Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
Всего товаров: 34641
FLZ13VA
- flz13va
- Fairchild Semiconductor
- DIODE ZENER 13V 500MW SOD-80 Напряжение Зенера номинальное: 13V · Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA · Обратный ток утечки: 133nA @ 10V · Допустимые отклонения емкости: ±2% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 11.4 Ohm · Тип мон
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FLZ12VB
- flz12vb
- Fairchild Semiconductor
- DIODE ZENER 12V 500MW SOD-80 Напряжение Зенера номинальное: 12В · Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA · Обратный ток утечки: 133nA @ 9V · Допустимые отклонения емкости: ±2% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 9.5 Ohm · Тип монта
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FLZ12VA
- flz12va
- Fairchild Semiconductor
- DIODE ZENER 12V 500MW SOD-80 Напряжение Зенера номинальное: 12В · Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA · Обратный ток утечки: 133nA @ 9V · Допустимые отклонения емкости: ±2% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 9.5 Ohm · Тип монта
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FLZ10VC
- flz10vc
- Fairchild Semiconductor
- DIODE ZENER 10V 500MW SOD-80 Напряжение Зенера номинальное: 10V · Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA · Обратный ток утечки: 110nA @ 7V · Допустимые отклонения емкости: ±2% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 6.6 Ohm · Тип монта
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FLZ11VA
- flz11va
- Fairchild Semiconductor
- DIODE ZENER 11V 500MW SOD-80 Напряжение Зенера номинальное: 11В · Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA · Обратный ток утечки: 133nA @ 8V · Допустимые отклонения емкости: ±2% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 8.5 Ohm · Тип монта
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FLZ11VB
- flz11vb
- Fairchild Semiconductor
- DIODE ZENER 11V 500MW SOD-80 Напряжение Зенера номинальное: 11В · Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA · Обратный ток утечки: 133nA @ 8V · Допустимые отклонения емкости: ±2% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 8.5 Ohm · Тип монта
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FLZ10VA
- flz10va
- Fairchild Semiconductor
- DIODE ZENER 10V 500MW SOD-80 Напряжение Зенера номинальное: 10V · Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA · Обратный ток утечки: 110nA @ 7V · Допустимые отклонения емкости: ±2% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 6.6 Ohm · Тип монта
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FLZ10VB
- flz10vb
- Fairchild Semiconductor
- DIODE ZENER 10V 500MW SOD-80 Напряжение Зенера номинальное: 10V · Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA · Обратный ток утечки: 110nA @ 7V · Допустимые отклонения емкости: ±2% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 6.6 Ohm · Тип монта
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FLZ11VC
- flz11vc
- Fairchild Semiconductor
- DIODE ZENER 11V 500MW SOD-80 Напряжение Зенера номинальное: 11В · Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA · Обратный ток утечки: 133nA @ 8V · Допустимые отклонения емкости: ±2% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 8.5 Ohm · Тип монта
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
EDZTE619.1B
- edzte619.1b
- Rohm Semiconductor
- DIODE ZENER 9.1V 150MW SOD523 Напряжение Зенера номинальное: 9.1V · Обратный ток утечки: 500nA @ 6V · Мощность макcимальная: 150mW · Полное сопротивление (импеданс): 30 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-79, SOD-523 · Operating Temperatu
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
EDZTE618.2B
- edzte618.2b
- Rohm Semiconductor
- DIODE ZENER 8.2V 150MW SOD523 Напряжение Зенера номинальное: 8.2V · Обратный ток утечки: 500nA @ 5V · Мощность макcимальная: 150mW · Полное сопротивление (импеданс): 30 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-79, SOD-523 · Operating Temperatu
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
EDZTE617.5B
- edzte617.5b
- Rohm Semiconductor
- DIODE ZENER 7.5V 150MW SOD523 Напряжение Зенера номинальное: 7.5V · Обратный ток утечки: 500nA @ 4V · Мощность макcимальная: 150mW · Полное сопротивление (импеданс): 30 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-79, SOD-523 · Operating Temperatu
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
EDZTE615.6B
- edzte615.6b
- Rohm Semiconductor
- DIODE ZENER 5.6V 100MW SOD523 TR Напряжение Зенера номинальное: 5.6V · Обратный ток утечки: 1µA @ 2.5V · Мощность макcимальная: 100mW · Полное сопротивление (импеданс): 60 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-79, SOD-523 · Operating Temper
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
EDZTE616.8B
- edzte616.8b
- Rohm Semiconductor
- DIODE ZENER 6.8V 150MW SOD523 Напряжение Зенера номинальное: 6.8V · Обратный ток утечки: 500nA @ 3.5V · Мощность макcимальная: 150mW · Полное сопротивление (импеданс): 40 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-79, SOD-523 · Operating Tempera
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
EDZTE616.2B
- edzte616.2b
- Rohm Semiconductor
- DIODE ZENER 6.2V 100MW SOD523 TR Напряжение Зенера номинальное: 6.2V · Обратный ток утечки: 1µA @ 3V · Мощность макcимальная: 100mW · Полное сопротивление (импеданс): 60 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-79, SOD-523 · Operating Temperat
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
EDZTE614.7B
- edzte614.7b
- Rohm Semiconductor
- DIODE ZENER 4.7V 150MW SOD523 Напряжение Зенера номинальное: 4.7V · Обратный ток утечки: 2µA @ 1V · Мощность макcимальная: 150mW · Полное сопротивление (импеданс): 100 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-79, SOD-523 · Operating Temperatur
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
EDZTE615.1B
- edzte615.1b
- Rohm Semiconductor
- DIODE ZENER 5.1V 100MW SOD523 TR Напряжение Зенера номинальное: 5.1V · Обратный ток утечки: 2µA @ 1.5V · Мощность макcимальная: 100mW · Полное сопротивление (импеданс): 80 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-79, SOD-523 · Operating Temper
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
EDZTE614.3B
- edzte614.3b
- Rohm Semiconductor
- DIODE ZENER 4.3V 150MW SOD523 Напряжение Зенера номинальное: 4.3V · Обратный ток утечки: 5µA @ 1V · Мощность макcимальная: 150mW · Полное сопротивление (импеданс): 100 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-79, SOD-523 · Operating Temperatur
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
EDZTE6136B
- edzte6136b
- Rohm Semiconductor
- DIODE ZENER 36V 150MW SOD523 Напряжение Зенера номинальное: 36V · Обратный ток утечки: 100nA @ 27V · Мощность макcимальная: 150mW · Полное сопротивление (импеданс): 300 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-79, SOD-523 · Operating Temperatu
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Диоды Зенера, также известные как стабилитроны, представляют собой полупроводниковые устройства, предназначенные для работы в режиме пробоя. Эти диоды предназначены для стабилизации напряжения в электрических цепях, обеспечивая надежную и стабильную работу электронных компонентов. Одиночные диоды Зенера обеспечивают защиту от перенапряжений, сглаживание напряжения и стабилизацию напряжения, что делает их важной частью различных электронных устройств и систем.
Применение
Одиночные диоды Зенера широко применяются в различных областях электроники.
Ключевые сферы их применения включают:
- Источники питания: обеспечивают стабилизацию выходного напряжения, защищая оборудование от перепадов напряжения.
- Регулирование напряжения: используются в схемах регулирования и контроля напряжения для обеспечения стабильной работы электронных устройств.
- Защита от перенапряжений: предотвращают повреждение компонентов от скачков напряжения, выступая в роли защитных устройств.
- Стабилизация сигналов: обеспечивают стабильность сигналов в телекоммуникационных и измерительных приборах.
Совместимость
Одиночные диоды Зенера совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что делает их универсальным решением для различных приложений. Их можно использовать в сочетании с резисторами, транзисторами, конденсаторами и микроконтроллерами. Благодаря своей универсальности и надежности, одиночные диоды Зенера находят применение в различных отраслях, включая бытовую электронику, промышленную автоматику, телекоммуникации и медицинские устройства.
Характеристики и преимущества:
- Широкий диапазон рабочих напряжений: от нескольких вольт до сотен вольт, обеспечивая гибкость в различных приложениях.
- Надежная защита от перенапряжений: эффективная защита электронных компонентов от скачков напряжения и перегрузок.
- Высокая точность стабилизации: обеспечивает точное поддержание заданного уровня напряжения, улучшая производительность и долговечность устройств.
- Низкий уровень шума: минимальное влияние на качество сигнала, что особенно важно для телекоммуникационных и измерительных приборов.
- Компактный размер: удобство интеграции в компактные и миниатюрные устройства, экономия места на плате.
- Широкая совместимость: подходит для использования с различными типами электронных компонентов и устройств, повышая универсальность применения.
Одиночные диоды Зенера являются важным элементом в арсенале инженеров и разработчиков, обеспечивая стабильность и надежность работы электронных систем. Благодаря своим уникальным характеристикам и широкому диапазону применения, эти диоды находят свое место в самых разных областях электроники.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК