Биполярные транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 11220
2STL1360
- 2stl1360
- STMicroelectronics
- TRANSISTOR NPN LV FAST SW TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A · Ток коллектора (макс): 3A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V · Мощность макcимальная:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 12STF2360
- 2stf2360
- STMicroelectronics
- TRANSISTOR PNP FAST SW SOT-89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 3A · Ток коллектора (макс): 3A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V · Мощность макcимальная: 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 12STF2340
- 2stf2340
- STMicroelectronics
- TRANS PNP FAST BIPO 40V SOT-89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 150mA, 3A · Ток коллектора (макс): 3A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 3A, 2V · Мощность макcимальная:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 12STF2220
- 2stf2220
- STMicroelectronics
- TRANSISTOR PNP LV SOT-89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 150mA, 1.5A · Ток коллектора (макс): 1.5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V · Мощность макcимальная:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 12STF1360
- 2stf1360
- STMicroelectronics
- TRANSISTOR NPN 80V 3A SOT-89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 3A · Ток коллектора (макс): 3A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V · Мощность макcимальная: 1.
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 12STD1665T4
- 2std1665t4
- STMicroelectronics
- TRANSISTOR NPN FAST LV DPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 65V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 50mA, 2A · Ток коллектора (макс): 6A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 1V · Мощность макcимальная: 15Вт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 12STF1340
- 2stf1340
- STMicroelectronics
- TRANS NPN FAST BIPO 40V SOT-89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 150mA, 3A · Ток коллектора (макс): 3A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1A, 2V · Мощность макcимальная:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 12STC5242
- 2stc5242
- STMicroelectronics
- TRANS NPN HP BIPO 230V TO-3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 230V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A · Ток коллектора (макс): 15A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V · Мощность макcимальная: 150В
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 12STC5200
- 2stc5200
- STMicroelectronics
- TRANS NPN HP BIPO 230V TO-264 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 230V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A · Ток коллектора (макс): 15A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V · Мощность макcимальная: 150
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 12STC4468
- 2stc4468
- STMicroelectronics
- TRANS NPN HP BIPO 140V TO-3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 140V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A · Ток коллектора (макс): 10A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 3A, 4V · Мощность макcимальная: 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 12STBN15D100
- 2stbn15d100
- STMicroelectronics
- TRANS NPN DARL 100V 12A D2PAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 4mA, 4A · Ток коллектора (макс): 12A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1000µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 7
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 12STA2120
- 2sta2120
- STMicroelectronics
- TRANS PNP 250V 17A BIPO TO-3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A · Ток коллектора (макс): 34A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V · Мощность макcимальная: 200
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 12STA2121
- 2sta2121
- STMicroelectronics
- TRANS PNP 250V 17A BIT-LA TO-264 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A · Ток коллектора (макс): 34A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V · Мощность макcимальная:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 12STA1962
- 2sta1962
- STMicroelectronics
- TRANS PNP HP BIPO 230V TO-3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 230V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A · Ток коллектора (макс): 15A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V · Мощность макcимальная: 150В
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 12STA1943
- 2sta1943
- STMicroelectronics
- TRANS PNP HP BIPO 230V TO-264 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 230V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A · Ток коллектора (макс): 15A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V · Мощность макcимальная: 150
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 12STA1695
- 2sta1695
- STMicroelectronics
- TRANS PNP HP BIPO 140V TO-3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 140V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A · Ток коллектора (макс): 10A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 3A, 4V · Мощность макcимальная: 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 12ST2121
- 2st2121
- STMicroelectronics
- TRANS PNP 250V 17A BIPO TO-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A · Ток коллектора (макс): 34A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V · Мощность макcимальная: 250В
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 12ST5949
- 2st5949
- STMicroelectronics
- TRANS NPN HP BIPO 250V TO-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A · Ток коллектора (макс): 17A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V · Мощность макcимальная: 250Вт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 12SD882
- 2sd882
- STMicroelectronics
- TRANSISTOR NPN MED PWR SOT32 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A · Ток коллектора (макс): 3A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 12SD2704KT146
- 2sd2704kt146
- Rohm Semiconductor
- TRANSISTOR NPN 30V 0.3A SOT-346 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA · Ток коллектора (макс): 300mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 4ma, 2V · Мощность макcималь
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы (BJT) — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, которые используются для усиления и переключения электрических сигналов. Эти транзисторы работают на основе переноса заряда между эмиттером, базой и коллектором, что обеспечивает их высокую эффективность и надежность. Одиночные биполярные транзисторы широко применяются в различных электронных схемах благодаря своей высокой производительности и универсальности.
Применение
Одиночные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Генераторы сигналов: используются в схемах генерации различных сигналов для тестирования и измерений.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспеченияточности и надежности работы.
Одиночные биполярные транзисторы играют ключевую роль в работе инженеров и разработчиков, позволяя надежно и эффективно управлять электрическими сигналами в разнообразных устройствах. Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому спектру применения, эти транзисторы востребованы в различных отраслях электроники и электротехники.
Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и точное управление током, что делает их идеальными для использования в усилительных и коммутирующих схемах. Их надежность и долговечность гарантируют стабильную работу устройств, даже при интенсивной эксплуатации. Компактные размеры и высокая производительность позволяют легко интегрировать эти компоненты в сложные системы, что способствует созданию эффективных и высокотехнологичных решений в области современной электроники.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК