Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
Всего товаров: 1422
UMA5NTR
- uma5ntr
- Rohm Semiconductor
- TRANS DUAL PNP 50V 100MA SOT-353 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib,
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
UMA3NTR
- uma3ntr
- Rohm Semiconductor
- TRANS DUAL PNP 50V 100MA SOT-353 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA · Ток коллектора
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
UMA7NTR
- uma7ntr
- Rohm Semiconductor
- TRANS DUAL PNP 50V 100MA SOT-353 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib,
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
UMA1NTR
- uma1ntr
- Rohm Semiconductor
- TRANS DUAL PNP 50V 100MA SOT-353 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 22K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
UMA11NTR
- uma11ntr
- Rohm Semiconductor
- TRANS DUAL PNP 50V 100MA SOT-353 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib,
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
UMA10NTR
- uma10ntr
- Rohm Semiconductor
- TRANS DUAL PNP 50V 100MA SOT-353 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 1K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SMUN5335DW1T2G
- smun5335dw1t2g
- ON Semiconductor
- Transistors Switching (Resistor Biased) SS BR XSTR DL SPCL
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SMUN5330DW1T1G
- smun5330dw1t1g
- ON Semiconductor
- Transistors Switching (Resistor Biased) SS BR XSTR NPN 50V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SMUN5311DW1T1G
- smun5311dw1t1g
- ON Semiconductor
- Transistors Switching (Resistor Biased) SS BR XSTR DUAL 50V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SMUN5311DW1T2G
- smun5311dw1t2g
- ON Semiconductor
- Transistors Switching (Resistor Biased) SS BR XSTR DUAL 50V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SMUN5235DW1T1G
- smun5235dw1t1g
- ON Semiconductor
- Transistors Switching (Resistor Biased) LESHANBE SS BR XSTR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SMUN5237DW1T1G
- smun5237dw1t1g
- ON Semiconductor
- Transistors Switching (Resistor Biased) SS BR XSTR NPN 50V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SMUN5214DW1T1G
- smun5214dw1t1g
- ON Semiconductor
- Transistors Switching (Resistor Biased) SS BR XSTR NPN 50V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SMUN5116DW1T1G
- smun5116dw1t1g
- ON Semiconductor
- Transistors Switching (Resistor Biased) SS BR XSTR PNP 50V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RN4991(T5L,F,T)
- rn4991.t5l.f.t
- Toshiba
- Transistors Switching (Resistor Biased) 100mA 50volts 6Pin 10Kohms
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RN4990(T5L,F,T)
- rn4990.t5l.f.t
- Toshiba
- Transistors Switching (Resistor Biased) 100mA 50volts 6Pin 4.7Kohms
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RN4988(T5L,F,T)
- rn4988.t5l.f.t
- Toshiba
- Transistors Switching (Resistor Biased) 100mA 50volts 6Pin 22K x 47Kohms
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RN4986(T5L,F,T)
- rn4986.t5l.f.t
- Toshiba
- Transistors Switching (Resistor Biased) 100mA 50volts 6Pin 4.7K x 47Kohms
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RN4989(T5L,F,T)
- rn4989.t5l.f.t
- Toshiba
- Transistors Switching (Resistor Biased) 100mA 50volts 6Pin 47K x 22Kohms
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RN4984(T5L,F,T)
- rn4984.t5l.f.t
- Toshiba
- Transistors Switching (Resistor Biased) 100mA 50volts 6Pin 47Kohms
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы в сборках с предварительным смещением представляют собой интегрированные устройства, содержащие несколько биполярных транзисторов с встроенными элементами смещения в одном корпусе.
Сборки предназначены для упрощения схемотехники, повышения надежности и снижения числа внешних компонентов. Биполярные транзисторы с предварительным смещением широко применяются для усиления и управления сигналами в различных электронных устройствах.
Применение
Биполярные транзисторы в сборках с предварительным смещением находят применение в самых различных областях электроники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в аудио-усилителях, радиопередатчиках и других устройствах, требующих точного и стабильного усиления сигналов.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Стабилизаторы напряжения: входят в состав стабилизаторов напряжения для обеспечения постоянного уровня напряжения в различных устройствах.
- Преобразователи сигналов: используются в схемах преобразования аналоговых сигналов в цифровые и наоборот.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспечения точности и надежности работы.
Биполярные транзисторы с предварительным смещением в сборках являются важными элементами для специалистов, занимающихся разработкой и созданием электронных устройств. Эти компоненты обеспечивают стабильное и точное управление электрическими сигналами в различных системах. Благодаря своим отличным характеристикам, они находят широкое применение в самых разных отраслях.
Эти сборки помогают повысить эффективность работы транзисторов, обеспечивая быстрые и надежные переключения. Их компактный дизайн и простота интеграции делают их удобными для использования в сложных электронных схемах. Высокая надежность и долговечность этих компонентов обеспечивают стабильную работу устройств даже в самых сложных условиях эксплуатации.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК