Биполярные транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 11220
2SB12190RL
- 2sb12190rl
- Panasonic - SSG
- TRANS PNP GP AMP 50VCEO SMINI 3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 150mA, 10V · Мощность макc
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 12SB1218ARL
- 2sb1218arl
- Panasonic - SSG
- TRANS PNP GP AMP 45VCEO SMINI 3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 12SB1218AQL
- 2sb1218aql
- Panasonic - SSG
- TRANS PNP GP AMP 45VCEO SMINI 3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 12SB1218ASL
- 2sb1218asl
- Panasonic - SSG
- TRANS PNP GP AMP 45VCEO SMINI 3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 12SB1218A0L
- 2sb1218a0l
- Panasonic - SSG
- TRANS PNP GP AMP 45VCEO SMINI 3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 12SB1202S-TL-E
- 2sb1202s.tl.e
- GLENAIR
- TO263
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 12SB1188T100Q
- 2sb1188t100q
- Rohm Semiconductor
- TRANSISTOR PNP 32V 2A SO-89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 32V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A · Ток коллектора (макс): 2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V · Мощность макcимальная:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 12SB1184TLQ
- 2sb1184tlq
- Rohm Semiconductor
- TRANSISTOR PNP 60V 3A SOT-428 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A · Ток коллектора (макс): 3A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V · Мощность макcимальная: 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 12SB11560P
- 2sb11560p
- Panasonic - SSG
- TRANS PNP 80VCEO 20A TOP-3F Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 400mA, 8A · Ток коллектора (макс): 20A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 3A, 2V · Мощность макcимальная: 10
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 12SB11540Q
- 2sb11540q
- Panasonic - SSG
- TRANS PNP 80VCEO 10A TOP-3F Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 6A · Ток коллектора (макс): 10A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 3A, 2V · Мощность макcимальная: 70В
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 12SB1123S-TD-E
- 2sb1123s.td.e
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 12SB1124T-TD-E
- 2sb1124t.td.e
- GLENAIR
- SOT89
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 12SB1121S-TD-E
- 2sb1121s.td.e
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 12SB10730RL
- 2sb10730rl
- Panasonic - SSG
- TRANS PNP LF 20VCEO 4A MINI-PWR Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 3A · Ток коллектора (макс): 4A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2A, 2V · Мощность макcимальная: 1В
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 12SB10540P
- 2sb10540p
- Panasonic - SSG
- TRANS PNP 100VCEO 5A TOP-3F Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 3A · Ток коллектора (макс): 5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V · Мощность макcимальная: 60Вт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 12SB10630P
- 2sb10630p
- Panasonic - SSG
- TRANS PNP 100VCEO 5A TO-220F Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 3A · Ток коллектора (макс): 5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V · Мощность макcимальная: 40Вт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 12SB1030ARA
- 2sb1030ara
- Panasonic - SSG
- TRANS PNP LF 50VCEO NEW S TYPE Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vc
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 12SB1030A
- 2sb1030a
- Panasonic - SSG
- TRANS PNP AF AMP 50V 500MA NEW S Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic,
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 12SB1011
- 2sb1011
- Panasonic - SSG
- TRANS PNP LF 400VCEO .1A TO-126 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 5V · Мощность макcималь
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 12SB09680RL
- 2sb09680rl
- Panasonic - SSG
- TRANS PNP 40VCEO 1.5A U-G2 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 150mA, 1.5A · Ток коллектора (макс): 1.5A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы (BJT) — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, которые используются для усиления и переключения электрических сигналов. Эти транзисторы работают на основе переноса заряда между эмиттером, базой и коллектором, что обеспечивает их высокую эффективность и надежность. Одиночные биполярные транзисторы широко применяются в различных электронных схемах благодаря своей высокой производительности и универсальности.
Применение
Одиночные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Генераторы сигналов: используются в схемах генерации различных сигналов для тестирования и измерений.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспеченияточности и надежности работы.
Одиночные биполярные транзисторы играют ключевую роль в работе инженеров и разработчиков, позволяя надежно и эффективно управлять электрическими сигналами в разнообразных устройствах. Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому спектру применения, эти транзисторы востребованы в различных отраслях электроники и электротехники.
Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и точное управление током, что делает их идеальными для использования в усилительных и коммутирующих схемах. Их надежность и долговечность гарантируют стабильную работу устройств, даже при интенсивной эксплуатации. Компактные размеры и высокая производительность позволяют легко интегрировать эти компоненты в сложные системы, что способствует созданию эффективных и высокотехнологичных решений в области современной электроники.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК