Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
Всего товаров: 34641
1N5335BE3
- 1n5335be3
- Microsemi
- DIODE ZENER 3.9V 5W T-18 Напряжение Зенера номинальное: 3.9V · Прямое напряжение: 1.2V @ 1A · Обратный ток утечки: 50µA @ 1V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 5Вт · Полное сопротивление (импеданс): 2 Ohm · Тип монтажа: Through
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 11N5335B
- 1n5335b
- ON Semiconductor, Vishay
- DIODE ZENER 3.9V 5W AXIAL Серия: Surmetic™ · Напряжение Зенера номинальное: 3.9V · Прямое напряжение: 1.2V @ 1A · Обратный ток утечки: 50µA @ 1V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 5Вт · Полное сопротивление (импеданс): 2 Ohm · Т
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 11N5334BRLG
- 1n5334brlg
- ON Semiconductor, ON
- DIODE ZENER 3.6V 5W AXIAL Серия: Surmetic™ · Напряжение Зенера номинальное: 3.6V · Прямое напряжение: 1.2V @ 1A · Обратный ток утечки: 150µA @ 1V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 5Вт · Полное сопротивление (импеданс): 2.5 Ohm
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 11N5334B
- 1n5334b
- Microsemi
- DIODE ZENER 3.6V 5W T-18 Напряжение Зенера номинальное: 3.6V · Прямое напряжение: 1.2V @ 1A · Обратный ток утечки: 150µA @ 1V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 5Вт · Полное сопротивление (импеданс): 2.5 Ohm · Тип монтажа: Throu
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 11N5334BRL
- 1n5334brl
- ON Semiconductor
- DIODE ZENER 3.6V 5W AXIAL Серия: Surmetic™ · Напряжение Зенера номинальное: 3.6V · Прямое напряжение: 1.2V @ 1A · Обратный ток утечки: 150µA @ 1V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 5Вт · Полное сопротивление (импеданс): 2.5 Ohm
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 11N5334BG
- 1n5334bg
- ON Semiconductor
- DIODE ZENER 3.6V 5W AXIAL Серия: Surmetic™ · Напряжение Зенера номинальное: 3.6V · Прямое напряжение: 1.2V @ 1A · Обратный ток утечки: 150µA @ 1V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 5Вт · Полное сопротивление (импеданс): 2.5 Ohm
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 11N5334BE3
- 1n5334be3
- Microsemi
- DIODE ZENER 3.6V 5W T-18 Напряжение Зенера номинальное: 3.6V · Прямое напряжение: 1.2V @ 1A · Обратный ток утечки: 150µA @ 1V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 5Вт · Полное сопротивление (импеданс): 2.5 Ohm · Тип монтажа: Throu
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 11N5333BRL
- 1n5333brl
- ON Semiconductor
- DIODE ZENER 3.3V 5W AXIAL Серия: Surmetic™ · Напряжение Зенера номинальное: 3.3V · Прямое напряжение: 1.2V @ 1A · Обратный ток утечки: 300µA @ 1V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 5Вт · Полное сопротивление (импеданс): 3 Ohm ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 11N5333BRLG
- 1n5333brlg
- ON Semiconductor
- DIODE ZENER 3.3V 5W AXIAL Серия: Surmetic™ · Напряжение Зенера номинальное: 3.3V · Прямое напряжение: 1.2V @ 1A · Обратный ток утечки: 300µA @ 1V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 5Вт · Полное сопротивление (импеданс): 3 Ohm ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 11N5333BG
- 1n5333bg
- ON Semiconductor
- DIODE ZENER 3.3V 5W AXIAL Серия: Surmetic™ · Напряжение Зенера номинальное: 3.3V · Прямое напряжение: 1.2V @ 1A · Обратный ток утечки: 300µA @ 1V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 5Вт · Полное сопротивление (импеданс): 3 Ohm ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 11N5333B
- 1n5333b
- ON Semiconductor
- DIODE ZENER 3.3V 5W AXIAL Серия: Surmetic™ · Напряжение Зенера номинальное: 3.3V · Прямое напряжение: 1.2V @ 1A · Обратный ток утечки: 300µA @ 1V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 5Вт · Полное сопротивление (импеданс): 3 Ohm ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 11N5280DO35
- 1n5280do35
- Microsemi
- DIODE ZENER 190V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 190V · Прямое напряжение: 1.5V @ 200mA · Обратный ток утечки: 100nA @ 144V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 2400 Ohm · Тип м
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 11N5276BDO35
- 1n5276bdo35
- Microsemi
- DIODE ZENER 150V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 150V · Прямое напряжение: 1.5V @ 200mA · Обратный ток утечки: 100nA @ 114V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 1500 Ohm · Тип м
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 11N5274BDO35
- 1n5274bdo35
- Microsemi
- DIODE ZENER 130V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 130V · Прямое напряжение: 1.5V @ 200mA · Обратный ток утечки: 100nA @ 99V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 1100 Ohm · Тип мо
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 11N5272BDO35
- 1n5272bdo35
- Microsemi
- DIODE ZENER 110V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 110V · Прямое напряжение: 1.5V @ 200mA · Обратный ток утечки: 100nA @ 84V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 750 Ohm · Тип мон
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 11N5275BDO35
- 1n5275bdo35
- Microsemi
- DIODE ZENER 140V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 140V · Прямое напряжение: 1.5V @ 200mA · Обратный ток утечки: 100nA @ 106V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 1300 Ohm · Тип м
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 11N5273BDO35
- 1n5273bdo35
- Microsemi
- DIODE ZENER 120V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 120V · Прямое напряжение: 1.5V @ 200mA · Обратный ток утечки: 100nA @ 91V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 900 Ohm · Тип мон
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 11N5271BDO35
- 1n5271bdo35
- Microsemi
- DIODE ZENER 100V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 100V · Прямое напряжение: 1.5V @ 200mA · Обратный ток утечки: 100nA @ 76V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 500 Ohm · Тип мон
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 11N5272BDO35E3
- 1n5272bdo35e3
- Microsemi
- DIODE ZENER 110V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 110V · Прямое напряжение: 1.5V @ 200mA · Обратный ток утечки: 100nA @ 84V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 750 Ohm · Тип мон
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 11N5270BDO35
- 1n5270bdo35
- Microsemi
- DIODE ZENER 91V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 91V · Прямое напряжение: 1.5V @ 200mA · Обратный ток утечки: 100nA @ 69V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 400 Ohm · Тип монта
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Диоды Зенера, также известные как стабилитроны, представляют собой полупроводниковые устройства, предназначенные для работы в режиме пробоя. Эти диоды предназначены для стабилизации напряжения в электрических цепях, обеспечивая надежную и стабильную работу электронных компонентов. Одиночные диоды Зенера обеспечивают защиту от перенапряжений, сглаживание напряжения и стабилизацию напряжения, что делает их важной частью различных электронных устройств и систем.
Применение
Одиночные диоды Зенера широко применяются в различных областях электроники.
Ключевые сферы их применения включают:
- Источники питания: обеспечивают стабилизацию выходного напряжения, защищая оборудование от перепадов напряжения.
- Регулирование напряжения: используются в схемах регулирования и контроля напряжения для обеспечения стабильной работы электронных устройств.
- Защита от перенапряжений: предотвращают повреждение компонентов от скачков напряжения, выступая в роли защитных устройств.
- Стабилизация сигналов: обеспечивают стабильность сигналов в телекоммуникационных и измерительных приборах.
Совместимость
Одиночные диоды Зенера совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что делает их универсальным решением для различных приложений. Их можно использовать в сочетании с резисторами, транзисторами, конденсаторами и микроконтроллерами. Благодаря своей универсальности и надежности, одиночные диоды Зенера находят применение в различных отраслях, включая бытовую электронику, промышленную автоматику, телекоммуникации и медицинские устройства.
Характеристики и преимущества:
- Широкий диапазон рабочих напряжений: от нескольких вольт до сотен вольт, обеспечивая гибкость в различных приложениях.
- Надежная защита от перенапряжений: эффективная защита электронных компонентов от скачков напряжения и перегрузок.
- Высокая точность стабилизации: обеспечивает точное поддержание заданного уровня напряжения, улучшая производительность и долговечность устройств.
- Низкий уровень шума: минимальное влияние на качество сигнала, что особенно важно для телекоммуникационных и измерительных приборов.
- Компактный размер: удобство интеграции в компактные и миниатюрные устройства, экономия места на плате.
- Широкая совместимость: подходит для использования с различными типами электронных компонентов и устройств, повышая универсальность применения.
Одиночные диоды Зенера являются важным элементом в арсенале инженеров и разработчиков, обеспечивая стабильность и надежность работы электронных систем. Благодаря своим уникальным характеристикам и широкому диапазону применения, эти диоды находят свое место в самых разных областях электроники.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК