Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IRFR2905ZTRR
- irfr2905ztrr
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 36A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 44nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 42A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1380pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFR2905ZTRL
- irfr2905ztrl
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 36A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 44nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 42A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1380pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFR2905ZTRPBF
- irfr2905ztrpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 36A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 44nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 42A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1380pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFR2905ZTR
- irfr2905ztr
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 36A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 44nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 42A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1380pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFR2905ZPBF
- irfr2905zpbf
- International Rectifier, IR
- MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 36A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 44nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 42A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1380pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFR2607Z
- irfr2607z
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 75V 42A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 51nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 42A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1440pF @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFR24N15DTRPBF
- irfr24n15dtrpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 150V 24A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 14A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 24A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 890pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFR24N15DPBF
- irfr24n15dpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 150V 24A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 14A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 24A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 890pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFR24N10D
- irfr24n10d
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 100V DPAK Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Surface Mount · Package / Case: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFR2407TRR
- irfr2407trr
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 75V 42A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 42A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2400pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFR2407TRPBF
- irfr2407trpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 75V 42A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 42A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2400pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFR2407TR
- irfr2407tr
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 75V 42A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 42A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2400pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFR2407TRL
- irfr2407trl
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 75V 42A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 42A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2400pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFR2407PBF
- irfr2407pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 75V 42A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 42A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2400pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFR2405TRRPBF
- irfr2405trrpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 55V 56A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 34A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 56A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2430pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFR2405TRR
- irfr2405trr
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 55V 56A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 34A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 56A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2430pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFR2405TRLPBF
- irfr2405trlpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 55V 56A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 34A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 56A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2430pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFR2405TRPBF
- irfr2405trpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 55V 56A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 34A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 56A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2430pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFR2405TRL
- irfr2405trl
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 55V 56A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 34A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 56A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2430pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFR2405PBF
- irfr2405pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 55V 56A DPAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 34A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 56A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2430pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК