Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
NTMS4935NR2G
- ntms4935nr2g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 126A SGL 8SOIC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMS4916NR2G
- ntms4916nr2g
- ON Semiconductor
- Power MOSFET 30 V, 11.6 A, N-Channel, SO-8
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMS4873NFR2G
- ntms4873nfr2g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH SGL 30V 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1900pF @ 15V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMS4802NR2G
- ntms4802nr2g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 11.1A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 18A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5300pF @ 25V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMS4872NR2G
- ntms4872nr2g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 10.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1700pF @ 15V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMS4816NR2G
- ntms4816nr2g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 6.8A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.2nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1060pF @ 25V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMS4807NR2G
- ntms4807nr2g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 9.1A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1 mOhm @ 14.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2900pF @ 24V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMS4800NR2G
- ntms4800nr2g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 4.9A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 7.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.7nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 940pF @ 25V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMS4801NR2G
- ntms4801nr2g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2201pF @ 25V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMS4706NR2
- ntms4706nr2
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 6.4A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 10.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 950pF @ 24V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMS4706NR2G
- ntms4706nr2g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 6.4A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 10.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 950pF @ 24V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMS4700NR2G
- ntms4700nr2g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 13A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1600pF @ 24V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMS4700NR2
- ntms4700nr2
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 13A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1600pF @ 24V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMS4705NR2G
- ntms4705nr2g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CHAN 10A 30V 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1078pF @ 24V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMS4503NR2G
- ntms4503nr2g
- ON Semiconductor
- IC MOSFET PWR SGL N-CH 28V 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 14A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 28V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2400pF @ 16V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMS4503NR2
- ntms4503nr2
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 28V 9A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 14A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 28V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2400pF @ 16V · FET Polarity: N-
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMS4404NR2
- ntms4404nr2
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 70nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2500pF @ 24V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMS4177PR2G
- ntms4177pr2g
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 30V 6.6A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 11.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3100pF @ 24V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК