Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IRL2203STRR
- irl2203strr
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 60A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3500pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRL2505L
- irl2505l
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 55V 104A TO-262 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 54A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 130nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 104A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5000pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRL2203STRL
- irl2203strl
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 60A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3500pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRL2203NSTRR
- irl2203nstrr
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 60A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 116A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3290pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRL2203NSTRRPBF
- irl2203nstrrpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 60A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 116A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3290pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRL2203NSTRLPBF
- irl2203nstrlpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 60A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 116A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3290pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRL2203NSPBF
- irl2203nspbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 60A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 116A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3290pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRL2203NLPBF
- irl2203nlpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 30V 116A TO-262 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 60A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 116A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3290pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRL2203NPBF
- irl2203npbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 30V 116A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 60A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 116A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3290pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRL2203NS
- irl2203ns
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 60A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 116A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3290pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRL2203NL
- irl2203nl
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 30V 116A TO-262 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 60A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 116A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3290pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRL2203N
- irl2203n
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 30V 116A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 60A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 116A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3290pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRL1404ZSTRL
- irl1404zstrl
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5080pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRL1404ZSTRLPBF
- irl1404zstrlpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5080pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRL1404ZSPBF
- irl1404zspbf
- International Rectifier, IR
- MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5080pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRL1404ZS
- irl1404zs
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5080pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRL1404ZPBF
- irl1404zpbf
- International Rectifier, IR
- MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5080pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRL1404ZLPBF
- irl1404zlpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 40V 75A TO-262 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5080pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRL1404ZL
- irl1404zl
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 40V 75A TO-262 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5080pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRL1404Z
- irl1404z
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5080pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК