Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IRFD9110
- irfd9110
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 100V 700MA 4-DIP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 420mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.7nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 700mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 200pF @ 25V · FET Pol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFD9014
- irfd9014
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-DIP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 660mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 270pF @ 25V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFD9024PBF
- irfd9024pbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 960mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 570pF @ 25V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFD9020
- irfd9020
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 960mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 570pF @ 25V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFD9024
- irfd9024
- Vishay/Siliconix, IR
- MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 960mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 570pF @ 25V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFD9020PBF
- irfd9020pbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 960mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 570pF @ 25V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFD9010
- irfd9010
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-DIP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 580mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 50V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 240pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFD310
- irfd310
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 400V 350MA 4-DIP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 210mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 350mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 170pF @ 25V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFD420PBF
- irfd420pbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 500V 370MA 4-DIP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 220mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 370mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 360pF @ 25V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFD320
- irfd320
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 400V 490MA 4-DIP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 210mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 490mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 410pF @ 25V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFD420
- irfd420
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 500V 370MA 4-DIP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 220mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 370mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 360pF @ 25V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFD320PBF
- irfd320pbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 400V 490MA 4-DIP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 210mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 490mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 410pF @ 25V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFD310PBF
- irfd310pbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 400V 350MA 4-DIP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 210mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 350mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 170pF @ 25V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFD220PBF
- irfd220pbf
- Vishay/Siliconix, Vishay
- MOSFET N-CH 200V 800MA 4-DIP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 480mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 800mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 260pF @ 25V · FET Pol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFD224PBF
- irfd224pbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 380mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 630mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 260pF @ 25V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFD224
- irfd224
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 380mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 630mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 260pF @ 25V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFD220
- irfd220
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 200V 800MA 4-DIP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 480mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 800mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 260pF @ 25V · FET Pol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFD210
- irfd210
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 200V 600MA 4-DIP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 360mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.2nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 600mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 140pF @ 25V · FET Pol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFD214PBF
- irfd214pbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 250V 450MA 4-DIP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 270mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.2nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 450mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 140pF @ 25V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFD210PBF
- irfd210pbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 200V 600MA 4-DIP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 360mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.2nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 600mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 140pF @ 25V · FET Pol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК