Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IXTK120N20P
- ixtk120n20p
- IXYS
- MOSFET N-CH 200V 120A TO-264 Серия: PolarHT™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 152nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6000
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTK110N30
- ixtk110n30
- IXYS
- MOSFET N-CH 300V 110A TO-264 Серия: MegaMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 390nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 110A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7800
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTK102N30P
- ixtk102n30p
- IXYS
- MOSFET N-CH 300V 102A TO-264 Серия: PolarHT™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 224nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 102A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7500
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTK100N25P
- ixtk100n25p
- IXYS
- MOSFET N-CH 250V 100A TO-264 Серия: PolarHT™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 185nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6300
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTJ36N20
- ixtj36n20
- IXYS
- MOSFET N-CH 200V 36A TO-247AD Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 18A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 140nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 36A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2970p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTH98N20T
- ixth98n20t
- IXYS
- MOSFET N-CH 200V 98A TO-247 Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 98A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: TO-247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTH96P085T
- ixth96p085t
- IXYS
- MOSFET P-CH 85V 96A TO-247 Серия: TrenchP™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 85V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 96A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 13100pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTH96N25T
- ixth96n25t
- IXYS
- MOSFET N-CH 250V 96A TO-247 Серия: TrenchHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 114nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 96A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6100p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTH96N20P
- ixth96n20p
- IXYS
- MOSFET N-CH 200V 96A TO-247 Серия: PolarHT™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 145nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 96A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4800pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTH90P10P
- ixth90p10p
- IXYS
- MOSFET P-CH 100V 90A TO-247 Серия: PolarP™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 120nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 90A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5800pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTH90N15T
- ixth90n15t
- IXYS
- MOSFET N-CH 150V 90A TO247 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 80nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 90A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4100pF @ 25V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTH88N30P
- ixth88n30p
- IXYS
- MOSFET N-CH 300V 88A TO-247 Серия: PolarHT™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 88A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6300pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTH88N15
- ixth88n15
- IXYS
- MOSFET P-CH 150V 88A TO-247AD Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 88A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4000pF @ 25V · FET Pol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTH86N20T
- ixth86n20t
- IXYS
- MOSFET N-CH 200V 86A TO-247 Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 86A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: TO-247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTH76P10T
- ixth76p10t
- IXYS
- MOSFET P-CH 100V 76A TO-247 Серия: TrenchP™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 197nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 76A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 13700p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTH76N25T
- ixth76n25t
- IXYS
- MOSFET N-CH 250V 76A TO-247 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 92nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 76A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4500pF @ 25V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTH74N15T
- ixth74n15t
- IXYS
- MOSFET N-CH 150V 74A TO-247 Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 74A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: TO-247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTH72N30T
- ixth72n30t
- IXYS
- MOSFET N-CH 300V 72A TO-247 Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 72A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: TO-247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTH72N20T
- ixth72n20t
- IXYS
- MOSFET N-CH 200V 72A TO-247 Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 72A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: TO-247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTH72N20
- ixth72n20
- IXYS
- MOSFET N-CH 200V 72A TO-247 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 72A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4400pF @ 25V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК