Биполярные транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 11220
BUL146
- bul146
- ON Semiconductor
- TRANS NPN SW 400V 8A TO-220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 130mA, 1.3A · Ток коллектора (макс): 6A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUL138FP
- bul138fp
- STMicroelectronics
- TRANSISTOR POWER NPN TO-220FP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 400mA, 2A · Ток коллектора (макс): 5A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUL1403ED
- bul1403ed
- STMicroelectronics
- TRANSISTOR POWER NPN TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 650В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 3A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUL138
- bul138
- STMicroelectronics
- TRANSISTOR POWER NPN TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 400mA, 2A · Ток коллектора (макс): 5A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUL128D-B
- bul128d.b
- STMicroelectronics
- TRANS NPN HV FAST 400V TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 2.5A · Ток коллектора (макс): 4A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUL128FP
- bul128fp
- STMicroelectronics
- TRANSISTOR NPN FAST HV TO-220FP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 4A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic,
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUL128-K
- bul128.k
- STMicroelectronics
- TRANSISTOR NPN FAST HV TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 2.5A · Ток коллектора (макс): 4A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUL128
- bul128
- STMicroelectronics
- TRANSISTOR POWER NPN TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 2.5A · Ток коллектора (макс): 4A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUL1102EFP
- bul1102efp
- ST Microelectronics
- TO-220FP/HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANS 1100V 4
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUJ403A,127
- buj403a.127
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN DIFF 1200V 6A TO-220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 550V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 2A · Ток коллектора (макс): 6A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 13 @ 1mA, 5V · Мощность макcимальная:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUJD103AD,118
- bujd103ad.118
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUJ303A,127
- buj303a.127
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 1000V 5A SOT78 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 500В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 600mA, 3A · Ток коллектора (макс): 5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 5mA, 5V · Мощность макcимальная: 100Вт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUJ303B,127
- buj303b.127
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 1050V 5A TO-220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 3A · Ток коллектора (макс): 5A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10.5 @ 3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUJ106A,127
- buj106a.127
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 700V 10A TO-220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1.2A, 6A · Ток коллектора (макс): 10A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 200µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUJ105A,127
- buj105a.127
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 700V 8A TO-220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 4A · Ток коллектора (макс): 8A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUJ105AD,118
- buj105ad.118
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 700V 8A D-PAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 4A · Ток коллектора (макс): 8A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1mA,
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUJ105AB,118
- buj105ab.118
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 700V 8A D2PAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 4A · Ток коллектора (макс): 8A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1mA,
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUJ103AX,127
- buj103ax.127
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 700V 4A TO-220F Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A · Ток коллектора (макс): 4A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 12.5 @ 3A
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы (BJT) — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, которые используются для усиления и переключения электрических сигналов. Эти транзисторы работают на основе переноса заряда между эмиттером, базой и коллектором, что обеспечивает их высокую эффективность и надежность. Одиночные биполярные транзисторы широко применяются в различных электронных схемах благодаря своей высокой производительности и универсальности.
Применение
Одиночные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Генераторы сигналов: используются в схемах генерации различных сигналов для тестирования и измерений.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспеченияточности и надежности работы.
Одиночные биполярные транзисторы играют ключевую роль в работе инженеров и разработчиков, позволяя надежно и эффективно управлять электрическими сигналами в разнообразных устройствах. Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому спектру применения, эти транзисторы востребованы в различных отраслях электроники и электротехники.
Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и точное управление током, что делает их идеальными для использования в усилительных и коммутирующих схемах. Их надежность и долговечность гарантируют стабильную работу устройств, даже при интенсивной эксплуатации. Компактные размеры и высокая производительность позволяют легко интегрировать эти компоненты в сложные системы, что способствует созданию эффективных и высокотехнологичных решений в области современной электроники.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК