2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 300mA, 5V · Мощность макcима

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSA1203OTF

  • ksa1203otf
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR PNP 30V 1.5MA SOT-89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 30mA, 1.5A · Ток коллектора (макс): 1.5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальн

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSA1182OMTF

  • ksa1182omtf
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR PNP 30V 0.5A SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V · Мощность макcима

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSA1203YTF

  • ksa1203ytf
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR PNP 30V 1.5MA SOT-89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 30mA, 1.5A · Ток коллектора (макс): 1.5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальн

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSA1201YTF

  • ksa1201ytf
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR PNP 120V 800MA SOT-89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 120V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 800mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V · Мощность макcим

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSA1201OTF

  • ksa1201otf
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR PNP 120V 800MA SOT-89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 120V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 800mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V · Мощность макcима

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSA1182YMTF

  • ksa1182ymtf
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR PNP 30V 0.5A SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V · Мощность макcим

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSA1175YTA

  • ksa1175yta
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR PNP 50V 150MA TO-92S Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V · Мощность макcима

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSA1175YBU

  • ksa1175ybu
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR PNP 50V 150MA TO-92S Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V · Мощность макcима

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSA1175GTA

  • ksa1175gta
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR PNP 50V 150MA TO-92S Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V · Мощность макcима

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSA1174PBU

  • ksa1174pbu
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR PNP 120V 50MA TO-92S Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 120V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 50mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSA1175OTA

  • ksa1175ota
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR PNP 50V 150MA TO-92S Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 6V · Мощность макcимал

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSA1175RTA

  • ksa1175rta
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR PNP 50V 150MA TO-92S Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1mA, 6V · Мощность макcимал

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSA1174PTA

  • ksa1174pta
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR PNP 120V 50MA TO-92S Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 120V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 50mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSA1174FTA

  • ksa1174fta
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR PNP 120V 50MA TO-92S Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 120V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 50mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSA1175OBU

  • ksa1175obu
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR PNP 50V 150MA TO-92S Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 6V · Мощность макcимал

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSA1175GBU

  • ksa1175gbu
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR PNP 50V 150MA TO-92S Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V · Мощность макcима

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Биполярные транзисторы (BJT) — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, которые используются для усиления и переключения электрических сигналов. Эти транзисторы работают на основе переноса заряда между эмиттером, базой и коллектором, что обеспечивает их высокую эффективность и надежность. Одиночные биполярные транзисторы широко применяются в различных электронных схемах благодаря своей высокой производительности и универсальности.

Применение

Одиночные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
  • Генераторы сигналов: используются в схемах генерации различных сигналов для тестирования и измерений.
  • Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
  • Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
  • Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспеченияточности и надежности работы.

Одиночные биполярные транзисторы играют ключевую роль в работе инженеров и разработчиков, позволяя надежно и эффективно управлять электрическими сигналами в разнообразных устройствах. Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому спектру применения, эти транзисторы востребованы в различных отраслях электроники и электротехники.

Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и точное управление током, что делает их идеальными для использования в усилительных и коммутирующих схемах. Их надежность и долговечность гарантируют стабильную работу устройств, даже при интенсивной эксплуатации. Компактные размеры и высокая производительность позволяют легко интегрировать эти компоненты в сложные системы, что способствует созданию эффективных и высокотехнологичных решений в области современной электроники.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь