Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Биполярные транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 11220

BDX53C

  • bdx53c
  • ON Semiconductor
  • TRANS DARL NPN 100V 8A TO-220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A · Ток коллектора (макс): 8A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BDX53BFP

  • bdx53bfp
  • ST MICRO
  • Transistors Darlington Silicon Pwr Trnsistr

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BDX53BTU

  • bdx53btu
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN 80V 8A TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A · Ток коллектора (макс): 8A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BDX53BG

  • bdx53bg
  • ON Semiconductor
  • TRANS DARL NPN 80V 8A TO-220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A · Ток коллектора (макс): 8A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BDX53B

  • bdx53b
  • STMicroelectronics
  • TRANS DARL NPN 8A 80V TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A · Ток коллектора (макс): 8A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BDX53B-S

  • bdx53b.s
  • BOURNS
  • Transistors Darlington 80V 8A NPN

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BDX53ATU

  • bdx53atu
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN 60V 8A TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A · Ток коллектора (макс): 8A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BDX53A-S

  • bdx53a.s
  • BOURNS
  • Transistors Darlington 60V 8A NPN

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BDX34D-S

  • bdx34d.s
  • BOURNS
  • Transistors Darlington 120V 10A PNP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BDX34C-S

  • bdx34c.s
  • BOURNS
  • Transistors Darlington 100V 10A PNP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BDX34CG

  • bdx34cg
  • ON Semiconductor
  • TRANS DARL PNP 100V 10A TO-220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A · Ток коллектора (макс): 10A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BDX34B

  • bdx34b
  • ON Semiconductor
  • TRANS DARL PNP 80V 10A TO-220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A · Ток коллектора (макс): 10A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 7

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BDX34BG

  • bdx34bg
  • ON Semiconductor
  • TRANS DARL PNP 80V 10A TO-220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A · Ток коллектора (макс): 10A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 7

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BDX34C

  • bdx34c
  • Fairchild Semiconductor, ON
  • TRANSISTOR PNP 100V 10A TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A · Ток коллектора (макс): 10A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 7

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BDX34BTSTU

  • bdx34btstu
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR PNP 80V 10A TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A · Ток коллектора (макс): 10A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BDX34BTU

  • bdx34btu
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR PNP 80V 10A TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A · Ток коллектора (макс): 10A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BDX34A-S

  • bdx34a.s
  • BOURNS
  • Transistors Darlington 60V 10A PNP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BDX34A

  • bdx34a
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR PNP 60V 10A TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 4A · Ток коллектора (макс): 10A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BDX33CG

  • bdx33cg
  • ON Semiconductor
  • TRANS DARL NPN 10A 100V TO220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A · Ток коллектора (макс): 10A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BDX33D-S

  • bdx33d.s
  • BOURNS
  • Transistors Darlington 120V 10A NPN

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Биполярные транзисторы (BJT) — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, которые используются для усиления и переключения электрических сигналов. Эти транзисторы работают на основе переноса заряда между эмиттером, базой и коллектором, что обеспечивает их высокую эффективность и надежность. Одиночные биполярные транзисторы широко применяются в различных электронных схемах благодаря своей высокой производительности и универсальности.

Применение

Одиночные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
  • Генераторы сигналов: используются в схемах генерации различных сигналов для тестирования и измерений.
  • Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
  • Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
  • Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспеченияточности и надежности работы.

Одиночные биполярные транзисторы играют ключевую роль в работе инженеров и разработчиков, позволяя надежно и эффективно управлять электрическими сигналами в разнообразных устройствах. Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому спектру применения, эти транзисторы востребованы в различных отраслях электроники и электротехники.

Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и точное управление током, что делает их идеальными для использования в усилительных и коммутирующих схемах. Их надежность и долговечность гарантируют стабильную работу устройств, даже при интенсивной эксплуатации. Компактные размеры и высокая производительность позволяют легко интегрировать эти компоненты в сложные системы, что способствует созданию эффективных и высокотехнологичных решений в области современной электроники.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь