Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
Всего товаров: 2658
IXGX40N120BD1
- ixgx40n120bd1
- IXYS
- IGBT 1200V FRD PLUS247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: ISOPLUS247™
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGX40N60BD1
- ixgx40n60bd1
- IXYS
- IGBT 75A 600V PLUS247 Серия: HiPerFAST™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A · Ток коллектора (макс): 75A · Мощность макcимальная: 250Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGX32N170H1
- ixgx32n170h1
- IXYS
- IGBT 1700V 75A FRD PLUS247 Серия: HiPerFAST™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1700V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 32A · Ток коллектора (макс): 75A · Мощность макcимальная: 350Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGX35N120BD1
- ixgx35n120bd1
- IXYS
- IGBT 70A 1200V PLUS247 Серия: HiPerFAST™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 35A · Ток коллектора (макс): 70A · Мощность макcимальная: 350Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корп
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGX32N170AH1
- ixgx32n170ah1
- IXYS
- IGBT 1700V 32A FRD PLUS247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1700V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 5V @ 15V, 21A · Ток коллектора (макс): 32A · Мощность макcимальная: 350Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: PLUS 247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGX400N30A3
- ixgx400n30a3
- IXYS
- IGBT 300V PLUS247 Серия: GenX3™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.15V @ 15V, 100A · Ток коллектора (макс): 400A · Мощность макcимальная: 1000W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: PLU
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGX35N120B
- ixgx35n120b
- IXYS
- IGBT 70A 1200V PLUS247 Серия: HiPerFAST™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 35A · Ток коллектора (макс): 70A · Мощность макcимальная: 350Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корп
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGX120N60C2
- ixgx120n60c2
- Ixys
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) G-SERIES "C" HI-FREQ SINGLE IGBT 600V 75A
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGX320N60A3
- ixgx320n60a3
- IXYS
- IGBT 600V PLUS247 Серия: GenX3™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 15V, 100A · Ток коллектора (макс): 320A · Мощность макcимальная: 1000W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: PLU
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGX12N90C
- ixgx12n90c
- IXYS
- IGBT 24A 900V PLUS247 Серия: HiPerFAST™, Lightspeed 2™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 900V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 12A · Ток коллектора (макс): 24A · Мощность макcимальная: 100Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGX120N60A3
- ixgx120n60a3
- IXYS
- IGBT 200A 600V PLUS247 Серия: GenX3™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 100A · Ток коллектора (макс): 200A · Мощность макcимальная: 780W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGX120N60B3
- ixgx120n60b3
- IXYS
- IGBT 75A 600V PLUS247 Серия: GenX3™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 100A · Ток коллектора (макс): 75A · Мощность макcимальная: 780W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: PL
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGX120N120A3
- ixgx120n120a3
- IXYS
- IGBT PT 1200V 120A PLUS247 Серия: GenX3™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A · Ток коллектора (макс): 240A · Мощность макcимальная: 830W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Кор
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGT60N60C3D1
- ixgt60n60c3d1
- IXYS
- IGBT 75A 600V TO-268 Серия: GenX3™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A · Ток коллектора (макс): 75A · Мощность макcимальная: 380W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корп
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGT60N60C2
- ixgt60n60c2
- IXYS
- IGBT 600V 75A TO-268 Серия: HiPerFAST™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 75A · Мощность макcимальная: 480W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGT50N90B2D1
- ixgt50n90b2d1
- IXYS
- IGBT 900V 75A FRD TO-268 Серия: HiPerFAST™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 900V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 75A · Мощность макcимальная: 400Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGX100N160A
- ixgx100n160a
- Ixys
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 75Amps 600V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGX100N170
- ixgx100n170
- Ixys
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HIGH VOLT NPT IGBTS 1700V 100A
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGT6N170
- ixgt6n170
- IXYS
- IGBT NPT 1700V 12A TO-268 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1700V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 6A · Ток коллектора (макс): 12A · Мощность макcимальная: 75Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TO-268
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGT60N60B2
- ixgt60n60b2
- IXYS
- IGBT 600V 75A TO-268 Серия: HiPerFAST™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 75A · Мощность макcимальная: 500W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) — одиночные представляют собой мощные полупроводниковые устройства, объединяющие преимущества биполярных транзисторов и полевых транзисторов. Эти компоненты обеспечивают высокую эффективность и надежность управления токами и напряжениями, что делает их идеальными для использования в различных силовых и промышленных приложениях.
Применение
Одиночные IGBT транзисторы находят широкое применение в самых разных областях промышленности и электроники.
Основные сферы их применения включают:
- Инверторы: используются для преобразования постоянного тока (DC) в переменный ток (AC) в солнечных энергетических системах, электромобилях и промышленных установках.
- Силовая электроника: применяются в преобразователях частоты, источниках питания и других силовых устройствах для управления напряжением и током.
- Системы управления двигателями: обеспечивают управление скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Электрические транспортные средства: используются в системах управления двигателями и зарядки аккумуляторов для электромобилей и гибридных автомобилей.
- Сварочное оборудование: применяются в устройствах для дуговой сварки и плазменной резки, обеспечивая стабильное управление мощностью.
- Возобновляемая энергетика: используются в установках для преобразования энергии от солнечных панелей и ветровых турбин.
Совместимость
Одиночные IGBT транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут интегрироваться с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и преобразования мощности. Благодаря своей универсальности, одиночные IGBT транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
В современных инженерных проектах отдельные компоненты играют решающую роль в обеспечении стабильной и эффективной работы различных систем. Их уникальные свойства и широкий спектр применения позволяют использовать их в таких областях, как возобновляемая энергетика, транспортные технологии, автоматизация промышленных процессов и бытовая техника. Эти элементы способствуют повышению производительности и надежности оборудования, становясь незаменимыми в реализации сложных технических решений.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК