Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
Всего товаров: 2658
IXGT20N140C3H1
- ixgt20n140c3h1
- IXYS [IXYS Corporation]
- GenX3 1400V IGBTs w/ Diode
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXGH20N140C3H1
- ixgh20n140c3h1
- IXYS [IXYS Corporation]
- GenX3 1400V IGBTs w/ Diode
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXGH50N60C4
- ixgh50n60c4
- IXYS [IXYS Corporation]
- High-Gain IGBTs
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXGP50N60C4
- ixgp50n60c4
- IXYS [IXYS Corporation]
- High-Gain IGBTs
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXGA50N60C4
- ixga50n60c4
- IXYS [IXYS Corporation]
- High-Gain IGBTs
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXGH36N60A3
- ixgh36n60a3
- IXYS [IXYS Corporation]
- GenX3 600V IGBT
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXGA30N60C3D4
- ixga30n60c3d4
- IXYS [IXYS Corporation]
- GenX3 600V IGBT With Diode
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXGA20N120B3
- ixga20n120b3
- IXYS [IXYS Corporation]
- GenX3 1200V IGBT
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXGH12N120A3
- ixgh12n120a3
- IXYS [IXYS Corporation]
- GenX3 1200V IGBTs
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXGP12N120A3
- ixgp12n120a3
- IXYS [IXYS Corporation]
- GenX3 1200V IGBTs
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1SLA5227
- sla5227
- SANKEN [Sanken electric]
- Built-in IGBT and diode bridge of partial switching PFC circuit Enable to reduce mounting area
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FGM623S
- fgm623s
- SANKEN [Sanken electric]
- Low Saturation Voltage VCE(sat)=1.5V typ. (IC=30A)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRG6B330UDPBF
- irg6b330udpbf
- IRF [International Rectifier]
- PDP TRENCH IGBT
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRGP4069D-EPBF
- irgp4069d.epbf
- IRF [International Rectifier]
- INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRG7PH46U-EP
- irg7ph46u.ep
- IRF [International Rectifier]
- INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRG7PH46UD-EP
- irg7ph46ud.ep
- IRF [International Rectifier]
- INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRG7PH42UD1-EP
- irg7ph42ud1.ep
- IRF [International Rectifier]
- INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE FOR INDUCTION HEATING AND SOFT SWITCHING APPLICATIONS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRG7PH35UD-EP
- irg7ph35ud.ep
- IRF [International Rectifier]
- INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRG7PH35UD1-EP
- irg7ph35ud1.ep
- IRF [International Rectifier]
- INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE FOR INDUCTION HEATING AND SOFT SWITCHING APPLICATIONS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1MGD623S
- mgd623s
- SANKEN [Sanken electric]
- IGBT
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) — одиночные представляют собой мощные полупроводниковые устройства, объединяющие преимущества биполярных транзисторов и полевых транзисторов. Эти компоненты обеспечивают высокую эффективность и надежность управления токами и напряжениями, что делает их идеальными для использования в различных силовых и промышленных приложениях.
Применение
Одиночные IGBT транзисторы находят широкое применение в самых разных областях промышленности и электроники.
Основные сферы их применения включают:
- Инверторы: используются для преобразования постоянного тока (DC) в переменный ток (AC) в солнечных энергетических системах, электромобилях и промышленных установках.
- Силовая электроника: применяются в преобразователях частоты, источниках питания и других силовых устройствах для управления напряжением и током.
- Системы управления двигателями: обеспечивают управление скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Электрические транспортные средства: используются в системах управления двигателями и зарядки аккумуляторов для электромобилей и гибридных автомобилей.
- Сварочное оборудование: применяются в устройствах для дуговой сварки и плазменной резки, обеспечивая стабильное управление мощностью.
- Возобновляемая энергетика: используются в установках для преобразования энергии от солнечных панелей и ветровых турбин.
Совместимость
Одиночные IGBT транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут интегрироваться с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и преобразования мощности. Благодаря своей универсальности, одиночные IGBT транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
В современных инженерных проектах отдельные компоненты играют решающую роль в обеспечении стабильной и эффективной работы различных систем. Их уникальные свойства и широкий спектр применения позволяют использовать их в таких областях, как возобновляемая энергетика, транспортные технологии, автоматизация промышленных процессов и бытовая техника. Эти элементы способствуют повышению производительности и надежности оборудования, становясь незаменимыми в реализации сложных технических решений.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК