Биполярные транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 11220
FZT1147ATC
- fzt1147atc
- Diodes/Zetex
- TRANSISTOR PNP HI GAIN SOT223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 110mV @ 2.5mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 5A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FZT1147ATA
- fzt1147ata
- Diodes/Zetex
- TRANS PNP -12V -5000MA SOT-223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 110mV @ 2.5mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 5A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vc
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FZT1053ATA
- fzt1053ata
- Diodes/Zetex
- TRANS NPN 75V 4500MA SOT-223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 75V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 75mV @ 20mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 4.5A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FZT1053ATC
- fzt1053atc
- Diodes/Zetex
- TRANSISTOR NPN HI GAIN SOT223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 75V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 75mV @ 20mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 4.5A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FZT1051ATC
- fzt1051atc
- Diodes/Zetex
- TRANSISTOR NPN HI GAIN SOT223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 10mA, 1A · Ток коллектора (макс): 5A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FZT1051ATA
- fzt1051ata
- Diodes/Zetex
- TRANS NPN 40V 5000MA SOT-223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 10mA, 1A · Ток коллектора (макс): 5A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FZT1049ATA
- fzt1049ata
- Diodes/Zetex
- TRANS NPN 25V 5000MA SOT-223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 10mA, 1A · Ток коллектора (макс): 5A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FZT1049ATC
- fzt1049atc
- Diodes/Zetex
- TRANSISTOR NPN HI GAIN SOT223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 10mA, 1A · Ток коллектора (макс): 5A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FZT1048ATC
- fzt1048atc
- Diodes/Zetex
- TRANSISTOR NPN HI GAIN SOT223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 17.5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 75mV @ 10mA, 1A · Ток коллектора (макс): 5A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FZT1048ATA
- fzt1048ata
- Diodes/Zetex
- TRANS NPN 17.5V 5000MA SOT-223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 17.5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 75mV @ 10mA, 1A · Ток коллектора (макс): 5A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FZT1047ATC
- fzt1047atc
- Diodes/Zetex
- TRANSISTOR NPN HI GAIN SOT223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 70mV @ 10mA, 1A · Ток коллектора (макс): 5A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FZT1047ATA
- fzt1047ata
- Diodes/Zetex
- TRANS NPN 10V 5000MA SOT-223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 70mV @ 10mA, 1A · Ток коллектора (макс): 5A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FSBCW30
- fsbcw30
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR PNP 32V 500MA SSOT-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 32V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 215 @ 2mA, 5V · Мощность макcима
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FSB749
- fsb749
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR PNP 25V 3A SSOT-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A · Ток коллектора (макс): 3A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V · Мощность макcимальная: 50
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FSB6726
- fsb6726
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR PNP 30V 1.5A SSOT-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1.5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 1V · Мощность макcимальная:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FSB660
- fsb660
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR PNP 60V 2A SSOT-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 2A · Ток коллектора (макс): 2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FSB649
- fsb649
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR NPN 25V 3A SSOT-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A · Ток коллектора (макс): 3A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V · Мощность макcимальная: 50
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FSB660A
- fsb660a
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR PNP 60V 2A SSOT-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A · Ток коллектора (макс): 2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FSB619
- fsb619
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR NPN 50V 2A SSOT-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 20mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FSB560A
- fsb560a
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR NPN BIPOLAR SSOT-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A · Ток коллектора (макс): 2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы (BJT) — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, которые используются для усиления и переключения электрических сигналов. Эти транзисторы работают на основе переноса заряда между эмиттером, базой и коллектором, что обеспечивает их высокую эффективность и надежность. Одиночные биполярные транзисторы широко применяются в различных электронных схемах благодаря своей высокой производительности и универсальности.
Применение
Одиночные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Генераторы сигналов: используются в схемах генерации различных сигналов для тестирования и измерений.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспеченияточности и надежности работы.
Одиночные биполярные транзисторы играют ключевую роль в работе инженеров и разработчиков, позволяя надежно и эффективно управлять электрическими сигналами в разнообразных устройствах. Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому спектру применения, эти транзисторы востребованы в различных отраслях электроники и электротехники.
Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и точное управление током, что делает их идеальными для использования в усилительных и коммутирующих схемах. Их надежность и долговечность гарантируют стабильную работу устройств, даже при интенсивной эксплуатации. Компактные размеры и высокая производительность позволяют легко интегрировать эти компоненты в сложные системы, что способствует созданию эффективных и высокотехнологичных решений в области современной электроники.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК