Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IRFU5410PBF
- irfu5410pbf
- International Rectifier
- MOSFET P-CH 100V 13A I-PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205 mOhm @ 7.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 58nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 760pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFU5410
- irfu5410
- International Rectifier
- MOSFET P-CH 100V 13A I-PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205 mOhm @ 7.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 58nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 760pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFU5305PBF
- irfu5305pbf
- International Rectifier
- MOSFET P-CH 55V 31A I-PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 16A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 63nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 31A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1200pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFU48ZPBF
- irfu48zpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 37A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 42A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1720pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFU5305
- irfu5305
- International Rectifier
- MOSFET P-CH 55V 31A I-PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 16A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 63nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 31A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1200pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFU430APBF
- irfu430apbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 500V 5A I-PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 Ohm @ 3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 490pF @ 25V · FET Polarity: N-C
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFU4620PBF
- irfu4620pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 200V 24A IPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 24A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1710pF @ 50V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFU4510PBF
- irfu4510pbf
- Internation.Rectifer
- IPAK/MOSFET, 100V, 63A, 13.9 MOHM, 54 NC QG
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFU420PBF
- irfu420pbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 500V 2.4A I-PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 360pF @ 25V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFU4615PBF
- irfu4615pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 150V 33A IPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 21A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 33A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1750pF @ 50V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFU420APBF
- irfu420apbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 500V 3.3A I-PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 340pF @ 25V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFU420
- irfu420
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 500V 2.4A I-PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 360pF @ 25V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFU4105PBF
- irfu4105pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 55V 27A I-PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 16A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 34nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 27A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 700pF @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFU4105ZTR
- irfu4105ztr
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5 mOhm @ 18A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 740pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFU4105ZTRL
- irfu4105ztrl
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5 mOhm @ 18A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 740pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFU4105Z
- irfu4105z
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5 mOhm @ 18A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 740pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFU4105
- irfu4105
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 55V 27A I-PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 16A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 34nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 27A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 700pF @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFU4105ZPBF
- irfu4105zpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5 mOhm @ 18A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 740pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFU4105ZTRR
- irfu4105ztrr
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5 mOhm @ 18A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 740pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFU4104PBF
- irfu4104pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 40V 42A I-PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 42A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 89nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 42A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2950pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК