Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IRF820APBF
- irf820apbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 340pF @ 25V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF820AL
- irf820al
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-262 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 340pF @ 25V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF820ALPBF
- irf820alpbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-262 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 340pF @ 25V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF8113GTRPBF
- irf8113gtrpbf
- Internation.Rectifer
- SOIC 8/MOSFET, 30V, 16.6A, 6 MOHM, 24 NC QG, HALOGEN-FREE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF820A
- irf820a
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 340pF @ 25V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF8113TRPBF
- irf8113trpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 17.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 17.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2910
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF8113PBF
- irf8113pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 17.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 17.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2910
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF8113GPBF
- irf8113gpbf
- Internation.Rectifer
- SO8/MOSFET, 30V, 16.6A, 6 MOHM, 24 NC QG, SO-8, HALOGEN-FREE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF8113
- irf8113
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 17.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 17.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2910
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF8010STRLPBF
- irf8010strlpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 45A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 120nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3830pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF8010SPBF
- irf8010spbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 45A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 120nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3830pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF8010PBF
- irf8010pbf
- International Rectifier, IR
- MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 45A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 120nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3830pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7946TR1PBF
- irf7946tr1pbf
- Internation.Rectifer
- DIRECTFE/TMOSFET, 40V, 198A, 1.5 MOHM, 141 NC QG, DIRECTFET MED CAN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7862PBF
- irf7862pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 21A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4090pF @ 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7862TRPBF
- irf7862trpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 21A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4090pF @ 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7854TRPBF
- irf7854trpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 80V 10A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 41nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1620pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7855PBF
- irf7855pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 60V 12A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 39nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1560pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7855TRPBF
- irf7855trpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 60V 12A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 39nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1560pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7854PBF
- irf7854pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 80V 10A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 41nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1620pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7853TRPBF
- irf7853trpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 8.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 39nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1640pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК