Биполярные транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 11220
FJZ945GTF
- fjz945gtf
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR NPN 50V 150MA SOT623F Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V · Мощность макcим
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FJZ733RTF
- fjz733rtf
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR PNP 50V 150MA SOT623F Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1mA, 6V · Мощность макcима
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FJZ733LTF
- fjz733ltf
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR PNP 50V 150MA SOT623F Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 1mA, 6V · Мощность макcим
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FJZ733OTF
- fjz733otf
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR PNP 50V 150MA SOT623F Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 6V · Мощность макcима
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FJZ733GTF
- fjz733gtf
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR PNP 50V 150MA SOT623F Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V · Мощность макcим
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FJYF2906TF
- fjyf2906tf
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR PNP 40V 150MA SOT563F Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность макcима
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FJYF2906PWD
- fjyf2906pwd
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR PNP 40V 150MA SOT563F Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность макcима
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FJX945GTF
- fjx945gtf
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR NPN 50V 150MA SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V · Мощность макcим
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FJX733YTF
- fjx733ytf
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR PNP 50V 150MA SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V · Мощность макcим
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FJX945YTF
- fjx945ytf
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR NPN 50V 150MA SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V · Мощность макcим
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FJX945OTF
- fjx945otf
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR NPN 50V 150MA SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 6V · Мощность макcима
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FJX733RTF
- fjx733rtf
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR PNP 50V 150MA SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1mA, 6V · Мощность макcима
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FJX733OTF
- fjx733otf
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR PNP 50V 150MA SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 6V · Мощность макcима
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FJX733GTF
- fjx733gtf
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR PNP 50V 150MA SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V · Мощность макcим
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FJX3906TF
- fjx3906tf
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR PNP 40V 200MA SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность макcима
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FJX3904TF
- fjx3904tf
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR NPN 40V 200MA SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность макcима
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FJX1182YTF
- fjx1182ytf
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR PNP 30V 500MA SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V · Мощность макc
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FJX2907ATF
- fjx2907atf
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR PNP 60V 600MA SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V · Мощность макc
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FJV992PMTF
- fjv992pmtf
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR PNP 120V 50MA SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 120V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 50mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V · Мощность макcималь
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FJX2222ATF
- fjx2222atf
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR NPN 40V 600MA SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V · Мощность макcим
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы (BJT) — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, которые используются для усиления и переключения электрических сигналов. Эти транзисторы работают на основе переноса заряда между эмиттером, базой и коллектором, что обеспечивает их высокую эффективность и надежность. Одиночные биполярные транзисторы широко применяются в различных электронных схемах благодаря своей высокой производительности и универсальности.
Применение
Одиночные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Генераторы сигналов: используются в схемах генерации различных сигналов для тестирования и измерений.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспеченияточности и надежности работы.
Одиночные биполярные транзисторы играют ключевую роль в работе инженеров и разработчиков, позволяя надежно и эффективно управлять электрическими сигналами в разнообразных устройствах. Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому спектру применения, эти транзисторы востребованы в различных отраслях электроники и электротехники.
Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и точное управление током, что делает их идеальными для использования в усилительных и коммутирующих схемах. Их надежность и долговечность гарантируют стабильную работу устройств, даже при интенсивной эксплуатации. Компактные размеры и высокая производительность позволяют легко интегрировать эти компоненты в сложные системы, что способствует созданию эффективных и высокотехнологичных решений в области современной электроники.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК