Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные

Всего товаров: 2658

IXBX75N170

  • ixbx75n170
  • IXYS [IXYS Corporation]
  • BiMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

AUIRGS4062D1

  • auirgs4062d1
  • IRF [International Rectifier]
  • INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FGH40T65UPD

  • fgh40t65upd
  • FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
  • 650 V, 40 A Field Stop Trench IGBT

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRGS4045DTRRPbF

  • irgs4045dtrrpbf
  • IRF [International Rectifier]
  • INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH UL TRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRGS4045DTRLPbF

  • irgs4045dtrlpbf
  • IRF [International Rectifier]
  • INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH UL TRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRGS4045DPbF

  • irgs4045dpbf
  • IRF [International Rectifier]
  • INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH UL TRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRGR4045DPBF

  • irgr4045dpbf
  • IRF [International Rectifier]
  • INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRG7PSH54K10DPBF

  • irg7psh54k10dpbf
  • IRF [International Rectifier]
  • Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NGTG50N60FWG

  • ngtg50n60fwg
  • ONSEMI [ON Semiconductor]
  • Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NGTG50N60FLWG

  • ngtg50n60flwg
  • ONSEMI [ON Semiconductor]
  • Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NGTG30N60FWG

  • ngtg30n60fwg
  • ONSEMI [ON Semiconductor]
  • Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NGTG30N60FLWG

  • ngtg30n60flwg
  • ONSEMI [ON Semiconductor]
  • Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NGTB50N60FWG

  • ngtb50n60fwg
  • ONSEMI [ON Semiconductor]
  • Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NGTB50N60FLWG

  • ngtb50n60flwg
  • ONSEMI [ON Semiconductor]
  • Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NGTB40N60IHLWG

  • ngtb40n60ihlwg
  • ONSEMI [ON Semiconductor]
  • Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NGTB30N60IHLWG

  • ngtb30n60ihlwg
  • ONSEMI [ON Semiconductor]
  • Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NGTB30N60FWG

  • ngtb30n60fwg
  • ONSEMI [ON Semiconductor]
  • Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NGTB30N60FLWG

  • ngtb30n60flwg
  • ONSEMI [ON Semiconductor]
  • Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FGD3N60UNDF

  • fgd3n60undf
  • FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
  • Using advanced NPT IGBT technology, Fairchild®’s the NPT vIGBTs offer the optimum performance for low-power inverterdriven applications where low-losses and short-circuit ruggedness features are essential.

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXGV25N250S

  • ixgv25n250s
  • IXYS [IXYS Corporation]
  • High Voltage IGBT For Capacitor Discharge Applications

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) — одиночные представляют собой мощные полупроводниковые устройства, объединяющие преимущества биполярных транзисторов и полевых транзисторов. Эти компоненты обеспечивают высокую эффективность и надежность управления токами и напряжениями, что делает их идеальными для использования в различных силовых и промышленных приложениях.

Применение

Одиночные IGBT транзисторы находят широкое применение в самых разных областях промышленности и электроники.

Основные сферы их применения включают:

  • Инверторы: используются для преобразования постоянного тока (DC) в переменный ток (AC) в солнечных энергетических системах, электромобилях и промышленных установках.
  • Силовая электроника: применяются в преобразователях частоты, источниках питания и других силовых устройствах для управления напряжением и током.
  • Системы управления двигателями: обеспечивают управление скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Электрические транспортные средства: используются в системах управления двигателями и зарядки аккумуляторов для электромобилей и гибридных автомобилей.
  • Сварочное оборудование: применяются в устройствах для дуговой сварки и плазменной резки, обеспечивая стабильное управление мощностью.
  • Возобновляемая энергетика: используются в установках для преобразования энергии от солнечных панелей и ветровых турбин.

Совместимость

Одиночные IGBT транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут интегрироваться с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и преобразования мощности. Благодаря своей универсальности, одиночные IGBT транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

В современных инженерных проектах отдельные компоненты играют решающую роль в обеспечении стабильной и эффективной работы различных систем. Их уникальные свойства и широкий спектр применения позволяют использовать их в таких областях, как возобновляемая энергетика, транспортные технологии, автоматизация промышленных процессов и бытовая техника. Эти элементы способствуют повышению производительности и надежности оборудования, становясь незаменимыми в реализации сложных технических решений.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь