Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
SPP04N60C3
- spp04n60c3
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-220AB Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 2.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 490
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPP07N60C3
- spp07n60c3
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220AB Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 4.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 790
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPP06N80C3
- spp06n80c3
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 800V 6A TO-220AB Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 3.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 41nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 785pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPP06N60C3
- spp06n60c3
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 650V 6.2A TO-220 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 3.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 31nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 620pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPP04N80C3
- spp04n80c3
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 800V 4A TO-220AB Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 Ohm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 31nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 570pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPP04N60S5
- spp04n60s5
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 2.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22.9nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 580
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPP04N50C3
- spp04n50c3
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 560V 4.5A TO-220AB Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 2.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 560V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 470
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPP03N60S5
- spp03n60s5
- Infineon Technologies, Infineon
- MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-220AB Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 420pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPP03N60C3
- spp03n60c3
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-220AB Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 400pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPP02N60S5
- spp02n60s5
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-220 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 240pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPP02N60C3
- spp02n60c3
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 650V 1.8A TO-220AB Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 200p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPP02N80C3
- spp02n80c3
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 800V 2A TO-220AB Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 Ohm @ 1.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 290pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPN03N60C3
- spn03n60c3
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 650V 0.7A SOT-223 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 700mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 400pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPN04N60S5
- spn04n60s5
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 600V 0.8A SOT-223 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 2.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 800mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 600
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPN02N60C3 E6433
- spn02n60c3.e6433
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 650V 0.4A SOT-223 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 1.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 400mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 200p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPN03N60S5
- spn03n60s5
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 600V 0.7A SOT-223 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12.8nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 700mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 440p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPN02N60S5
- spn02n60s5
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 600V 0.4A SOT-223 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.4nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 400mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 250pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPN02N60C3
- spn02n60c3
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 650V 0.4A SOT-223 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 1.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 400mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 200p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPN01N60C3
- spn01n60c3
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 650V 0.3A SOT-223 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 300mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 100pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPI80N06S2-07
- spi80n06s2.07
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 68A, 10v · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4540pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК