Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IRFI530NPBF
- irfi530npbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 6.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 44nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 640pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFI530N
- irfi530n
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 6.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 44nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 640pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFI530GPBF
- irfi530gpbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220FP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 5.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 670pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFI530G
- irfi530g
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220FP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 5.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 670pF @ 25V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFI520GPBF
- irfi520gpbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 100V 7.2A TO220FP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 4.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 360pF @ 25V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFI520N
- irfi520n
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 100V 7.6A TO220FP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 4.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 330pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFI510GPBF
- irfi510gpbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 100V 4.5A TO220FP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 2.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.3nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 180pF @ 25V · FET Pol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFI520G
- irfi520g
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 100V 7.2A TO220FP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 4.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 360pF @ 25V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFI4410ZPBF
- irfi4410zpbf
- Internation.Rectifer
- FULLPAK220/MOSFET, 100V, 65A, 9.3MOHM, 83 NC QG
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFI510G
- irfi510g
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 100V 4.5A TO220FP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 2.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.3nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 180pF @ 25V · FET Pol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFI4321PBF
- irfi4321pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 150V 34A TO-220AB FP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 34A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4440
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFI4229PBF
- irfi4229pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 250V 19A TO-220FP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 11A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 19A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4480pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFI4227PBF
- irfi4227pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 200V 26A TO-220FP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 17A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 26A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4600pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFI4228PBF
- irfi4228pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 150V 34A TO-220AB FP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 34A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4560pF @ 25V · FET Po
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFI4110GPBF
- irfi4110gpbf
- Internation.Rectifer
- TO220AB/MOSFET, 100V, 72A, 4.5 MOHM, 190 NC QG
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFI3205PBF
- irfi3205pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 55V 64A TO220FP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 34A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 64A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4000pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFI1010NPBF
- irfi1010npbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 55V 49A TO220FP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 26A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 49A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2900pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFI1310NPBF
- irfi1310npbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 100V 24A TO220FP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 13A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 120nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 24A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1900pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFI2807
- irfi2807
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 75V 40A TO220FP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 43A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3400pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFI1310N
- irfi1310n
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 100V 24A TO220FP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 13A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 120nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 24A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1900pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК