Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением

Всего товаров: 1422

UMH2NTN

  • umh2ntn
  • Rohm Semiconductor
  • TRANS DUAL NPN 50V 30MA SOT-363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

UMH11N-TP

  • umh11n.tp
  • Micro Commercial Components (MCC)
  • Transistors Switching (Resistor Biased) 10KOhms 250MHz

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

UMH1N-TP

  • umh1n.tp
  • Micro Commercial Components (MCC)
  • Transistors Switching (Resistor Biased) 22KOhms 250MHz

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

UMG4N-7

  • umg4n.7
  • Diodes Inc
  • TRANS ARRAY DUAL SOT-353 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 10

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

UMF8NTR

  • umf8ntr
  • ROHM Semiconductor
  • Transistors Switching (Resistor Biased) COMPLEX BIOPLAR NPN+DTR

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

UMF23NTR

  • umf23ntr
  • ROHM Semiconductor
  • Transistors Switching (Resistor Biased) COMPLEX BIOPLAR PNP+DTR

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

UMF24NTR

  • umf24ntr
  • ROHM Semiconductor
  • Transistors Switching (Resistor Biased) COMPLEX BIOPLAR NPN+DTR

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

UMF28NTR

  • umf28ntr
  • ROHM Semiconductor
  • Transistors Switching (Resistor Biased) COMPLEX BIOPLAR PNP+DTR

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

UMD5NTR

  • umd5ntr
  • ROHM Semiconductor
  • Transistors Switching (Resistor Biased) DUAL PNP/NPN

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

UMD4NTR

  • umd4ntr
  • ROHM Semiconductor
  • Transistors Switching (Resistor Biased) DUAL PNP/NPN

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

UMD22NTR

  • umd22ntr
  • ROHM Semiconductor
  • Transistors Switching (Resistor Biased) DUAL DIGITAL SMT PNP/NPN

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

UMD12NTR

  • umd12ntr
  • Rohm Semiconductor
  • TRANS PNP/NPN 50V 30MA SOT-363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

UMC5NTR

  • umc5ntr
  • ROHM Semiconductor
  • Transistors Switching (Resistor Biased) DUAL DIG SMT PNP/NPN

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

UMC5N-7

  • umc5n.7
  • Diodes Inc
  • TRANS ARRAY DUAL 100MA SOT-353 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V · Напряжение насыщения

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

UMC2NT1G

  • umc2nt1g
  • ON Semiconductor
  • TRANS BRT NPN/PNP DUAL SOT-353 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 22K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

UMC4N-7

  • umc4n.7
  • Diodes Inc
  • TRANS ARRAY DUAL 100MA SOT-353 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K, 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K, 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V · Напряжение

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

UMC3NT1G

  • umc3nt1g
  • ON Semiconductor
  • TRANS BRT NPN/PNP DUAL SOT-353 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

UMC2NT1

  • umc2nt1
  • ON Semiconductor
  • TRANS BRT NPN/PNP DUAL SOT-353 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 22K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

UMB6NTR

  • umb6ntr
  • ROHM Semiconductor
  • Transistors Switching (Resistor Biased) DUAL PNP/PNP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

UMB2NTN

  • umb2ntn
  • Rohm Semiconductor
  • TRANS DUAL PNP 50V 30MA SOT-363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Биполярные транзисторы в сборках с предварительным смещением представляют собой интегрированные устройства, содержащие несколько биполярных транзисторов с встроенными элементами смещения в одном корпусе.

Сборки предназначены для упрощения схемотехники, повышения надежности и снижения числа внешних компонентов. Биполярные транзисторы с предварительным смещением широко применяются для усиления и управления сигналами в различных электронных устройствах.

Применение

Биполярные транзисторы в сборках с предварительным смещением находят применение в самых различных областях электроники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в аудио-усилителях, радиопередатчиках и других устройствах, требующих точного и стабильного усиления сигналов.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Стабилизаторы напряжения: входят в состав стабилизаторов напряжения для обеспечения постоянного уровня напряжения в различных устройствах.
  • Преобразователи сигналов: используются в схемах преобразования аналоговых сигналов в цифровые и наоборот.
  • Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
  • Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
  • Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспечения точности и надежности работы.

Биполярные транзисторы с предварительным смещением в сборках являются важными элементами для специалистов, занимающихся разработкой и созданием электронных устройств. Эти компоненты обеспечивают стабильное и точное управление электрическими сигналами в различных системах. Благодаря своим отличным характеристикам, они находят широкое применение в самых разных отраслях.

Эти сборки помогают повысить эффективность работы транзисторов, обеспечивая быстрые и надежные переключения. Их компактный дизайн и простота интеграции делают их удобными для использования в сложных электронных схемах. Высокая надежность и долговечность этих компонентов обеспечивают стабильную работу устройств даже в самых сложных условиях эксплуатации.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь