Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
Всего товаров: 34641
PZU5.1B2,115
- pzu5.1b2.115
- NXP Semiconductors
- DIODE ZENER 5.1V 310MW SOD323F Напряжение Зенера номинальное: 5.1V · Прямое напряжение: 1.1V @ 100mA · Обратный ток утечки: 2µA @ 1.5V · Допустимые отклонения емкости: ±2% · Мощность макcимальная: 310mW · Полное сопротивление (импеданс): 60 Ohm · Тип монт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PZU4.7BA,115
- pzu4.7ba.115
- NXP Semiconductors
- DIODE ZENER 4.7V 320MW SOD-323 Напряжение Зенера номинальное: 4.7V · Прямое напряжение: 1.1V @ 100mA · Обратный ток утечки: 2µA @ 1V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 320mW · Полное сопротивление (импеданс): 80 Ohm · Тип монтаж
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PZU4.7B3A,115
- pzu4.7b3a.115
- NXP Semiconductors
- DIODE ZENER 4.7V 320MW SOD-323 Напряжение Зенера номинальное: 4.7V · Прямое напряжение: 1.1V @ 100mA · Обратный ток утечки: 2µA @ 1V · Допустимые отклонения емкости: ±2% · Мощность макcимальная: 320mW · Полное сопротивление (импеданс): 80 Ohm · Тип монтаж
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PZU5.1B,115
- pzu5.1b.115
- NXP Semiconductors
- DIODE ZENER 5.1V 310MW SOD323F Напряжение Зенера номинальное: 5.1V · Прямое напряжение: 1.1V @ 100mA · Обратный ток утечки: 2µA @ 1.5V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 310mW · Полное сопротивление (импеданс): 60 Ohm · Тип монт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PZU5.1B1A,115
- pzu5.1b1a.115
- NXP Semiconductors
- DIODE ZENER 5.1V 320MW SOD-323 Напряжение Зенера номинальное: 5.1V · Прямое напряжение: 1.1V @ 100mA · Обратный ток утечки: 2µA @ 1.5V · Допустимые отклонения емкости: ±2% · Мощность макcимальная: 320mW · Полное сопротивление (импеданс): 60 Ohm · Тип монт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PZU5.1B1,115
- pzu5.1b1.115
- NXP Semiconductors
- DIODE ZENER 5.1V 310MW SOD323F Напряжение Зенера номинальное: 5.1V · Прямое напряжение: 1.1V @ 100mA · Обратный ток утечки: 2µA @ 1.5V · Допустимые отклонения емкости: ±2% · Мощность макcимальная: 310mW · Полное сопротивление (импеданс): 60 Ohm · Тип монт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PZU4.7B3,115
- pzu4.7b3.115
- NXP Semiconductors
- DIODE ZENER 4.7V 310MW SOD323F Напряжение Зенера номинальное: 4.7V · Прямое напряжение: 1.1V @ 100mA · Обратный ток утечки: 2µA @ 1V · Допустимые отклонения емкости: ±2% · Мощность макcимальная: 310mW · Полное сопротивление (импеданс): 80 Ohm · Тип монтаж
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PZU4.7B2A,115
- pzu4.7b2a.115
- NXP Semiconductors
- DIODE ZENER 4.7V 320MW SOD-323 Напряжение Зенера номинальное: 4.7V · Прямое напряжение: 1.1V @ 100mA · Обратный ток утечки: 2µA @ 1V · Допустимые отклонения емкости: ±2% · Мощность макcимальная: 320mW · Полное сопротивление (импеданс): 80 Ohm · Тип монтаж
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PZU4.3BA,115
- pzu4.3ba.115
- NXP Semiconductors
- DIODE ZENER 4.3V 320MW SOD-323 Напряжение Зенера номинальное: 4.3V · Прямое напряжение: 1.1V @ 100mA · Обратный ток утечки: 3µA @ 1V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 320mW · Полное сопротивление (импеданс): 90 Ohm · Тип монтаж
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PZU4.7B2,115
- pzu4.7b2.115
- NXP Semiconductors
- DIODE ZENER 4.7V 310MW SOD323F Напряжение Зенера номинальное: 4.7V · Прямое напряжение: 1.1V @ 100mA · Обратный ток утечки: 2µA @ 1V · Допустимые отклонения емкости: ±2% · Мощность макcимальная: 310mW · Полное сопротивление (импеданс): 80 Ohm · Тип монтаж
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PZU4.7B,115
- pzu4.7b.115
- NXP Semiconductors
- DIODE ZENER 4.7V 310MW SOD323F Напряжение Зенера номинальное: 4.7V · Прямое напряжение: 1.1V @ 100mA · Обратный ток утечки: 2µA @ 1V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 310mW · Полное сопротивление (импеданс): 80 Ohm · Тип монтаж
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PZU4.7B1A,115
- pzu4.7b1a.115
- NXP Semiconductors
- DIODE ZENER 4.7V 320MW SOD-323 Напряжение Зенера номинальное: 4.7V · Прямое напряжение: 1.1V @ 100mA · Обратный ток утечки: 2µA @ 1V · Допустимые отклонения емкости: ±2% · Мощность макcимальная: 320mW · Полное сопротивление (импеданс): 80 Ohm · Тип монтаж
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PZU4.7B1,115
- pzu4.7b1.115
- NXP Semiconductors
- DIODE ZENER 4.7V 310MW SOD323F Напряжение Зенера номинальное: 4.7V · Прямое напряжение: 1.1V @ 100mA · Обратный ток утечки: 2µA @ 1V · Допустимые отклонения емкости: ±2% · Мощность макcимальная: 310mW · Полное сопротивление (импеданс): 80 Ohm · Тип монтаж
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PZU4.3B3A,115
- pzu4.3b3a.115
- NXP Semiconductors
- DIODE ZENER 4.3V 320MW SOD-323 Напряжение Зенера номинальное: 4.3V · Прямое напряжение: 1.1V @ 100mA · Обратный ток утечки: 3µA @ 1V · Допустимые отклонения емкости: ±2% · Мощность макcимальная: 320mW · Полное сопротивление (импеданс): 90 Ohm · Тип монтаж
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PZU4.3B2,115
- pzu4.3b2.115
- NXP Semiconductors
- DIODE ZENER 4.3V 310MW SOD323F Напряжение Зенера номинальное: 4.3V · Прямое напряжение: 1.1V @ 100mA · Обратный ток утечки: 3µA @ 1V · Допустимые отклонения емкости: ±2% · Мощность макcимальная: 310mW · Полное сопротивление (импеданс): 90 Ohm · Тип монтаж
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PZU4.3B3,115
- pzu4.3b3.115
- NXP Semiconductors
- DIODE ZENER 4.3V 310MW SOD323F Напряжение Зенера номинальное: 4.3V · Прямое напряжение: 1.1V @ 100mA · Обратный ток утечки: 3µA @ 1V · Допустимые отклонения емкости: ±2% · Мощность макcимальная: 310mW · Полное сопротивление (импеданс): 90 Ohm · Тип монтаж
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PZU4.3B1,115
- pzu4.3b1.115
- NXP Semiconductors
- DIODE ZENER 4.3V 310MW SOD323F Напряжение Зенера номинальное: 4.3V · Прямое напряжение: 1.1V @ 100mA · Обратный ток утечки: 3µA @ 1V · Допустимые отклонения емкости: ±2% · Мощность макcимальная: 310mW · Полное сопротивление (импеданс): 90 Ohm · Тип монтаж
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PZU4.3B2A,115
- pzu4.3b2a.115
- NXP Semiconductors
- DIODE ZENER 4.3V 320MW SOD-323 Напряжение Зенера номинальное: 4.3V · Прямое напряжение: 1.1V @ 100mA · Обратный ток утечки: 3µA @ 1V · Допустимые отклонения емкости: ±2% · Мощность макcимальная: 320mW · Полное сопротивление (импеданс): 90 Ohm · Тип монтаж
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PZU4.3B1A,115
- pzu4.3b1a.115
- NXP Semiconductors
- DIODE ZENER 4.3V 320MW SOD-323 Напряжение Зенера номинальное: 4.3V · Прямое напряжение: 1.1V @ 100mA · Обратный ток утечки: 3µA @ 1V · Допустимые отклонения емкости: ±2% · Мощность макcимальная: 320mW · Полное сопротивление (импеданс): 90 Ohm · Тип монтаж
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Диоды Зенера, также известные как стабилитроны, представляют собой полупроводниковые устройства, предназначенные для работы в режиме пробоя. Эти диоды предназначены для стабилизации напряжения в электрических цепях, обеспечивая надежную и стабильную работу электронных компонентов. Одиночные диоды Зенера обеспечивают защиту от перенапряжений, сглаживание напряжения и стабилизацию напряжения, что делает их важной частью различных электронных устройств и систем.
Применение
Одиночные диоды Зенера широко применяются в различных областях электроники.
Ключевые сферы их применения включают:
- Источники питания: обеспечивают стабилизацию выходного напряжения, защищая оборудование от перепадов напряжения.
- Регулирование напряжения: используются в схемах регулирования и контроля напряжения для обеспечения стабильной работы электронных устройств.
- Защита от перенапряжений: предотвращают повреждение компонентов от скачков напряжения, выступая в роли защитных устройств.
- Стабилизация сигналов: обеспечивают стабильность сигналов в телекоммуникационных и измерительных приборах.
Совместимость
Одиночные диоды Зенера совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что делает их универсальным решением для различных приложений. Их можно использовать в сочетании с резисторами, транзисторами, конденсаторами и микроконтроллерами. Благодаря своей универсальности и надежности, одиночные диоды Зенера находят применение в различных отраслях, включая бытовую электронику, промышленную автоматику, телекоммуникации и медицинские устройства.
Характеристики и преимущества:
- Широкий диапазон рабочих напряжений: от нескольких вольт до сотен вольт, обеспечивая гибкость в различных приложениях.
- Надежная защита от перенапряжений: эффективная защита электронных компонентов от скачков напряжения и перегрузок.
- Высокая точность стабилизации: обеспечивает точное поддержание заданного уровня напряжения, улучшая производительность и долговечность устройств.
- Низкий уровень шума: минимальное влияние на качество сигнала, что особенно важно для телекоммуникационных и измерительных приборов.
- Компактный размер: удобство интеграции в компактные и миниатюрные устройства, экономия места на плате.
- Широкая совместимость: подходит для использования с различными типами электронных компонентов и устройств, повышая универсальность применения.
Одиночные диоды Зенера являются важным элементом в арсенале инженеров и разработчиков, обеспечивая стабильность и надежность работы электронных систем. Благодаря своим уникальным характеристикам и широкому диапазону применения, эти диоды находят свое место в самых разных областях электроники.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК