Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
Всего товаров: 2658
IXGT20N120B
- ixgt20n120b
- IXYS
- IGBT 1200V 40A TO-268 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A · Ток коллектора (макс): 40A · Мощность макcимальная: 190Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TO-268
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGT20N100
- ixgt20n100
- IXYS
- IGBT 1000V 40A TO-268 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1000V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A · Ток коллектора (макс): 40A · Мощность макcимальная: 150Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TO-268
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGT16N170
- ixgt16n170
- IXYS
- IGBT NPT 1700V 32A TO-268 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1700V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 16A · Ток коллектора (макс): 32A · Мощность макcимальная: 190Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TO-26
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGT16N170A
- ixgt16n170a
- IXYS
- IGBT NPT 1700V 16A TO-268 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1700V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 5V @ 15V, 11A · Ток коллектора (макс): 16A · Мощность макcимальная: 190Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TO-268
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGT20N120BD1
- ixgt20n120bd1
- IXYS
- IGBT 1200V FRD TO-268 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A · Ток коллектора (макс): 40A · Мощность макcимальная: 190Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TO-268
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGT16N170AH1
- ixgt16n170ah1
- IXYS
- IGBT NPT 1700V 16A TO-268 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1700V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 5V @ 15V, 11A · Ток коллектора (макс): 16A · Мощность макcимальная: 190Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TO-268
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGT15N120CD1
- ixgt15n120cd1
- IXYS
- IGBT 30A 1200V TO-268 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 15A · Ток коллектора (макс): 30A · Мощность макcимальная: 150Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TO-268
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGT15N120B
- ixgt15n120b
- IXYS
- IGBT 30A 1200V TO-268 Серия: HiPerFAST™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 15A · Ток коллектора (макс): 30A · Мощность макcимальная: 180W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGT15N120BD1
- ixgt15n120bd1
- IXYS
- IGBT 30A 1200V TO-268 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 15A · Ток коллектора (макс): 30A · Мощность макcимальная: 150Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TO-268
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGT10N170A
- ixgt10n170a
- IXYS
- IGBT NPT 1700V 10A TO-268 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1700V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 5A · Ток коллектора (макс): 10A · Мощность макcимальная: 140Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TO-268
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGR72N60C3D1
- ixgr72n60c3d1
- IXYS
- IGBT 75A 600V ISOPLUS247 Серия: GenX3™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 75A · Мощность макcимальная: 200Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGT12N120A2D1
- ixgt12n120a2d1
- IXYS
- IGBT NPT 1200V FRD TO-268 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TO-268
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGR60N60C3D1
- ixgr60n60c3d1
- IXYS
- IGBT 75A 600V ISOPLUS247 Серия: GenX3™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A · Ток коллектора (макс): 75A · Мощность макcимальная: 170Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGT10N170
- ixgt10n170
- IXYS
- IGBT NPT 1700V 20A TO-268 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1700V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 10A · Ток коллектора (макс): 20A · Мощность макcимальная: 110Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TO-268
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGR80N60B
- ixgr80n60b
- IXYS
- IGBT 600V ISOPLUS247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: ISOPLUS247™
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGR60N60U1
- ixgr60n60u1
- IXYS
- IGBT 75A 600V ISOPLUS247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 60A · Ток коллектора (макс): 75A · Мощность макcимальная: 300Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: ISOPLUS247™
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGR60N60C3C1
- ixgr60n60c3c1
- IXYS
- IGBT C3 30A 600V ISOPLUS247 Серия: GenX3™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A · Ток коллектора (макс): 75A · Мощность макcимальная: 170Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корп
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGR60N60C2D1
- ixgr60n60c2d1
- IXYS
- IGBT 600V 75A FRD ISOPLUS247 Серия: HiPerFAST™, Lightspeed 2™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 75A · Мощность макcимальная: 250Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGR60N60C2
- ixgr60n60c2
- IXYS
- IGBT 600V 75A ISOPLUS247 Серия: HiPerFAST™, Lightspeed 2™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 75A · Мощность макcимальная: 250Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Thr
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGR60N60B2D1
- ixgr60n60b2d1
- IXYS
- IGBT 600V 75A FRD ISOPLUS247 Серия: HiPerFAST™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 75A · Мощность макcимальная: 250Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · К
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) — одиночные представляют собой мощные полупроводниковые устройства, объединяющие преимущества биполярных транзисторов и полевых транзисторов. Эти компоненты обеспечивают высокую эффективность и надежность управления токами и напряжениями, что делает их идеальными для использования в различных силовых и промышленных приложениях.
Применение
Одиночные IGBT транзисторы находят широкое применение в самых разных областях промышленности и электроники.
Основные сферы их применения включают:
- Инверторы: используются для преобразования постоянного тока (DC) в переменный ток (AC) в солнечных энергетических системах, электромобилях и промышленных установках.
- Силовая электроника: применяются в преобразователях частоты, источниках питания и других силовых устройствах для управления напряжением и током.
- Системы управления двигателями: обеспечивают управление скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Электрические транспортные средства: используются в системах управления двигателями и зарядки аккумуляторов для электромобилей и гибридных автомобилей.
- Сварочное оборудование: применяются в устройствах для дуговой сварки и плазменной резки, обеспечивая стабильное управление мощностью.
- Возобновляемая энергетика: используются в установках для преобразования энергии от солнечных панелей и ветровых турбин.
Совместимость
Одиночные IGBT транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут интегрироваться с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и преобразования мощности. Благодаря своей универсальности, одиночные IGBT транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
В современных инженерных проектах отдельные компоненты играют решающую роль в обеспечении стабильной и эффективной работы различных систем. Их уникальные свойства и широкий спектр применения позволяют использовать их в таких областях, как возобновляемая энергетика, транспортные технологии, автоматизация промышленных процессов и бытовая техника. Эти элементы способствуют повышению производительности и надежности оборудования, становясь незаменимыми в реализации сложных технических решений.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК