Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
DN3135N8-G
- dn3135n8.g
- Supertex
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1DN3135K1-G
- dn3135k1.g
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1DN2625K4-G
- dn2625k4.g
- Supertex
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1DN2540N5-G
- dn2540n5.g
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1DN2540N8-G
- dn2540n8.g
- Supertex
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1DN2540N3-G
- dn2540n3.g
- Supertex
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1DN2535N5-G
- dn2535n5.g
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1DN2535N3-G
- dn2535n3.g
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1DN2530N8-G
- dn2530n8.g
- Supertex
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1DN2530N3-G
- dn2530n3.g
- Supertex
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1DN1509N8-G
- dn1509n8.g
- Supertex
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1DN2470K4-G
- dn2470k4.g
- Supertex
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1DMN5L06W-7
- dmn5l06w.7
- Diodes Inc
- MOSFET N-CH 50V 280MA SC70-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 200mA, 2.7V · Drain to Source Voltage (Vdss): 50V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 280mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 50pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Lev
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1DMN5L06T-7
- dmn5l06t.7
- Diodes Inc
- MOSFET N-CH 50V 280MA SOT-523 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 200mA, 2.7V · Drain to Source Voltage (Vdss): 50V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 280mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 50pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Le
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1DMS2220LFW-7
- dms2220lfw.7
- Diodes Inc
- MOSFET P-CH 20V 2.9A 8-DFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 2.8A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 632pF @ 10V · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Diode (Iso
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1DMS2220LFDB-7
- dms2220lfdb.7
- Diodes Inc
- MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-DFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 2.8A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 632pF @ 10V · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Diode (Iso
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1DMS2120LFWB-7
- dms2120lfwb.7
- GLENAIR
- SMD
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1DMP57D5UFB-7
- dmp57d5ufb.7
- Diodes Inc
- MOSFET P-CH 50V 200MA 3-DFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 100mA, 4V · Drain to Source Voltage (Vdss): 50V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 200mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 29pF @ 4V · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic Level G
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1DMP3130L-7
- dmp3130l.7
- Diodes Inc
- MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77 mOhm @ 4.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 432pF @ 15V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1DMP4051LK3-13
- dmp4051lk3.13
- Diodes/Zetex
- MOSFET P-CH 40V 7.2A DPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 674pF @ 20V · FET Polarity: P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК