Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
2SK2399(TE16L1,NQ)
- 2sk2399.te16l1.nq
- Toshiba
- MOSFET N-CH 100V 5A SC-64 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 500pF @ 10V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK2376(Q)
- 2sk2376.q
- Toshiba
- MOSFET N-CH 60V 45A 2-10S1B Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 45A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3350pF @ 10V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK2266(TE24R,Q)
- 2sk2266.te24r.q
- Toshiba
- MOSFET N-CH 60V 45A 2-10S2B Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 45A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1800pF @ 10V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK1382(Q)
- 2sk1382.q
- Toshiba
- MOSFET N-CH 100V 60A TO-3PL Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 176nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7000pF @ 10V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK1374G0L
- 2sk1374g0l
- Panasonic - SSG
- MOSFET N-CH 50V .05A SMINI-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 Ohm @ 10mA, 2.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 50V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4.5pF @ 5 V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Lev
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK0665G0L
- 2sk0665g0l
- Panasonic - SSG
- MOSFET N-CH 20V .1A SMINI-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 Ohm @ 20mA, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100mA · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Power - Max: 150mW · Mounting Type: Surface Mo
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK0664G0L
- 2sk0664g0l
- Panasonic - SSG
- MOSFET N-CH 50V 100MA SMINI-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 Ohm @ 20mA, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 50V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 15pF @ 5V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK0601G0L
- 2sk0601g0l
- Panasonic - SSG
- MOSFET N-CH 80V .5A MINIP-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 500mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 45pF @ 10V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SJ683-TL-E
- 2sj683.tl.e
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- MOSFET P-CH 60V 65A ZP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 33A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 290nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 65A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 15500pF @ 20V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SJ655
- 2sj655
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- MOSFET P-CH 100V 12A TO-220ML Rds On (Max) @ Id, Vgs: 136 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 41nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2090pF @ 20V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SJ651
- 2sj651
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- MOSFET P-CH 60V 20A TO-220ML Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2200pF @ 20V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SJ650
- 2sj650
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- MOSFET P-CH 60V 12A TO-220ML Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1020pF @ 20V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SJ619(TE24L,Q)
- 2sj619.te24l.q
- Toshiba
- MOSFET P-CH 100V 16A SC-97 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 48nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1100pF @ 10V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SJ610(TE16L1,NQ)
- 2sj610.te16l1.nq
- Toshiba
- MOSFET P-CH 250V 2A PW-MOLD Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.55 Ohm @ 1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 381pF @ 10V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SJ567(TE16L1,NQ)
- 2sj567.te16l1.nq
- Toshiba
- MOSFET P-CH 200V 2.5A PW-MOLD Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 1.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 410pF @ 10V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SJ402(Q)
- 2sj402.q
- Toshiba
- MOSFET P-CH 60V 30A TO-220FL Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3300pF @ 10V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SJ380(F)
- 2sj380.f
- Toshiba
- MOSFET P-CH 60V 12A TO-220NIS Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 48nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1100pF @ 10V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SJ378(TP,Q)
- 2sj378.tp.q
- Toshiba
- MOSFET P-CH 60V 5A TPS Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 630pF @ 10V · FET Polarity: P-Ch
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SJ360(F)
- 2sj360.f
- Toshiba
- MOSFET P-CH 60V 1A SC-62 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 155pF @ 10V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SJ312(Q)
- 2sj312.q
- Toshiba
- MOSFET P-CH 60V 14A TO-220FL Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1200pF @ 10V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК