Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
Всего товаров: 1360
APTGF50DH60T1G
- aptgf50dh60t1g
- MICROSEMI
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGF50DU120TG
- aptgf50du120tg
- Microsemi-PPG
- IGBT MODULE NPT DUAL SP4 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 75A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA · Емкость @ Vce: 3.45nF @ 25V · Мощность макcимальная: 312W · Вход:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGF500U60D4G
- aptgf500u60d4g
- Microsemi-PPG
- IGBT 600V 625A 2000W D4 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 500A · Ток коллектора (макс): 625A · Мощность макcимальная: 2000W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: Модуль
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGF360U60D4G
- aptgf360u60d4g
- Microsemi-PPG
- IGBT 600V 450A 1560W D4 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 360A · Ток коллектора (макс): 450A · Мощность макcимальная: 1560W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: Модуль
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGF330A60D3G
- aptgf330a60d3g
- Microsemi-PPG
- IGBT MODULE NPT PHASE LEG D3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 400A · Ток коллектора (макс): 460A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 750µA · Емкость @ Vce: 18nF @ 25V · Мощность макcимальная: 1400W · В
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGF30H60T3G
- aptgf30h60t3g
- Microsemi-PPG
- IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A · Ток коллектора (макс): 42A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA · Емкость @ Vce: 1.35nF @ 25V · Мощность макcимальная: 140Вт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGF300A120G
- aptgf300a120g
- Microsemi-PPG
- IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 300A · Ток коллектора (макс): 400A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500µA · Емкость @ Vce: 21nF @ 25V · Мощность макcимальная: 1780W ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGF250SK60D3G
- aptgf250sk60d3g
- Microsemi-PPG
- IGBT 600V 400A 1250W D3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 300A · Ток коллектора (макс): 400A · Мощность макcимальная: 1250W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGF300SK120G
- aptgf300sk120g
- Microsemi-PPG
- IGBT 1200V 400A 1780W SP6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 300A · Ток коллектора (макс): 400A · Мощность макcимальная: 1780W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP6
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGF25H120T1G
- aptgf25h120t1g
- Microsemi-PPG
- IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP1 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A · Ток коллектора (макс): 40A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA · Емкость @ Vce: 1.65nF @ 25V · Мощность макcимальная: 208W
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGF250DA60D3G
- aptgf250da60d3g
- Microsemi-PPG
- IGBT 600V 400A 1250W D3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 300A · Ток коллектора (макс): 400A · Мощность макcимальная: 1250W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGF250A60D3G
- aptgf250a60d3g
- Microsemi-PPG
- IGBT MODULE NPT PHASE LEG D3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 300A · Ток коллектора (макс): 400A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500µA · Емкость @ Vce: 13nF @ 25V · Мощность макcимальная: 1250W ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGF165A60D1G
- aptgf165a60d1g
- Microsemi-PPG
- IGBT MODULE NPT PHASE LEG D1 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 200A · Ток коллектора (макс): 230A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA · Емкость @ Vce: 9nF @ 25V · Мощность макcимальная: 694W · Вхо
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGF165SK60D1G
- aptgf165sk60d1g
- Microsemi-PPG
- IGBT 600V 230A 730W D1 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 200A · Ток коллектора (макс): 230A · Мощность макcимальная: 730W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: Модуль
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGF165DA60D1G
- aptgf165da60d1g
- Microsemi-PPG
- IGBT 600V 230A 730W D1 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 200A · Ток коллектора (макс): 230A · Мощность макcимальная: 730W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: Модуль
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APTGF150A120TG
- aptgf150a120tg
- Microsemi-PPG
- POWER MODULE IGBT 1200V 150A SP4 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A · Ток коллектора (макс): 200A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 350µA · Емкость @ Vce: 10.2nF @ 25V · Мощность макcимальная: 96
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT75GT120JRDQ3
- apt75gt120jrdq3
- Microsemi-PPG
- IGBT 1200V 97A 481W SOT227 Серия: Thunderbolt IGBT® · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 75A · Ток коллектора (макс): 97A · Мощность макcимальная: 481W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT75GN120J
- apt75gn120j
- Microsemi-PPG
- IGBT 1200V 124A 379W SOT227 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A · Ток коллектора (макс): 124A · Мощность макcимальная: 379W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: ISOTOP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT50GT120JU3
- apt50gt120ju3
- Microsemi-PPG
- IGBT 1200V 75A 347W SOT227 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 75A · Мощность макcимальная: 347W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: ISOTOP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT50GT120JU2
- apt50gt120ju2
- Microsemi-PPG
- IGBT 1200V 75A 347W SOT227 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 75A · Мощность макcимальная: 347W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: ISOTOP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) в модулях представляют собой мощные полупроводниковые устройства, сочетающие в себе характеристики как биполярных транзисторов, так и полевых транзисторов. Эти модули предназначены для управления высокими токами и напряжениями, обеспечивая высокую эффективность и надежность. IGBT модули используются в различных силовых и промышленных приложениях, где требуется высокое качество и стабильность управления мощностью.
Применение
IGBT модули находят широкое применение в различных областях промышленности и энергетики.
Основные области их использования включают:
- Преобразователи частоты: используются для управления и регулирования скорости электродвигателей в промышленных установках.
- Силовая электроника: применяются в источниках питания, инверторах и других устройствах для преобразования и стабилизации напряжения и тока.
- Электрические транспортные средства: используются в системах управления двигателями и зарядки аккумуляторов для электромобилей и гибридных автомобилей.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Сварочное оборудование: используются в устройствах для дуговой сварки и плазменной резки для обеспечения стабильного и мощного управления током.
- Возобновляемая энергетика: применяются в солнечных и ветровых энергетических установках для преобразования и передачи энергии.
Совместимость
IGBT модули совместимы с широким спектром электронных компонентов и систем, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, датчиками, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и преобразования мощности. Благодаря своей универсальности, эти модули находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Модули IGBT играют ключевую роль для специалистов в области инженерии и разработки, предоставляя эффективное и надежное управление электрической мощностью и сигналами в разнообразных устройствах.
Эти модули, благодаря своим уникальным характеристикам и широким возможностям применения, востребованы в самых различных отраслях, таких как энергетика, транспорт, промышленная автоматизация и бытовая техника. Их способность работать при высоких напряжениях и токах делает их незаменимыми для многих современных технологий, обеспечивая долговечность и стабильность работы оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК