Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
Всего товаров: 1360
CM600HX-24A
- cm600hx.24a
- Powerex Inc
- IGBT MOD SGL 1200V 600A NX SER Серия: IGBTMOD™, NX · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 600A · Ток коллектора (макс): 600A · Мощность макcимальная: 3785W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
CM600HX-12A
- cm600hx.12a
- Powerex Inc
- IGBT MOD SGL 600V 600A NX SER Серия: IGBTMOD™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 600A · Ток коллектора (макс): 600A · Мощность макcимальная: 1890W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
CM500HA-34A
- cm500ha.34a
- Powerex Inc
- IGBT MOD SGL 1700V 500A A SER Серия: IGBTMOD™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1700V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 500A · Ток коллектора (макс): 500A · Мощность макcимальная: 5000W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Moun
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
CM400HX-24A
- cm400hx.24a
- Powerex Inc
- IGBT MOD SGL 1200V 400A NX SER Серия: IGBTMOD™, NX · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 400A · Ток коллектора (макс): 400A · Мощность макcимальная: 2450W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGT75SK60T1G
- aptgt75sk60t1g
- Microsemi-PPG
- IGBT 600V 100A 250W SP1 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A · Ток коллектора (макс): 100A · Мощность макcимальная: 250Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP1 Module
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGT75SK120TG
- aptgt75sk120tg
- Microsemi-PPG
- IGBT 1200V 110A 357W SP4 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A · Ток коллектора (макс): 110A · Мощность макcимальная: 357W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP4 Module
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGT75SK120T1G
- aptgt75sk120t1g
- Microsemi-PPG
- IGBT 1200V 110A 357W SP1 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A · Ток коллектора (макс): 110A · Мощность макcимальная: 357W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP1 Module
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGT75DA60T1G
- aptgt75da60t1g
- Microsemi-PPG
- IGBT 600V 100A 250W SP1 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A · Ток коллектора (макс): 100A · Мощность макcимальная: 250Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP1 Module
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGT75DA170T1G
- aptgt75da170t1g
- Microsemi-PPG
- IGBT 1700V 130A 465W SP1 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1700V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A · Ток коллектора (макс): 130A · Мощность макcимальная: 465W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP1 Module
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGT75DA120TG
- aptgt75da120tg
- Microsemi-PPG
- IGBT 1200V 110A 357W SP4 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A · Ток коллектора (макс): 110A · Мощность макcимальная: 357W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP4 Module
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGT75DA120T1G
- aptgt75da120t1g
- Microsemi-PPG
- IGBT 1200V 110A 357W SP1 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A · Ток коллектора (макс): 110A · Мощность макcимальная: 357W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP1 Module
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGT750U60D4G
- aptgt750u60d4g
- Microsemi-PPG
- IGBT 600V 1000A 2300W D4 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 800A · Ток коллектора (макс): 1000A · Мощность макcимальная: 2300W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGT580U60D4G
- aptgt580u60d4g
- Microsemi-PPG
- IGBT 600V 760A 1600W D4 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 600A · Ток коллектора (макс): 760A · Мощность макcимальная: 1600W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGT50SK170TG
- aptgt50sk170tg
- Microsemi-PPG
- IGBT 1700V 75A 312W SP4 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1700V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 75A · Мощность макcимальная: 312W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP4 Module
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGT50SK170T1G
- aptgt50sk170t1g
- Microsemi-PPG
- IGBT 1700V 75A 312W SP1 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1700V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 75A · Мощность макcимальная: 312W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP1 Module
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGT50SK120TG
- aptgt50sk120tg
- Microsemi-PPG
- IGBT 1200V 75A 277W SP4 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 75A · Мощность макcимальная: 277W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP4 Module
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGT50DA170TG
- aptgt50da170tg
- Microsemi-PPG
- IGBT 1700V 75A 312W SP4 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1700V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 75A · Мощность макcимальная: 312W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP4 Module
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGT50DA170T1G
- aptgt50da170t1g
- Microsemi-PPG
- IGBT 1700V 75A 312W SP1 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1700V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 75A · Мощность макcимальная: 312W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP1 Module
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGT50DA120TG
- aptgt50da120tg
- Microsemi-PPG
- IGBT 1200V 75A 277W SP4 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 75A · Мощность макcимальная: 277W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP4 Module
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGT450SK60G
- aptgt450sk60g
- Microsemi-PPG
- IGBT 600V 550A 1750W SP6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 450A · Ток коллектора (макс): 550A · Мощность макcимальная: 1750W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP6
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) в модулях представляют собой мощные полупроводниковые устройства, сочетающие в себе характеристики как биполярных транзисторов, так и полевых транзисторов. Эти модули предназначены для управления высокими токами и напряжениями, обеспечивая высокую эффективность и надежность. IGBT модули используются в различных силовых и промышленных приложениях, где требуется высокое качество и стабильность управления мощностью.
Применение
IGBT модули находят широкое применение в различных областях промышленности и энергетики.
Основные области их использования включают:
- Преобразователи частоты: используются для управления и регулирования скорости электродвигателей в промышленных установках.
- Силовая электроника: применяются в источниках питания, инверторах и других устройствах для преобразования и стабилизации напряжения и тока.
- Электрические транспортные средства: используются в системах управления двигателями и зарядки аккумуляторов для электромобилей и гибридных автомобилей.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Сварочное оборудование: используются в устройствах для дуговой сварки и плазменной резки для обеспечения стабильного и мощного управления током.
- Возобновляемая энергетика: применяются в солнечных и ветровых энергетических установках для преобразования и передачи энергии.
Совместимость
IGBT модули совместимы с широким спектром электронных компонентов и систем, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, датчиками, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и преобразования мощности. Благодаря своей универсальности, эти модули находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Модули IGBT играют ключевую роль для специалистов в области инженерии и разработки, предоставляя эффективное и надежное управление электрической мощностью и сигналами в разнообразных устройствах.
Эти модули, благодаря своим уникальным характеристикам и широким возможностям применения, востребованы в самых различных отраслях, таких как энергетика, транспорт, промышленная автоматизация и бытовая техника. Их способность работать при высоких напряжениях и токах делает их незаменимыми для многих современных технологий, обеспечивая долговечность и стабильность работы оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК