Биполярные транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 11220
BSP19,115
- bsp19.115
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 350V 50MA SOT223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 350В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V · Мощность макcимальная
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSP19AT1
- bsp19at1
- ON Semiconductor
- TRANS NPN 100MA 350V SOT223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 350В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V · Мощность макcимальна
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSP16T1G
- bsp16t1g
- ON Semiconductor
- TRANS SS PNP 300V 100MA SOT-223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 50µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSP16T1
- bsp16t1
- ON Semiconductor
- TRANS SS PNP 300V 100MA SOT-223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 50µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFX34
- bfx34
- STMicroelectronics
- TRANSISTOR NPN 120V 5A TO-39 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A · Ток коллектора (макс): 5A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFS20W,115
- bfs20w.115
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 20V 25MA SOT323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Ток коллектора (макс): 25mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 7mA, 10V · Мощность макcимальная: 200mW · Модуляция частот: 360MHz · Тип транзистора: NPN · Т
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFS20,235
- bfs20.235
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 20V 25MA SOT23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Ток коллектора (макс): 25mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 7mA, 10V · Мощность макcимальная: 250mW · Модуляция частот: 275MHz · Тип транзистора: NPN · Ти
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFS20,215
- bfs20.215
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 20V 25MA SOT233 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Ток коллектора (макс): 25mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 7mA, 10V · Мощность макcимальная: 250mW · Модуляция частот: 275MHz · Тип транзистора: NPN · Т
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFS19,235
- bfs19.235
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 20V 30MA SOT23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Ток коллектора (макс): 30mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 65 @ 1mA, 10V · Мощность макcимальная: 250mW · Модуляция частот: 260MHz · Тип транзистора: NPN · Ти
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFS19,215
- bfs19.215
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 20V 30MA SOT23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Ток коллектора (макс): 30mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 65 @ 1mA, 10V · Мощность макcимальная: 250mW · Модуляция частот: 260MHz · Тип транзистора: NPN · Ти
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFN 39 E6327
- bfn.39.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR RF PNP 300V SOT-223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V · Мощность макcималь
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFN 27 E6327
- bfn.27.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR RF PNP 300V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V · Мощность макcимальн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFN 24 E6327
- bfn.24.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR RF NPN 250V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 2mA, 20mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V · Мощность макcимальн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF840,215
- bf840.215
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 40V 25MA SOT23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Ток коллектора (макс): 25mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 67 @ 1mA, 10V · Мощность макcимальная: 250mW · Модуляция частот: 380MHz · Тип транзистора: NPN · Ти
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF824,235
- bf824.235
- NXP Semiconductors
- TRANS PNP 30V 25MA SOT23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Ток коллектора (макс): 25mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V · Мощность макcимальная: 250mW · Модуляция частот: 350MHz · Тип транзистора: PNP · Ти
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF824W,135
- bf824w.135
- NXP Semiconductors
- TRANS PNP 30V 25MA SOT323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Ток коллектора (макс): 25mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V · Мощность макcимальная: 200mW · Модуляция частот: 250MHz · Тип транзистора: PNP · Т
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF824,215
- bf824.215
- NXP Semiconductors
- TRANS PNP 30V 25MA SOT23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Ток коллектора (макс): 25mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V · Мощность макcимальная: 250mW · Модуляция частот: 350MHz · Тип транзистора: PNP · Ти
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF823,215
- bf823.215
- NXP Semiconductors
- TRANS PNP 250V 50MA SOT23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 5mA, 30mA · Ток коллектора (макс): 50mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 20V · Мощность макcимальная:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF822,215
- bf822.215
- NXP Semiconductors
- TRANSISTOR NPN 250V 50MA SOT23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 30mA · Ток коллектора (макс): 50mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 20V · Мощность макcималь
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BF821,215
- bf821.215
- NXP Semiconductors
- TRANS PNP 300V 50MA SOT23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 5mA, 30mA · Ток коллектора (макс): 50mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 20V · Мощность макcимальная:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы (BJT) — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, которые используются для усиления и переключения электрических сигналов. Эти транзисторы работают на основе переноса заряда между эмиттером, базой и коллектором, что обеспечивает их высокую эффективность и надежность. Одиночные биполярные транзисторы широко применяются в различных электронных схемах благодаря своей высокой производительности и универсальности.
Применение
Одиночные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Генераторы сигналов: используются в схемах генерации различных сигналов для тестирования и измерений.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспеченияточности и надежности работы.
Одиночные биполярные транзисторы играют ключевую роль в работе инженеров и разработчиков, позволяя надежно и эффективно управлять электрическими сигналами в разнообразных устройствах. Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому спектру применения, эти транзисторы востребованы в различных отраслях электроники и электротехники.
Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и точное управление током, что делает их идеальными для использования в усилительных и коммутирующих схемах. Их надежность и долговечность гарантируют стабильную работу устройств, даже при интенсивной эксплуатации. Компактные размеры и высокая производительность позволяют легко интегрировать эти компоненты в сложные системы, что способствует созданию эффективных и высокотехнологичных решений в области современной электроники.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК