Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
Всего товаров: 2658
STGD14NC60KT4
- stgd14nc60kt4
- STMicroelectronics
- IGBT N-CHAN 600V 14A DPAK Серия: PowerMESH™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A · Ток коллектора (макс): 25A · Мощность макcимальная: 80Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монта
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STGB6NC60HT4
- stgb6nc60ht4
- STMicroelectronics
- IGBT N-CH 600V 15A D2PAK Серия: PowerMESH™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 3A · Ток коллектора (макс): 15A · Мощность макcимальная: 56Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STGB6NC60HD-1
- stgb6nc60hd.1
- STMicroelectronics
- IGBT N-CH 15A 600V I2PAK Серия: PowerMESH™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 3A · Ток коллектора (макс): 15A · Мощность макcимальная: 56Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпу
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STGB8NC60KDT4
- stgb8nc60kdt4
- STMicroelectronics
- IGBT N-CH 8A 600V D2PAK Серия: PowerMESH™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 3A · Ток коллектора (макс): 15A · Мощность макcимальная: 65Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STGB7NB60HDT4
- stgb7nb60hdt4
- STMicroelectronics
- IGBT N-CHAN 14A 600V D2PAK Серия: PowerMESH™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 7A · Ток коллектора (макс): 14A · Мощность макcимальная: 80Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STGB7NB40LZT4
- stgb7nb40lzt4
- STMicroelectronics
- IGBT N-CH CLAMPED 14A D2PAK Серия: PowerMESH™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 430V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 5V, 14A · Ток коллектора (макс): 14A · Мощность макcимальная: 100Вт · Тип входа: Logic · Тип монтажа: Поверхностный монта
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STGB7NB60KDT4
- stgb7nb60kdt4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CHAN 7A 600V D2PAK Серия: PowerMESH™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 7A · Ток коллектора (макс): 14A · Мощность макcимальная: 80Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный мон
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STGB6NC60HDT4
- stgb6nc60hdt4
- STMicroelectronics
- IGBT N-CH 600V 15A D2PAK Серия: PowerMESH™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 3A · Ток коллектора (макс): 15A · Мощность макcимальная: 56Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STGB7NC60HT4
- stgb7nc60ht4
- ST MICRO
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 600 V Power Bipolar D2PAK Trans
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STGB7NC60HDT4
- stgb7nc60hdt4
- STMicroelectronics
- IGBT N-CHAN 25A 600V D2PAK Серия: PowerMESH™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A · Ток коллектора (макс): 25A · Мощность макcимальная: 80Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STGB3NC120HDT4
- stgb3nc120hdt4
- ST MICRO
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 7A PowerMESH Ultrafast
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STGB3NB60FDT4
- stgb3nb60fdt4
- STMicroelectronics
- IGBT N-CHANNEL 600V 3A D2PAK Серия: PowerMESH™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 3A · Ток коллектора (макс): 6A · Мощность макcимальная: 68Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный мон
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STGB30NC60WT4
- stgb30nc60wt4
- STMicroelectronics
- IGBT UFAST 60A 600V D2PAK Серия: PowerMESH™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A · Ток коллектора (макс): 60A · Мощность макcимальная: 200Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный мон
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STGB30NC60KT4
- stgb30nc60kt4
- STMicroelectronics
- IGBT 30A 600V D2PAK Серия: PowerMESH™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A · Ток коллектора (макс): 60A · Мощность макcимальная: 185W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · К
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STGB3NB60KDT4
- stgb3nb60kdt4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CHAN 6A 600V D2PAK Серия: PowerMESH™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A · Ток коллектора (макс): 10A · Мощность макcимальная: 50Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный мон
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STGB35N35LZ-1
- stgb35n35lz.1
- ST MICRO
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 345V INTERNALLY CLAMPED IGBT
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STGB20NB41LZT4
- stgb20nb41lzt4
- STMicroelectronics
- IGBT N-CHAN 40A CLAMP D2PAK Серия: PowerMESH™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 442V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 4.5V, 20A · Ток коллектора (макс): 40A · Мощность макcимальная: 200Вт · Тип входа: Logic · Тип монтажа: Поверхностный монта
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STGB3NB60SDT4
- stgb3nb60sdt4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CHAN 3A 600V D2PAK Серия: PowerMESH™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 3A · Ток коллектора (макс): 6A · Мощность макcимальная: 70Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STGB35N35LZT4
- stgb35n35lzt4
- STMicroelectronics
- IGBT 380V 40A 176W D2PAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 380V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 4.5V, 15A · Ток коллектора (макс): 40A · Мощность макcимальная: 176W · Тип входа: Logic · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: D²Pak, TO-
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STGB20NC60VT4
- stgb20nc60vt4
- ST MICRO
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 30 A 600V FAST IGBT
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) — одиночные представляют собой мощные полупроводниковые устройства, объединяющие преимущества биполярных транзисторов и полевых транзисторов. Эти компоненты обеспечивают высокую эффективность и надежность управления токами и напряжениями, что делает их идеальными для использования в различных силовых и промышленных приложениях.
Применение
Одиночные IGBT транзисторы находят широкое применение в самых разных областях промышленности и электроники.
Основные сферы их применения включают:
- Инверторы: используются для преобразования постоянного тока (DC) в переменный ток (AC) в солнечных энергетических системах, электромобилях и промышленных установках.
- Силовая электроника: применяются в преобразователях частоты, источниках питания и других силовых устройствах для управления напряжением и током.
- Системы управления двигателями: обеспечивают управление скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Электрические транспортные средства: используются в системах управления двигателями и зарядки аккумуляторов для электромобилей и гибридных автомобилей.
- Сварочное оборудование: применяются в устройствах для дуговой сварки и плазменной резки, обеспечивая стабильное управление мощностью.
- Возобновляемая энергетика: используются в установках для преобразования энергии от солнечных панелей и ветровых турбин.
Совместимость
Одиночные IGBT транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут интегрироваться с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и преобразования мощности. Благодаря своей универсальности, одиночные IGBT транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
В современных инженерных проектах отдельные компоненты играют решающую роль в обеспечении стабильной и эффективной работы различных систем. Их уникальные свойства и широкий спектр применения позволяют использовать их в таких областях, как возобновляемая энергетика, транспортные технологии, автоматизация промышленных процессов и бытовая техника. Эти элементы способствуют повышению производительности и надежности оборудования, становясь незаменимыми в реализации сложных технических решений.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК