Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Биполярные транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 11220

2N4124_S00Z

  • 2n4124.s00z
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN 25V 200MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V · Мощность макcимальн

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

2N4124TA

  • 2n4124ta
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN 25V 200MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V · Мощность макcимальн

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

2N4125BU

  • 2n4125bu
  • Fairchild Semiconductor
  • IC TRANS PNP SS GP 200MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V · Мощность макcимальна

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

2N4124TFR

  • 2n4124tfr
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN 25V 200MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V · Мощность макcимальн

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

2N4124_J18Z

  • 2n4124.j18z
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN 25V 200MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V · Мощность макcимальн

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

2N4125TA

  • 2n4125ta
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR PNP 30V 200MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V · Мощность макcимальна

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

2N4124TF

  • 2n4124tf
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN 25V 200MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V · Мощность макcимальн

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

2N4124TAR

  • 2n4124tar
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN 25V 200MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V · Мощность макcимальн

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

2N4124G

  • 2n4124g
  • ON Semiconductor
  • TRANS NPN GP 200MA 25V TO92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V · Мощность макcимальная:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

2N4124BU

  • 2n4124bu
  • Fairchild Semiconductor
  • IC TRANS NPN SS GP 200MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V · Мощность макcимальн

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

2N4123BU

  • 2n4123bu
  • Fairchild Semiconductor
  • IC TRANS NPN SS GP 200MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V · Мощность макcимальна

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

2N4123TA

  • 2n4123ta
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN 40V 200MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V · Мощность макcимальна

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

2N4123TF

  • 2n4123tf
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN 40V 200MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V · Мощность макcимальна

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

2N4123RLRM

  • 2n4123rlrm
  • ON Semiconductor
  • TRANS SS NPN GP 30V 200MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V · Мощность макcимальн

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

2N4123TFR

  • 2n4123tfr
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN 40V 200MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V · Мощность макcимальна

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

2N4124

  • 2n4124
  • ON Semiconductor
  • TRANS NPN GP 200MA 25V TO92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V · Мощность макcимальная:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

2N4123TAR

  • 2n4123tar
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN 40V 200MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V · Мощность макcимальна

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

2N4036

  • 2n4036
  • Fairchild Semiconductor
  • PNP GP 5W 65V TRANSISTOR

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

2N4029

  • 2n4029
  • GLENAIR

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

2N4033

  • 2n4033
  • STMicroelectronics
  • TRANSISTOR PNP -80V -1A TO-39 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V · Мощность макcимальн

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Биполярные транзисторы (BJT) — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, которые используются для усиления и переключения электрических сигналов. Эти транзисторы работают на основе переноса заряда между эмиттером, базой и коллектором, что обеспечивает их высокую эффективность и надежность. Одиночные биполярные транзисторы широко применяются в различных электронных схемах благодаря своей высокой производительности и универсальности.

Применение

Одиночные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
  • Генераторы сигналов: используются в схемах генерации различных сигналов для тестирования и измерений.
  • Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
  • Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
  • Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспеченияточности и надежности работы.

Одиночные биполярные транзисторы играют ключевую роль в работе инженеров и разработчиков, позволяя надежно и эффективно управлять электрическими сигналами в разнообразных устройствах. Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому спектру применения, эти транзисторы востребованы в различных отраслях электроники и электротехники.

Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и точное управление током, что делает их идеальными для использования в усилительных и коммутирующих схемах. Их надежность и долговечность гарантируют стабильную работу устройств, даже при интенсивной эксплуатации. Компактные размеры и высокая производительность позволяют легко интегрировать эти компоненты в сложные системы, что способствует созданию эффективных и высокотехнологичных решений в области современной электроники.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь