Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
APT12057B2FLLG
- apt12057b2fllg
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX Серия: POWER MOS 7® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570 mOhm @ 11A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 185nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 22A · Input Capacitance (Ciss) @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT1204R7KFLLG
- apt1204r7kfllg
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-220 Серия: POWER MOS 7® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 Ohm @ 1.75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 31nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.5A · Input Capacitance (Ciss
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT1204R7BFLLG
- apt1204r7bfllg
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-247 Серия: POWER MOS 7® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 Ohm @ 1.75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 31nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.5A · Input Capacitance (Ciss
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT1201R4BFLLG
- apt1201r4bfllg
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247 Серия: POWER MOS 7® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 4.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 120nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT11N80KC3G
- apt11n80kc3g
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 800V 11A TO-220 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 7.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1585pF @ 25V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT11N80BC3G
- apt11n80bc3g
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 7.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1585pF @ 25V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT11F80B
- apt11f80b
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 7.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1585pF @ 25V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT10M11B2VFRG
- apt10m11b2vfrg
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX Серия: POWER MOS V® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 450nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT10M09B2VFRG
- apt10m09b2vfrg
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX Серия: POWER MOS V® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 350nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9875
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT10090BFLLG
- apt10090bfllg
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 Серия: POWER MOS 7® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 71nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vd
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT10090BLLG
- apt10090bllg
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 Серия: POWER MOS 7® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 71nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vd
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT10078SLLG
- apt10078sllg
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK Серия: POWER MOS 7® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780 mOhm @ 7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 95nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT10078BLLG
- apt10078bllg
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 Серия: POWER MOS 7® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780 mOhm @ 7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 95nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vd
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT10045B2LLG
- apt10045b2llg
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX Серия: POWER MOS 7® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 11.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 154nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 23A · Input Capacitance (Ciss) @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT1003RKLLG
- apt1003rkllg
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220 Серия: POWER MOS 7® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 34nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 69
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT1003RBLLG
- apt1003rbllg
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247 Серия: POWER MOS 7® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 34nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 69
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT10035B2FLLG
- apt10035b2fllg
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX Серия: POWER MOS 7® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 14A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 186nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 28A · Input Capacitance (Ciss) @ V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT10035LLLG
- apt10035lllg
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264 Серия: POWER MOS 7® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 14A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 186nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 28A · Input Capacitance (Ciss) @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT10035B2LLG
- apt10035b2llg
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX Серия: POWER MOS 7® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 14A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 186nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 28A · Input Capacitance (Ciss) @ V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT1001R6BFLLG
- apt1001r6bfllg
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247 Серия: POWER MOS 7® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 55nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК