Биполярные транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 11220
2SB1705TL
- 2sb1705tl
- Rohm Semiconductor
- TRANSISTOR PNP 12V 3A TSMT3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 30mA, 1.5A · Ток коллектора (макс): 3A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SB1580T100
- 2sb1580t100
- Rohm Semiconductor
- TRANS DARL PNP 100V 2A SOT-89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A · Ток коллектора (макс): 2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 2V · Мощность макcимальная: 2В
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SB1689T106
- 2sb1689t106
- Rohm Semiconductor
- TRANS PNP 12V 1.5A SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 25mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1.5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V · Мощность макcимальна
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SB1694T106
- 2sb1694t106
- Rohm Semiconductor
- TRANS PNP 30V 1A SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 380mV @ 25mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V · Мощность макcимальная: 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SB1590KT146Q
- 2sb1590kt146q
- Rohm Semiconductor
- TRANSISTOR PNP 15V 1A SOT346 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 400mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальна
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SB1690TL
- 2sb1690tl
- Rohm Semiconductor
- TRANS PNP 12V 2A TSMT 3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 50mA, 1A · Ток коллектора (макс): 2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V · Мощность макcимальная: 500мВ
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SB1561T100Q
- 2sb1561t100q
- Rohm Semiconductor
- TRANS PNP 60V 2A SOT-89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A · Ток коллектора (макс): 2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная: 2Вт ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SB1474TL
- 2sb1474tl
- Rohm Semiconductor
- TRANS DARL PNP 80V 4A SOT-428 TR Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 4mA, 2A · Ток коллектора (макс): 4A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V · Мощность макcимальная:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SB1412TLP
- 2sb1412tlp
- Rohm Semiconductor
- TRANSISTOR PNP 20V 5A SOT-428 TR Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A · Ток коллектора (макс): 5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SB1412TLQ
- 2sb1412tlq
- Rohm Semiconductor
- TRANS PNP 20V 5A SOT-428 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A · Ток коллектора (макс): 5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная: 10Вт ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SB1443TV2Q
- 2sb1443tv2q
- Rohm Semiconductor
- TRANSISTOR PNP 50V 3A ATV TB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A · Ток коллектора (макс): 2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SB1427T100E
- 2sb1427t100e
- Rohm Semiconductor
- TRANS PNP 20V 2A SOT-89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A · Ток коллектора (макс): 2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 390 @ 500mA, 6V · Мощность макcимальная: 2Вт ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SB1412TLR
- 2sb1412tlr
- Rohm Semiconductor
- TRANS PNP 20V 5A SOT-428 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A · Ток коллектора (макс): 5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная: 10Вт ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SB1386T100R
- 2sb1386t100r
- Rohm Semiconductor
- TRANS PNP 20V 5A SOT-89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A · Ток коллектора (макс): 5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная: 2Вт · М
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SB1424T100Q
- 2sb1424t100q
- Rohm Semiconductor
- TRANSISTOR PNP 20V 3A SOT-89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A · Ток коллектора (макс): 3A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V · Мощность макcимальная:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SB1424T100R
- 2sb1424t100r
- Rohm Semiconductor
- TRANSISTOR PNP 20V 3A MPT3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A · Ток коллектора (макс): 3A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V · Мощность макcимальная: 5
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SB1386T100Q
- 2sb1386t100q
- Rohm Semiconductor
- TRANS PNP 20V 5A SOT-89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A · Ток коллектора (макс): 5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная: 2Вт · М
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SB1326TV2R
- 2sb1326tv2r
- Rohm Semiconductor
- TRANS PNP 20V 5A ATV Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A · Ток коллектора (макс): 5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная: 1Вт · Моду
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SB1326TV2Q
- 2sb1326tv2q
- Rohm Semiconductor, ROHM
- TRANS PNP 20V 5A ATV Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A · Ток коллектора (макс): 5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная: 1Вт · Моду
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SB1316TL
- 2sb1316tl
- Rohm Semiconductor
- TRANS DARL PNP 100V 2A SOT-428 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A · Ток коллектора (макс): 2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 2V · Мощность макcимальная: 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы (BJT) — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, которые используются для усиления и переключения электрических сигналов. Эти транзисторы работают на основе переноса заряда между эмиттером, базой и коллектором, что обеспечивает их высокую эффективность и надежность. Одиночные биполярные транзисторы широко применяются в различных электронных схемах благодаря своей высокой производительности и универсальности.
Применение
Одиночные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Генераторы сигналов: используются в схемах генерации различных сигналов для тестирования и измерений.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспеченияточности и надежности работы.
Одиночные биполярные транзисторы играют ключевую роль в работе инженеров и разработчиков, позволяя надежно и эффективно управлять электрическими сигналами в разнообразных устройствах. Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому спектру применения, эти транзисторы востребованы в различных отраслях электроники и электротехники.
Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и точное управление током, что делает их идеальными для использования в усилительных и коммутирующих схемах. Их надежность и долговечность гарантируют стабильную работу устройств, даже при интенсивной эксплуатации. Компактные размеры и высокая производительность позволяют легко интегрировать эти компоненты в сложные системы, что способствует созданию эффективных и высокотехнологичных решений в области современной электроники.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК