Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением

Всего товаров: 1422

PBLS2021D,115

  • pbls2021d.115
  • NXP Semiconductors
  • LOADSWITCH PNP 20V 1.8A SC-74 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20V, 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 2.2K · Тип транзистора: 1 NPN Prebiased, 1 PNP · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SC-74-6

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

PBLS2022D,115

  • pbls2022d.115
  • NXP Semiconductors
  • LOADSWITCH PNP 20V 1.8A SC-74 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20V, 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 4.7K · Тип транзистора: 1 NPN Prebiased, 1 PNP · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SC-74-6

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

PBLS2023D,115

  • pbls2023d.115
  • NXP Semiconductors
  • Transistors Switching (Resistor Biased) 20V/1.6A LOADSWITCH IN SOT457

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

PBLS2003S,115

  • pbls2003s.115
  • NXP Semiconductors
  • LOADSWITCH PNP 20V 3A 8-SOIC Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20V, 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V / 30 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщени

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

PBLS2004D,115

  • pbls2004d.115
  • NXP Semiconductors
  • LOADSWITCH PNP 20V 1A SOT457 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20V, 50V · Сопротивление базы (Ом): 22K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 100mA, 2V / 60 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщ

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

PBLS2003D,115

  • pbls2003d.115
  • NXP Semiconductors
  • LOADSWITCH PNP 20V 1A SOT457 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20V, 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 100mA, 2V / 30 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщ

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

PBLS2002S,115

  • pbls2002s.115
  • NXP Semiconductors
  • LOADSWITCH PNP 20V 3A 8-SOIC Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20V, 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 4.7K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 500µA, 2V / 30 @ 10mA, 5V · Напряжение на

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

PBLS2001S,115

  • pbls2001s.115
  • NXP Semiconductors
  • LOADSWITCH PNP 20V 3A 8-SOIC Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20V, 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 2.2K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 2 / 30 @ 20mA, 5V · Напряжение насыщен

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

PBLS2002D,115

  • pbls2002d.115
  • NXP Semiconductors
  • LOADSWITCH PNP 20V 1A SOT457 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20V, 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 4.7K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 100mA, 2V / 30 @ 10mA, 5V · Напряжение на

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

PBLS2001D,115

  • pbls2001d.115
  • NXP Semiconductors
  • LOADSWITCH PNP 20V 1A SOT457 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20V, 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 2.2K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 100mA, 2V / 30 @ 20mA, 5V · Напряжение на

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

PBLS1504Y,115

  • pbls1504y.115
  • NXP Semiconductors
  • LOADSWITCH PNP 15V 500MA SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V, 50V · Сопротивление базы (Ом): 22K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V / 60 @ 5mA, 5V · Напряжение нас

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

PBLS1504V,115

  • pbls1504v.115
  • NXP Semiconductors
  • LOADSWITCH PNP 15V 500MA SOT666 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V, 50V · Сопротивление базы (Ом): 22K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V / 60 @ 5mA, 5V · Напряжение нас

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

PBLS1503Y,115

  • pbls1503y.115
  • NXP Semiconductors
  • LOADSWITCH PNP 15V 500MA SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V, 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V / 30 @ 5mA, 5V · Напряжение нас

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

PBLS1503V,115

  • pbls1503v.115
  • NXP Semiconductors
  • LOADSWITCH PNP 15V 500MA SOT666 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V, 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V / 30 @ 5mA, 5V · Напряжение нас

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

PBLS1502Y,115

  • pbls1502y.115
  • NXP Semiconductors
  • LOADSWITCH PNP 15V 500MA SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V, 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 4.7K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30, 200 @ 10mA, 5V · Напряжение насыщения (M

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

PBLS1502V,115

  • pbls1502v.115
  • NXP Semiconductors
  • LOADSWITCH PNP 15V 500MA SOT666 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V, 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 4.7K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V / 30 @ 10mA, 5V · Напряжение

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

PBLS1501V,115

  • pbls1501v.115
  • NXP Semiconductors
  • LOADSWITCH PNP 15V 500MA SOT666 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V, 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 2.2K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V / 30 @ 20mA, 5V · Напряжение

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

PBLS1501Y,115

  • pbls1501y.115
  • NXP Semiconductors
  • LOADSWITCH PNP 15V 500MA SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V, 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 2.2K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V / 30 @ 20mA, 5V · Напряжение

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NUS2401SNT1

  • nus2401snt1
  • ON Semiconductor
  • TRANS BRT ARRAY PNP/NPN 50V SC74 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 175, 175, 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 1K · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA / 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллек

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NUS2401SNT1G

  • nus2401snt1g
  • ON Semiconductor
  • TRANS BRT PNP/NPN ARRAY 50V SC74 Тип транзистора: 2 NPN Base-Collector Biased, 1 PNP Pre-Biased · Номинальное напряжение: 50V · Номинал тока: 200mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-74-6

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Биполярные транзисторы в сборках с предварительным смещением представляют собой интегрированные устройства, содержащие несколько биполярных транзисторов с встроенными элементами смещения в одном корпусе.

Сборки предназначены для упрощения схемотехники, повышения надежности и снижения числа внешних компонентов. Биполярные транзисторы с предварительным смещением широко применяются для усиления и управления сигналами в различных электронных устройствах.

Применение

Биполярные транзисторы в сборках с предварительным смещением находят применение в самых различных областях электроники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в аудио-усилителях, радиопередатчиках и других устройствах, требующих точного и стабильного усиления сигналов.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Стабилизаторы напряжения: входят в состав стабилизаторов напряжения для обеспечения постоянного уровня напряжения в различных устройствах.
  • Преобразователи сигналов: используются в схемах преобразования аналоговых сигналов в цифровые и наоборот.
  • Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
  • Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
  • Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспечения точности и надежности работы.

Биполярные транзисторы с предварительным смещением в сборках являются важными элементами для специалистов, занимающихся разработкой и созданием электронных устройств. Эти компоненты обеспечивают стабильное и точное управление электрическими сигналами в различных системах. Благодаря своим отличным характеристикам, они находят широкое применение в самых разных отраслях.

Эти сборки помогают повысить эффективность работы транзисторов, обеспечивая быстрые и надежные переключения. Их компактный дизайн и простота интеграции делают их удобными для использования в сложных электронных схемах. Высокая надежность и долговечность этих компонентов обеспечивают стабильную работу устройств даже в самых сложных условиях эксплуатации.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь