Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IRFBE30PBF
- irfbe30pbf
- Vishay/Siliconix, Vishay
- MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 78nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1300pF @ 25V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFBE30S
- irfbe30s
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 78nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1300pF @ 25V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFBE20STRL
- irfbe20strl
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 Ohm @ 1.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 530pF @ 25V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFBE30
- irfbe30
- Vishay/Siliconix, IR
- MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 78nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1300pF @ 25V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFBE20STRR
- irfbe20strr
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 Ohm @ 1.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 530pF @ 25V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFBE20S
- irfbe20s
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 Ohm @ 1.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 530pF @ 25V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFBE20PBF
- irfbe20pbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 Ohm @ 1.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 530pF @ 25V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFBC40STRLPBF
- irfbc40strlpbf
- Vishay PCS
- D2PAK/600V SINGLE N-CHANNEL HEXFET POWER MOSFET IN A D2-PAK
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFBE20L
- irfbe20l
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-262 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 Ohm @ 1.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 530pF @ 25V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFBC40STRR
- irfbc40strr
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 3.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1300pF @ 25V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFBE20
- irfbe20
- Vishay/Siliconix, IR
- MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 Ohm @ 1.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 530pF @ 25V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFBC40STRL
- irfbc40strl
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 3.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1300pF @ 25V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFBC40SPBF
- irfbc40spbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 3.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1300pF @ 25V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFBC40S
- irfbc40s
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 3.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1300pF @ 25V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFBC40PBF
- irfbc40pbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 3.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1300pF @ 25V · FET Pol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFBC40LPBF
- irfbc40lpbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-262 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 3.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1300pF @ 25V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFBC40LCPBF
- irfbc40lcpbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 3.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 39nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1100pF @ 25V · FET Pol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFBC40LC
- irfbc40lc
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 3.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 39nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1100pF @ 25V · FET Pol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFBC40LCL
- irfbc40lcl
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-262 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 3.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 39nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1100pF @ 25V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFBC40LCSTRL
- irfbc40lcstrl
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 3.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 39nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1100pF @ 25V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК