Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
Всего товаров: 2658
IXGH12N100
- ixgh12n100
- IXYS
- IGBT 24A 1000V TO-247AD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1000V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 12A · Ток коллектора (макс): 24A · Мощность макcимальная: 100Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247AD
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGH120N30B3
- ixgh120n30b3
- IXYS
- IGBT 300V 120A TO-247 Серия: GenX3™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 120A · Ток коллектора (макс): 75A · Мощность макcимальная: 540W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGH12N60B
- ixgh12n60b
- IXYS
- IGBT 24A 600V TO-247AD Серия: HiPerFAST™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A · Ток коллектора (макс): 24A · Мощность макcимальная: 100Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпу
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGH120N30C3
- ixgh120n30c3
- IXYS
- IGBT 300V 120A TO-247 Серия: GenX3™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 120A · Ток коллектора (макс): 75A · Мощность макcимальная: 540W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGH10N170A
- ixgh10n170a
- IXYS
- IGBT 1700V 10A TO-247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1700V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 5A · Ток коллектора (макс): 10A · Мощность макcимальная: 140Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247AD
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGH10N300
- ixgh10n300
- Ixys
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Very High Voltage NPT IGBT- 3000V VCES
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGH10N170
- ixgh10n170
- IXYS
- IGBT 1700V 20A TO-247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1700V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 10A · Ток коллектора (макс): 20A · Мощность макcимальная: 110Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247AD
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGH100N30C3
- ixgh100n30c3
- IXYS
- IGBT HI SPEED 300V 100A TO-247 Серия: GenX3™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 100A · Ток коллектора (макс): 75A · Мощность макcимальная: 460W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGF32N170
- ixgf32n170
- IXYS
- IGBT 1700V 26A ISOPLUS I4-PAC Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1700V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 32A · Ток коллектора (макс): 44A · Мощность макcимальная: 200Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: ISOPLUS i
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGF30N400
- ixgf30n400
- Ixys
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) I4-Pak
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGC16N60C2D1
- ixgc16n60c2d1
- IXYS
- IGBT FAST B2 600V 20A ISOPLUS220 Серия: HiPerFAST™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 12A · Ток коллектора (макс): 20A · Мощность макcимальная: 63Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGF25N250
- ixgf25n250
- Ixys
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) I4-Pak
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGC12N60C
- ixgc12n60c
- IXYS
- IGBT 600V ISOPLUS220 Серия: HiPerFAST™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A · Ток коллектора (макс): 15A · Мощность макcимальная: 85Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGC16N60C2
- ixgc16n60c2
- IXYS
- IGBT FAST B2 600V 20A ISOPLUS220 Серия: HiPerFAST™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 12A · Ток коллектора (макс): 20A · Мощность макcимальная: 63Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGC16N60B2
- ixgc16n60b2
- IXYS
- IGBT FAST B2 600V 28A ISOPLUS220 Серия: HiPerFAST™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 12A · Ток коллектора (макс): 28A · Мощность макcимальная: 63Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGC16N60B2D1
- ixgc16n60b2d1
- IXYS
- IGBT FAST B2 600V 28A ISOPLUS220 Серия: HiPerFAST™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 12A · Ток коллектора (макс): 28A · Мощность макcимальная: 63Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGC12N60CD1
- ixgc12n60cd1
- IXYS
- IGBT 600V ISOPLUS220 Серия: HiPerFAST™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A · Ток коллектора (макс): 15A · Мощность макcимальная: 85Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGB75N60BD1
- ixgb75n60bd1
- IXYS
- IGBT 120A 600V PLUS264 Серия: HiPerFAST™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A · Ток коллектора (макс): 120A · Мощность макcимальная: 360W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпу
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGB200N60B3
- ixgb200n60b3
- IXYS
- MOSFET N-CH PLUS264 Серия: GenX3™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 100A · Ток коллектора (макс): 75A · Мощность макcимальная: 1250W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: ISO
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXGA90N33TC
- ixga90n33tc
- IXYS
- IGBT 330V TO-3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 330V · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-3P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) — одиночные представляют собой мощные полупроводниковые устройства, объединяющие преимущества биполярных транзисторов и полевых транзисторов. Эти компоненты обеспечивают высокую эффективность и надежность управления токами и напряжениями, что делает их идеальными для использования в различных силовых и промышленных приложениях.
Применение
Одиночные IGBT транзисторы находят широкое применение в самых разных областях промышленности и электроники.
Основные сферы их применения включают:
- Инверторы: используются для преобразования постоянного тока (DC) в переменный ток (AC) в солнечных энергетических системах, электромобилях и промышленных установках.
- Силовая электроника: применяются в преобразователях частоты, источниках питания и других силовых устройствах для управления напряжением и током.
- Системы управления двигателями: обеспечивают управление скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Электрические транспортные средства: используются в системах управления двигателями и зарядки аккумуляторов для электромобилей и гибридных автомобилей.
- Сварочное оборудование: применяются в устройствах для дуговой сварки и плазменной резки, обеспечивая стабильное управление мощностью.
- Возобновляемая энергетика: используются в установках для преобразования энергии от солнечных панелей и ветровых турбин.
Совместимость
Одиночные IGBT транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут интегрироваться с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и преобразования мощности. Благодаря своей универсальности, одиночные IGBT транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
В современных инженерных проектах отдельные компоненты играют решающую роль в обеспечении стабильной и эффективной работы различных систем. Их уникальные свойства и широкий спектр применения позволяют использовать их в таких областях, как возобновляемая энергетика, транспортные технологии, автоматизация промышленных процессов и бытовая техника. Эти элементы способствуют повышению производительности и надежности оборудования, становясь незаменимыми в реализации сложных технических решений.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК