Биполярные транзисторы - Сборки
Всего товаров: 1170
NST3906DXV6T1G
- nst3906dxv6t1g
- ON Semiconductor
- TRANS PNP DUAL 200MA 40V SOT563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100µA, 1V · Мощность макcимал
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NST3946DXV6T5
- nst3946dxv6t5
- ON Semiconductor
- TRANS PNP DUAL 200MA 40V SOT563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV, 400mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность м
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NST3946DP6T5G
- nst3946dp6t5g
- ON Semiconductor
- TRANSISTOR DUAL COMPL GP SOT-963 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV, 250mV @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NST3906DXV6T1
- nst3906dxv6t1
- ON Semiconductor
- TRANS PNP DUAL 200MA 40V SOT563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность макcимал
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NST3946DXV6T1G
- nst3946dxv6t1g
- ON Semiconductor
- TRANS NPN/PNP 200MA 40V SOT-563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV, 400mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40, 60 @ 100µA, 1V · Мощнос
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NST3946DXV6T1
- nst3946dxv6t1
- ON Semiconductor
- TRANS NPN/PNP 200MA 40V SOT-563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV, 400mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 1V · Мощность ма
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NST3906DP6T5G
- nst3906dp6t5g
- ON Semiconductor
- TRANSISTOR PNP DUAL GP SOT-963 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность макcималь
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NST3904DXV6T5G
- nst3904dxv6t5g
- ON Semiconductor
- TRANS NPN DUAL 200MA 40V SOT563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 100µA, 1V · Мощность макcимал
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NST30010MXV6T1G
- nst30010mxv6t1g
- ON Semiconductor
- TRANSISTOR PNP DUAL PAIR SOT-563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10µA, 5V · Модуляция часто
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NST3904DXV6T1G
- nst3904dxv6t1g
- ON Semiconductor
- TRANSISTOR NPN 200MA 40V SOT-563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 100µA, 1V · Мощность макcима
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NST3904DXV6T5
- nst3904dxv6t5
- ON Semiconductor
- TRANS NPN DUAL 200MA 40V SOT563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность макcимал
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NST3904DP6T5G
- nst3904dp6t5g
- ON Semiconductor
- TRANSISTOR NPN DUAL 40V SOT-963 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность макcимал
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NSS40302PDR2G
- nss40302pdr2g
- ON Semiconductor
- TRANS NPN/PNP 40V 3A 8-SOIC Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A · Ток коллектора (макс): 3A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NSS40301MDR2G
- nss40301mdr2g
- ON Semiconductor
- TRANS PNP DUAL MATCHED 8-SOIC Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 44mV @ 100mA, 1A · Ток коллектора (макс): 3A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NSS40300MDR2G
- nss40300mdr2g
- ON Semiconductor
- TRANS PNP DUAL MATCHED 8-SOIC Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 130mV @ 10mA, 1A · Ток коллектора (макс): 3A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NSS40300DDR2G
- nss40300ddr2g
- ON Semiconductor
- TRANS PNP DUAL 40V 8-SOIC Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 10mA, 1A · Ток коллектора (макс): 3A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная: 783
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NP0A45600A
- np0a45600a
- Panasonic - SSG
- TRANS ARRAY PNP/PNP SSS MINI-6P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 50mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 1V · Мощность макcимальн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NP0A54700A
- np0a54700a
- Panasonic - SSG
- TRANS ARRAY NPN/NPN SSSMINI-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 7V · Ток коллектора (макс): 10mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 1V · Мощность макcимальная: 50mW · Модуляция частот: 4GHz · Тип транзистора: 2 NPN (
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NP0450100A
- np0450100a
- Panasonic - SSG
- TRANS ARRAY NPN/NPN SSSMINI-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NJX1675PDR2G
- njx1675pdr2g
- ON Semiconductor
- SO-8/-55 ~150 Complementary 30 V, 6.0 A, Transistor
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы в сборках представляют собой интегрированные устройства, содержащие несколько биполярных транзисторов в одном корпусе. Эти сборки предназначены для использования в различных электронных схемах, обеспечивая высокую надежность, эффективность и компактность. Биполярные транзисторы широко применяются для усиления, переключения и управления электрическими сигналами в различных областях электроники.
Применение
Биполярные транзисторы в сборках находят широкое применение в самых разных областях техники и электроники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители мощности: используются для усиления сигналов в аудио-устройствах, радиопередатчиках и телевизорах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Силовая электроника: входят в состав преобразователей напряжения и источников питания для управления и стабилизации электрических сигналов.
- Системы управления двигателями: используются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления и контроля в автомобильных системах.
- Индукционные нагреватели: используются в схемах управления индукционными нагревательными устройствами.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспечения точности и надежности работы.
Биполярные транзисторы в сборках играют критическую роль для инженеров и разработчиков, предоставляя стабильное и точное управление электрическими сигналами в множестве приложений. Эти сборки, обладая превосходными характеристиками и широкой сферой применения, востребованы в самых различных секторах электроники и электротехники. Их использование обеспечивает надежную и эффективную работу многих современных устройств.
Эти транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и способность управлять большими токами, что делает их идеальными для применения в усилительных и коммутирующих схемах. Благодаря своим компактным размерам и высокой степени интеграции, они легко внедряются в сложные конструкции и системы.
Высокая надежность и долговечность этих компонентов гарантирует стабильную работу оборудования даже в самых требовательных условиях эксплуатации, что делает их незаменимыми для разработки высокотехнологичных решений.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК