Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением

Всего товаров: 1422

EMG2DXV5T1G

  • emg2dxv5t1g
  • ON Semiconductor
  • TRANS BRT NPN DUAL BIAS SOT-553 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

EMG2DXV5T5

  • emg2dxv5t5
  • ON Semiconductor
  • TRANS BRT NPN DUAL BIAS SOT-553 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

EMF8T2R

  • emf8t2r
  • ROHM Semiconductor
  • Transistors Switching (Resistor Biased) NPN

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

EMG2DXV5T1

  • emg2dxv5t1
  • ON Semiconductor
  • TRANS BRT NPN DUAL BIAS SOT-553 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

EMF5XV6T5G

  • emf5xv6t5g
  • ON Semiconductor
  • TRANS BRT PNP PWR MNGMT SOT-563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V, 12V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 270 @ 10mA, 2V · Напряжение на

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

EMF5XV6T5

  • emf5xv6t5
  • ON Semiconductor
  • TRANS BRT PNP PWR MNGMT SOT-563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12V, 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 270 @ 10mA, 2V · Напряжение на

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

EMF24T2R

  • emf24t2r
  • ROHM Semiconductor
  • Transistors Switching (Resistor Biased) NPN

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

EMF21-7

  • emf21.7
  • Diodes Inc
  • TRANS ARRAY COMPLEX 300MW SOT563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12V, 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V / 30 @ 5mA, 5V · Напряжение на

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

EMF17T2R

  • emf17t2r
  • ROHM Semiconductor
  • Transistors Switching (Resistor Biased) DUAL PNP/DTR

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

EMF18XV6T5G

  • emf18xv6t5g
  • ON Semiconductor
  • TRANS BRT NPN/PNP DL 50V SOT-563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V, 60V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 1mA, 6V · Напряжение на

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

EMD5DXV6T5G

  • emd5dxv6t5g
  • ON Semiconductor
  • TRANS BRT NPN/PNP DL 50V SOT-563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K, 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 2.2K, 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V / 80 @ 5mA, 10V · Напряж

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

EMD5T2R

  • emd5t2r
  • Rohm Semiconductor
  • TRANS COMPLEX DGTL PNP/NPN EMT6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K, 4.7K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K, 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V · Напряжени

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

EMD5DXV6T1G

  • emd5dxv6t1g
  • ON Semiconductor
  • TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20, 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

EMD5DXV6T1

  • emd5dxv6t1
  • ON Semiconductor
  • TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20, 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

EMD4DXV6T5G

  • emd4dxv6t5g
  • ON Semiconductor
  • TRANS BRT NPN/PNP DL 50V SOT-563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 2.1K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib,

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

EMD4T2R

  • emd4t2r
  • Rohm Semiconductor
  • TRANS COMPLEX DGTL PNP/NPN EMT6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K, 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K, 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max)

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

EMD4DXV6T1G

  • emd4dxv6t1g
  • ON Semiconductor
  • TRANS BRT NPN/PNP DL 50V SOT-563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 2.1K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib,

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

EMD30T2R

  • emd30t2r
  • ROHM Semiconductor
  • Transistors Switching (Resistor Biased) TRANS DIGI BJT NPN PNP 100200MA 6PIN

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

EMD29T2R

  • emd29t2r
  • Rohm Semiconductor
  • TRANS COMPLEX DGTL PNP/NPN EMT6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12V, 50V · Сопротивление базы (Ом): 1K, 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K, 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V / 30 @ 5mA, 5V · Напр

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

EMC5DXV5T1

  • emc5dxv5t1
  • ON Semiconductor
  • TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT553 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib,

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Биполярные транзисторы в сборках с предварительным смещением представляют собой интегрированные устройства, содержащие несколько биполярных транзисторов с встроенными элементами смещения в одном корпусе.

Сборки предназначены для упрощения схемотехники, повышения надежности и снижения числа внешних компонентов. Биполярные транзисторы с предварительным смещением широко применяются для усиления и управления сигналами в различных электронных устройствах.

Применение

Биполярные транзисторы в сборках с предварительным смещением находят применение в самых различных областях электроники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в аудио-усилителях, радиопередатчиках и других устройствах, требующих точного и стабильного усиления сигналов.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Стабилизаторы напряжения: входят в состав стабилизаторов напряжения для обеспечения постоянного уровня напряжения в различных устройствах.
  • Преобразователи сигналов: используются в схемах преобразования аналоговых сигналов в цифровые и наоборот.
  • Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
  • Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
  • Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспечения точности и надежности работы.

Биполярные транзисторы с предварительным смещением в сборках являются важными элементами для специалистов, занимающихся разработкой и созданием электронных устройств. Эти компоненты обеспечивают стабильное и точное управление электрическими сигналами в различных системах. Благодаря своим отличным характеристикам, они находят широкое применение в самых разных отраслях.

Эти сборки помогают повысить эффективность работы транзисторов, обеспечивая быстрые и надежные переключения. Их компактный дизайн и простота интеграции делают их удобными для использования в сложных электронных схемах. Высокая надежность и долговечность этих компонентов обеспечивают стабильную работу устройств даже в самых сложных условиях эксплуатации.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь