Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
Всего товаров: 1422
DCX123JU-7
- dcx123ju.7
- Diodes Inc
- TRANS PREBIASED DUAL COMP SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib,
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DCX123JK-7-F
- dcx123jk.7.f
- Diodes Inc
- TRANS PREBIAS NPN/PNP SC-74R Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DCX123JH-7
- dcx123jh.7
- Diodes Inc
- TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT-563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DCX122TU-7-F
- dcx122tu.7.f
- Diodes Inc
- TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT-363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 220 · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA · Ток коллектора (мак
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DCX114YU-7-F
- dcx114yu.7.f
- Diodes Inc
- TRANS PREBIASED DUAL COMP SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 10mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, I
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DCX122LH-7
- dcx122lh.7
- Diodes Inc
- TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT-563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 220 · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DCX122LU-7-F
- dcx122lu.7.f
- Diodes Inc
- TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT-363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 220 · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DCX122TH-7
- dcx122th.7
- Diodes Inc
- TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT-563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 220 · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA · Ток коллектора (мак
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DCX114YK-7-F
- dcx114yk.7.f
- Diodes Inc
- TRANS PREBIAS NPN/PNP SC-74R Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DCX115EK-7-F
- dcx115ek.7.f
- Diodes Incorporated
- PREBIASED TRANSISTOR SC-74R PRE-BIASED DUAL COMPLEMENTARY 10
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DCX114YU-7
- dcx114yu.7
- Diodes Inc
- TRANS PREBIASED DUAL COMP SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 10mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, I
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DCX114TU-7-F
- dcx114tu.7.f
- Diodes Inc
- TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT-363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA · Ток коллектора (мак
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DCX114YH-7
- dcx114yh.7
- Diodes Inc
- TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT-563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DCX114TK-7-F
- dcx114tk.7.f
- Diodes Inc
- TRANS PREBIAS NPN/PNP SC-74R Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 2.5mA · Ток коллектора (ма
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DCX114TH-7
- dcx114th.7
- Diodes Inc
- TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT-563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 2.5mA · Ток коллектора (м
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DCX114EU-7-F
- dcx114eu.7.f
- Diodes Inc
- TRANS PREBIASED DUAL COMP SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, I
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DCX114EU-7
- dcx114eu.7
- Diodes Inc
- TRANS PREBIASED DUAL COMP SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, I
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DCX114EK-7-F
- dcx114ek.7.f
- Diodes Inc
- TRANS PREBIAS NPN/PNP SC-74R Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DCX114EH-7
- dcx114eh.7
- Diodes Inc
- TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT-563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DCX100NS-7
- dcx100ns.7
- Diodes Inc
- TRANS NPN/PNP DUAL SOT-563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 1K, 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30, 33 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib,
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы в сборках с предварительным смещением представляют собой интегрированные устройства, содержащие несколько биполярных транзисторов с встроенными элементами смещения в одном корпусе.
Сборки предназначены для упрощения схемотехники, повышения надежности и снижения числа внешних компонентов. Биполярные транзисторы с предварительным смещением широко применяются для усиления и управления сигналами в различных электронных устройствах.
Применение
Биполярные транзисторы в сборках с предварительным смещением находят применение в самых различных областях электроники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в аудио-усилителях, радиопередатчиках и других устройствах, требующих точного и стабильного усиления сигналов.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Стабилизаторы напряжения: входят в состав стабилизаторов напряжения для обеспечения постоянного уровня напряжения в различных устройствах.
- Преобразователи сигналов: используются в схемах преобразования аналоговых сигналов в цифровые и наоборот.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспечения точности и надежности работы.
Биполярные транзисторы с предварительным смещением в сборках являются важными элементами для специалистов, занимающихся разработкой и созданием электронных устройств. Эти компоненты обеспечивают стабильное и точное управление электрическими сигналами в различных системах. Благодаря своим отличным характеристикам, они находят широкое применение в самых разных отраслях.
Эти сборки помогают повысить эффективность работы транзисторов, обеспечивая быстрые и надежные переключения. Их компактный дизайн и простота интеграции делают их удобными для использования в сложных электронных схемах. Высокая надежность и долговечность этих компонентов обеспечивают стабильную работу устройств даже в самых сложных условиях эксплуатации.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК