Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
Всего товаров: 2658
IRGP30B120KDPBF
- irgp30b120kdpbf
- International Rectifier
- IGBT 1200V 60A W/DIODE TO-247AC Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 60A · Ток коллектора (макс): 60A · Мощность макcимальная: 300Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247AD
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRGP30B120KD-EP
- irgp30b120kd.ep
- International Rectifier
- IGBT W/DIODE 1200V 60A TO247AD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 60A · Ток коллектора (макс): 60A · Мощность макcимальная: 300Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247-3 (
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRGP30B60KD-EP
- irgp30b60kd.ep
- International Rectifier
- IGBT W/DIODE 600V 60A TO247AD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 30A · Ток коллектора (макс): 60A · Мощность макcимальная: 304W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247-3 (
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRGP20B60PDPBF
- irgp20b60pdpbf
- International Rectifier, IR
- IGBT HS W/DIODE 600V 40A TO247AC Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A · Ток коллектора (макс): 40A · Мощность макcимальная: 220Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247-
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRGP20B120U-EP
- irgp20b120u.ep
- International Rectifier
- IGBT ULT FAST 1200V 40A TO247AD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.85V @ 15V, 40A · Ток коллектора (макс): 40A · Мощность макcимальная: 300Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRGP20B120UD-EP
- irgp20b120ud.ep
- International Rectifier
- IGBT W/DIODE 1200V 40A TO247AD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.85V @ 15V, 40A · Ток коллектора (макс): 40A · Мощность макcимальная: 300Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-247-
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRGIB7B60KDPBF
- irgib7b60kdpbf
- International Rectifier
- IGBT ULTRA FAST 600V 12A TO220FP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 8A · Ток коллектора (макс): 12A · Мощность макcимальная: 39Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRGIB6B60KDPBF
- irgib6b60kdpbf
- International Rectifier
- IGBT ULTRA FAST 600V 11A TO220FP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 5A · Ток коллектора (макс): 11A · Мощность макcимальная: 38Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRGIB6B60KD116P
- irgib6b60kd116p
- International Rectifier
- IGBT UFAST 600V 11A TO-220FP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 5A · Ток коллектора (макс): 11A · Мощность макcимальная: 38Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 Full
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRGIB15B60KD1P
- irgib15b60kd1p
- International Rectifier
- IGBT ULT FAST DIO 600V TO-220FP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A · Ток коллектора (макс): 19A · Мощность макcимальная: 52Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRGIB10B60KD1P
- irgib10b60kd1p
- International Rectifier
- IGBT W/DIODE 600V 16A TO220FP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A · Ток коллектора (макс): 16A · Мощность макcимальная: 44W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 Ful
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRGI4090PBF
- irgi4090pbf
- International Rectifier
- IGBT 300V 21A W/DIO TO-220AB FP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.94V @ 15V, 30A · Ток коллектора (макс): 21A · Мощность макcимальная: 34Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220FP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRGI4085-111PBF
- irgi4085.111pbf
- International Rectifier
- IGBT PDP TRENCH 330V TO-220AB FP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 330V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 28V, 15A · Ток коллектора (макс): 28A · Мощность макcимальная: 38Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRGI4086PBF
- irgi4086pbf
- INTERNATIONAL RECTIFIER
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 300V Plasma Display Panel
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRGB8B60KPBF
- irgb8b60kpbf
- International Rectifier
- IGBT ULTRA FAST 600V 28A TO220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 8A · Ток коллектора (макс): 28A · Мощность макcимальная: 167W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRGB6B60KPBF
- irgb6b60kpbf
- International Rectifier
- IGBT ULTRA FAST 600V 13A TO220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 5A · Ток коллектора (макс): 13A · Мощность макcимальная: 90Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRGB6B60KDPBF
- irgb6b60kdpbf
- International Rectifier
- IGBT W/DIODE 600V 13A TO220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 5A · Ток коллектора (макс): 13A · Мощность макcимальная: 90Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (St
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRGB5B120KDPBF
- irgb5b120kdpbf
- International Rectifier
- IGBT W/DIODE 1200V 12A TO220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 6A · Ток коллектора (макс): 12A · Мощность макcимальная: 89W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (Str
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRGB4B60KD1PBF
- irgb4b60kd1pbf
- International Rectifier
- IGBT W/DIODE 600V 11A TO220AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A · Ток коллектора (макс): 11A · Мощность макcимальная: 63Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (St
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRGB4B60KPBF
- irgb4b60kpbf
- International Rectifier
- IGBT ULTRA FASAT 600V 12A TO220A Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A · Ток коллектора (макс): 12A · Мощность макcимальная: 63Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) — одиночные представляют собой мощные полупроводниковые устройства, объединяющие преимущества биполярных транзисторов и полевых транзисторов. Эти компоненты обеспечивают высокую эффективность и надежность управления токами и напряжениями, что делает их идеальными для использования в различных силовых и промышленных приложениях.
Применение
Одиночные IGBT транзисторы находят широкое применение в самых разных областях промышленности и электроники.
Основные сферы их применения включают:
- Инверторы: используются для преобразования постоянного тока (DC) в переменный ток (AC) в солнечных энергетических системах, электромобилях и промышленных установках.
- Силовая электроника: применяются в преобразователях частоты, источниках питания и других силовых устройствах для управления напряжением и током.
- Системы управления двигателями: обеспечивают управление скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Электрические транспортные средства: используются в системах управления двигателями и зарядки аккумуляторов для электромобилей и гибридных автомобилей.
- Сварочное оборудование: применяются в устройствах для дуговой сварки и плазменной резки, обеспечивая стабильное управление мощностью.
- Возобновляемая энергетика: используются в установках для преобразования энергии от солнечных панелей и ветровых турбин.
Совместимость
Одиночные IGBT транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут интегрироваться с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и преобразования мощности. Благодаря своей универсальности, одиночные IGBT транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
В современных инженерных проектах отдельные компоненты играют решающую роль в обеспечении стабильной и эффективной работы различных систем. Их уникальные свойства и широкий спектр применения позволяют использовать их в таких областях, как возобновляемая энергетика, транспортные технологии, автоматизация промышленных процессов и бытовая техника. Эти элементы способствуют повышению производительности и надежности оборудования, становясь незаменимыми в реализации сложных технических решений.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК