Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
PSMN1R1-30PL,127
- psmn1r1.30pl.127
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PSMN1R2-25YL,115
- psmn1r2.25yl.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 105nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6380pF @ 12V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PSMN1R1-30EL,127
- psmn1r1.30el.127
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PSMN005-75P,127
- psmn005.75p.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 165nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8250pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PSMN1R1-25YLC,115
- psmn1r1.25ylc.115
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PSMN1R0-30YLC,115
- psmn1r0.30ylc.115
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PSMN165-200K,518
- psmn165.200k.518
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 200V 2.9A SOT96-1 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165 mOhm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 13
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PSMN130-200D,118
- psmn130.200d.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 200V 20A SOT428 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 65nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2470pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PSMN0R9-25YLC,115
- psmn0r9.25ylc.115
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PSMN085-150K,518
- psmn085.150k.518
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 150V 4.1A SOT96-1 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 3.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 131
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PSMN070-200P,127
- psmn070.200p.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 200V 35A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 17A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 77nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4570pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PSMN070-200B,118
- psmn070.200b.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 200V 35A SOT404 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 17A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 77nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4570pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PSMN069-100YS,115
- psmn069.100ys.115
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PSMN063-150D,118
- psmn063.150d.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 150V 29A SOT428 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 55nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 29A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2390pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PSMN059-150Y,115
- psmn059.150y.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 150V 43A LFPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27.9nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 43A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1529pF @ 30V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PSMN057-200P,127
- psmn057.200p.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 200V 39A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 17A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 96nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 39A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3750pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PSMN057-200B,118
- psmn057.200b.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 200V 39A SOT404 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 17A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 96nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 39A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3750pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PSMN045-80YS,115
- psmn045.80ys.115
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PSMN040-200W,127
- psmn040.200w.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 200V 50A SOT429 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 183nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9530pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PSMN039-100YS,115
- psmn039.100ys.115
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК