Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
UPA621TT-E2-A
- upa621tt.e2.a
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TPS1101D
- tps1101d
- Texas Instruments
- MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 15V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.3A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic Level Gate
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TPS1101DRG4
- tps1101drg4
- Texas Instruments
- MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 15V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.3A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic Level Gate
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TPS1101DR
- tps1101dr
- Texas Instruments
- MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 15V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.3A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic Level Gate
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TPS1101DG4
- tps1101dg4
- Texas Instruments
- MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 15V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.3A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic Level Gate
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TPS1101PWR
- tps1101pwr
- Texas Instruments
- MOSFET P-CH 15V 2.18A 16-TSSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 15V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.18A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic Level
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TPS1100PWR
- tps1100pwr
- Texas Instruments
- MOSFET P-CH 15V 1.27A 8-TSSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 15V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.45nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.27A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic Level G
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TPS1100PW
- tps1100pw
- Texas Instruments
- MOSFET P-CH 15V 1.27A 8-TSSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 15V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.45nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.27A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic Level G
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TPS1100DG4
- tps1100dg4
- Texas Instruments
- MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 15V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.45nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.6A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic Level Gate
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TPS1100D
- tps1100d
- Texas Instruments
- MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 15V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.45nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.6A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic Level Gate
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TPS1100DR
- tps1100dr
- Texas Instruments
- MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 15V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.45nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.6A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic Level Gate
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TPCF8A01(TE85L)
- tpcf8a01.te85l
- Toshiba
- MOSFET N-CH 20V 3A VS-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 1.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.5nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 590pF @ 10V · FET Polarity: N-C
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TPCA8010-H(TE12L,Q
- tpca8010.h.te12l.q
- Toshiba
- MOSFET N-CH 200V 5.5A 8-SOPA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 2.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 600pF @ 10V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TPCA8008-H(TE12L,Q
- tpca8008.h.te12l.q
- Toshiba
- MOSFET N-CH 250V 4A 8-SOPA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580 mOhm @ 2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 600pF @ 10V · FET Polarity: N
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TPCA8009-H(TE12L,Q
- tpca8009.h.te12l.q
- Toshiba
- MOSFET N-CH 150V 7A 8-SOPA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 3.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 600pF @ 10V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TPCA8007-H(TE12L,Q
- tpca8007.h.te12l.q
- Toshiba
- MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOPA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1000pF @ 10V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TPCA8006-H(TE12L,Q
- tpca8006.h.te12l.q
- Toshiba
- MOSFET N-CH 100V 18A 8-SOPA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67 mOhm @ 9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 780pF @ 10V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TPC8109(TE12L)
- tpc8109.te12l
- Toshiba
- MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2260pF @ 10V · FET Polarity: P-
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TPC8012-H(TE12L,Q)
- tpc8012.h.te12l.q
- Toshiba
- MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 900mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 440pF @ 10V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TP0610K-T1-E3
- tp0610k.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.7nC @ 15V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 185mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 23p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК