Биполярные транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 11220
FJN965TA
- fjn965ta
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR NPN 20V 5A TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 3A · Ток коллектора (макс): 5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 230 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная: 750
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FJN965BU
- fjn965bu
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR NPN 20V 5A TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 3A · Ток коллектора (макс): 5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 230 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная: 750
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FJN5471TA
- fjn5471ta
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR NPN 20V 5A TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 3A · Ток коллектора (макс): 5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 700 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FJN5471PWD
- fjn5471pwd
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR NPN 20V 5A TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 3A · Ток коллектора (макс): 5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 700 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FJN5471BU
- fjn5471bu
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR NPN 20V 5A TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 3A · Ток коллектора (макс): 5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 700 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FJN3303TA
- fjn3303ta
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR NPN 400V 1.5A TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A · Ток коллектора (макс): 1.5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FJN3303BU
- fjn3303bu
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR NPN 400V 1.5A TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A · Ток коллектора (макс): 1.5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FJN3301RTA
- fjn3301rta
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR NPN 50V 100MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V · Мощность макcимал
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FJN13003BU
- fjn13003bu
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR NPN 400V 1.5A TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A · Ток коллектора (макс): 1.5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 9 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальна
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FJL6920YDTU
- fjl6920ydtu
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR NPN 800V 20A TO-264 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 800В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2.75A, 11A · Ток коллектора (макс): 20A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FJMA790
- fjma790
- Fairchild Semiconductor
- IC TRANS PNP 35V 2A MICROFET2X2 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 35V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 1.5V · Мощность макcимал
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FJN3301RBU
- fjn3301rbu
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR NPN 50V 100MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V · Мощность макcимал
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FJN13003TA
- fjn13003ta
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR NPN 400V 1.5A TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A · Ток коллектора (макс): 1.5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 9 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальна
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FJL6920TU
- fjl6920tu
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR NPN 800V 20A TO-264 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 800В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2.75A, 11A · Ток коллектора (макс): 20A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FJL4215OTU
- fjl4215otu
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR PNP 230V 13A TO-264 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A · Ток коллектора (макс): 17A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V · Мощность макcимальная: 15
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FJL6825TU
- fjl6825tu
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR NPN 750V 25A TO-264 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 750V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A · Ток коллектора (макс): 25A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FJL4315OTU
- fjl4315otu
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR NPN 230V 15A TO-264 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A · Ток коллектора (макс): 17A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V · Мощность макcимальная: 15
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FJL6825ATU
- fjl6825atu
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR NPN 750V 25A TO-264 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 750V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A · Ток коллектора (макс): 25A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FJL6820TU
- fjl6820tu
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR NPN 750V 20A TO-264 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 750V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2.75A, 11A · Ток коллектора (макс): 20A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FJE5304DTU
- fje5304dtu
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR NPN 400V 4A TO-126 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 2.5A · Ток коллектора (макс): 4A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы (BJT) — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, которые используются для усиления и переключения электрических сигналов. Эти транзисторы работают на основе переноса заряда между эмиттером, базой и коллектором, что обеспечивает их высокую эффективность и надежность. Одиночные биполярные транзисторы широко применяются в различных электронных схемах благодаря своей высокой производительности и универсальности.
Применение
Одиночные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Генераторы сигналов: используются в схемах генерации различных сигналов для тестирования и измерений.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспеченияточности и надежности работы.
Одиночные биполярные транзисторы играют ключевую роль в работе инженеров и разработчиков, позволяя надежно и эффективно управлять электрическими сигналами в разнообразных устройствах. Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому спектру применения, эти транзисторы востребованы в различных отраслях электроники и электротехники.
Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и точное управление током, что делает их идеальными для использования в усилительных и коммутирующих схемах. Их надежность и долговечность гарантируют стабильную работу устройств, даже при интенсивной эксплуатации. Компактные размеры и высокая производительность позволяют легко интегрировать эти компоненты в сложные системы, что способствует созданию эффективных и высокотехнологичных решений в области современной электроники.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК