Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

ATP214-TL-H

  • atp214.tl.h
  • ON Semiconductor
  • N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

ATP216-TL-H

  • atp216.tl.h
  • ON Semiconductor
  • ATPAK/-55~150 N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

ATP212-TL-H

  • atp212.tl.h
  • SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
  • MOSFET N-CH 60V 35A ATPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 18A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 34.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1820pF @ 20V · FET Polarity:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

ATP207-TL-H

  • atp207.tl.h
  • SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
  • MOSFET N-CH 40V 65A ATPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1 mOhm @ 33A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 54nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 65A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2710pF @ 20V · FET Polarity:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

ATP206-TL-H

  • atp206.tl.h
  • SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
  • MOSFET N-CH 40V 40A ATPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1630pF @ 20V · FET Polarity: N

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

ATP204-TL-H

  • atp204.tl.h
  • SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
  • MOSFET N-CH 30V 100A ATPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 70nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4600pF @ 10V · FET Polarity

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

ATP201-TL-H

  • atp201.tl.h
  • ON Semiconductor
  • N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

ATP203-TL-H

  • atp203.tl.h
  • SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
  • MOSFET N-CH 30V 75A ATPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2 mOhm @ 38A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 44nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2750pF @ 10V · FET Polarity:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

ATP113-TL-H

  • atp113.tl.h
  • SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
  • MOSFET P-CH 60V 35A ATPAK Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Surface Mount

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

ATP108-TL-H

  • atp108.tl.h
  • SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
  • MOSFET P-CH 40V 70A ATPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 79.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 70A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3850pF @ 20V · FET Polarit

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

ATP114-TL-H

  • atp114.tl.h
  • ON Semiconductor
  • P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

ATP107-TL-H

  • atp107.tl.h
  • ON Semiconductor
  • P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

ATP202-TL-H

  • atp202.tl.h
  • SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
  • MOSFET N-CH 30V 50A ATPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1650pF @ 10V · FET Polarity: N

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

ATP106-TL-H

  • atp106.tl.h
  • SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
  • MOSFET P-CH 40V 30A ATPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1380pF @ 20V · FET Polarity: P

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

ATP103-TL-H

  • atp103.tl.h
  • ON Semiconductor
  • P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

ATP101-TL-H

  • atp101.tl.h
  • ON Semiconductor

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

APT94N65B2C3G

  • apt94n65b2c3g
  • MICROSEMI
  • T-MAX

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

APT47N60BC3G

  • apt47n60bc3g
  • Microsemi-PPG
  • MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 260nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 47A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7015pF @ 25V · FET Polarit

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

APT36N90BC3G

  • apt36n90bc3g
  • MICROSEMI
  • TO247/POWER MOSFET - COOLMOS

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

APT37M100L

  • apt37m100l
  • Microsemi-PPG
  • MOSFET N-CH 1000V 37A TO-264 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 18A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 305nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 37A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9835pF @ 25V · FE

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь