Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
Всего товаров: 1422
PBLS2021D,115
- pbls2021d.115
- NXP Semiconductors
- LOADSWITCH PNP 20V 1.8A SC-74 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20V, 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 2.2K · Тип транзистора: 1 NPN Prebiased, 1 PNP · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SC-74-6
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1PBLS2022D,115
- pbls2022d.115
- NXP Semiconductors
- LOADSWITCH PNP 20V 1.8A SC-74 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20V, 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 4.7K · Тип транзистора: 1 NPN Prebiased, 1 PNP · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SC-74-6
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1PBLS2023D,115
- pbls2023d.115
- NXP Semiconductors
- Transistors Switching (Resistor Biased) 20V/1.6A LOADSWITCH IN SOT457
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1PBLS2003S,115
- pbls2003s.115
- NXP Semiconductors
- LOADSWITCH PNP 20V 3A 8-SOIC Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20V, 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V / 30 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщени
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1PBLS2004D,115
- pbls2004d.115
- NXP Semiconductors
- LOADSWITCH PNP 20V 1A SOT457 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20V, 50V · Сопротивление базы (Ом): 22K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 100mA, 2V / 60 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщ
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1PBLS2003D,115
- pbls2003d.115
- NXP Semiconductors
- LOADSWITCH PNP 20V 1A SOT457 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20V, 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 100mA, 2V / 30 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщ
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1PBLS2002S,115
- pbls2002s.115
- NXP Semiconductors
- LOADSWITCH PNP 20V 3A 8-SOIC Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20V, 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 4.7K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 500µA, 2V / 30 @ 10mA, 5V · Напряжение на
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1PBLS2001S,115
- pbls2001s.115
- NXP Semiconductors
- LOADSWITCH PNP 20V 3A 8-SOIC Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20V, 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 2.2K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 2 / 30 @ 20mA, 5V · Напряжение насыщен
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1PBLS2002D,115
- pbls2002d.115
- NXP Semiconductors
- LOADSWITCH PNP 20V 1A SOT457 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20V, 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 4.7K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 100mA, 2V / 30 @ 10mA, 5V · Напряжение на
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1PBLS2001D,115
- pbls2001d.115
- NXP Semiconductors
- LOADSWITCH PNP 20V 1A SOT457 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20V, 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 2.2K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 100mA, 2V / 30 @ 20mA, 5V · Напряжение на
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1PBLS1504Y,115
- pbls1504y.115
- NXP Semiconductors
- LOADSWITCH PNP 15V 500MA SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V, 50V · Сопротивление базы (Ом): 22K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V / 60 @ 5mA, 5V · Напряжение нас
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1PBLS1504V,115
- pbls1504v.115
- NXP Semiconductors
- LOADSWITCH PNP 15V 500MA SOT666 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V, 50V · Сопротивление базы (Ом): 22K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V / 60 @ 5mA, 5V · Напряжение нас
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1PBLS1503Y,115
- pbls1503y.115
- NXP Semiconductors
- LOADSWITCH PNP 15V 500MA SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V, 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V / 30 @ 5mA, 5V · Напряжение нас
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1PBLS1503V,115
- pbls1503v.115
- NXP Semiconductors
- LOADSWITCH PNP 15V 500MA SOT666 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V, 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V / 30 @ 5mA, 5V · Напряжение нас
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1PBLS1502Y,115
- pbls1502y.115
- NXP Semiconductors
- LOADSWITCH PNP 15V 500MA SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V, 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 4.7K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30, 200 @ 10mA, 5V · Напряжение насыщения (M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1PBLS1502V,115
- pbls1502v.115
- NXP Semiconductors
- LOADSWITCH PNP 15V 500MA SOT666 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V, 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 4.7K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V / 30 @ 10mA, 5V · Напряжение
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1PBLS1501V,115
- pbls1501v.115
- NXP Semiconductors
- LOADSWITCH PNP 15V 500MA SOT666 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V, 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 2.2K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V / 30 @ 20mA, 5V · Напряжение
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1PBLS1501Y,115
- pbls1501y.115
- NXP Semiconductors
- LOADSWITCH PNP 15V 500MA SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V, 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 2.2K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V / 30 @ 20mA, 5V · Напряжение
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1NUS2401SNT1
- nus2401snt1
- ON Semiconductor
- TRANS BRT ARRAY PNP/NPN 50V SC74 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 175, 175, 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 1K · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA / 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллек
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1NUS2401SNT1G
- nus2401snt1g
- ON Semiconductor
- TRANS BRT PNP/NPN ARRAY 50V SC74 Тип транзистора: 2 NPN Base-Collector Biased, 1 PNP Pre-Biased · Номинальное напряжение: 50V · Номинал тока: 200mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-74-6
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы в сборках с предварительным смещением представляют собой интегрированные устройства, содержащие несколько биполярных транзисторов с встроенными элементами смещения в одном корпусе.
Сборки предназначены для упрощения схемотехники, повышения надежности и снижения числа внешних компонентов. Биполярные транзисторы с предварительным смещением широко применяются для усиления и управления сигналами в различных электронных устройствах.
Применение
Биполярные транзисторы в сборках с предварительным смещением находят применение в самых различных областях электроники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в аудио-усилителях, радиопередатчиках и других устройствах, требующих точного и стабильного усиления сигналов.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Стабилизаторы напряжения: входят в состав стабилизаторов напряжения для обеспечения постоянного уровня напряжения в различных устройствах.
- Преобразователи сигналов: используются в схемах преобразования аналоговых сигналов в цифровые и наоборот.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспечения точности и надежности работы.
Биполярные транзисторы с предварительным смещением в сборках являются важными элементами для специалистов, занимающихся разработкой и созданием электронных устройств. Эти компоненты обеспечивают стабильное и точное управление электрическими сигналами в различных системах. Благодаря своим отличным характеристикам, они находят широкое применение в самых разных отраслях.
Эти сборки помогают повысить эффективность работы транзисторов, обеспечивая быстрые и надежные переключения. Их компактный дизайн и простота интеграции делают их удобными для использования в сложных электронных схемах. Высокая надежность и долговечность этих компонентов обеспечивают стабильную работу устройств даже в самых сложных условиях эксплуатации.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК