Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

IRL2203STRR

  • irl2203strr
  • Vishay/Siliconix
  • MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 60A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3500pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRL2505L

  • irl2505l
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 55V 104A TO-262 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 54A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 130nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 104A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5000pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRL2203STRL

  • irl2203strl
  • Vishay/Siliconix
  • MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 60A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3500pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRL2203NSTRR

  • irl2203nstrr
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 60A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 116A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3290pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRL2203NSTRRPBF

  • irl2203nstrrpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 60A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 116A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3290pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRL2203NSTRLPBF

  • irl2203nstrlpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 60A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 116A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3290pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRL2203NSPBF

  • irl2203nspbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 60A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 116A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3290pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRL2203NLPBF

  • irl2203nlpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 30V 116A TO-262 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 60A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 116A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3290pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRL2203NPBF

  • irl2203npbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 30V 116A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 60A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 116A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3290pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRL2203NS

  • irl2203ns
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 60A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 116A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3290pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRL2203NL

  • irl2203nl
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 30V 116A TO-262 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 60A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 116A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3290pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRL2203N

  • irl2203n
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 30V 116A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 60A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 116A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3290pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRL1404ZSTRL

  • irl1404zstrl
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5080pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRL1404ZSTRLPBF

  • irl1404zstrlpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5080pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRL1404ZSPBF

  • irl1404zspbf
  • International Rectifier, IR
  • MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5080pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRL1404ZS

  • irl1404zs
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5080pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRL1404ZPBF

  • irl1404zpbf
  • International Rectifier, IR
  • MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5080pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRL1404ZLPBF

  • irl1404zlpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 40V 75A TO-262 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5080pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRL1404ZL

  • irl1404zl
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 40V 75A TO-262 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5080pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRL1404Z

  • irl1404z
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5080pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь