Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IRF7705
- irf7705
- International Rectifier
- MOSFET P-CH 30V 8A 8-TSSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 88nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2774pF @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7704TR
- irf7704tr
- International Rectifier
- MOSFET P-CH 40V 4.6A 8-TSSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 4.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3150pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7704
- irf7704
- International Rectifier
- MOSFET P-CH 40V 4.6A 8-TSSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 4.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3150pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7704TRPBF
- irf7704trpbf
- International Rectifier
- MOSFET P-CH 40V 4.6A 8-TSSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 4.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3150pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7703TRPBF
- irf7703trpbf
- International Rectifier
- MOSFET P-CH 40V 6A 8-TSSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 62nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5220pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7703TR
- irf7703tr
- International Rectifier
- MOSFET P-CH 40V 6A 8-TSSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 62nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5220pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7703
- irf7703
- International Rectifier
- MOSFET P-CH 40V 6A 8-TSSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 62nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5220pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7702TRPBF
- irf7702trpbf
- International Rectifier
- MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 8A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 12V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 81nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3470pF @ 10V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7702TR
- irf7702tr
- International Rectifier
- MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 8A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 12V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 81nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3470pF @ 10V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7702
- irf7702
- International Rectifier
- MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 8A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 12V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 81nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3470pF @ 10V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7701GTRPBF
- irf7701gtrpbf
- International Rectifier
- MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 10A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 12V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 100nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5050pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7701TRPBF
- irf7701trpbf
- International Rectifier
- MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 10A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 12V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 100nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5050pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7701TR
- irf7701tr
- International Rectifier
- MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 10A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 12V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 100nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5050pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7701
- irf7701
- International Rectifier
- MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 10A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 12V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 100nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5050pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7700TR
- irf7700tr
- International Rectifier
- MOSFET P-CH 20V 8.6A 8-TSSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 8.6A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 89nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4300pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7700
- irf7700
- International Rectifier
- MOSFET P-CH 20V 8.6A 8-TSSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 8.6A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 89nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4300pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7700GTRPBF
- irf7700gtrpbf
- International Rectifier
- MOSFET P-CH 20V 8.6A 8-TSSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 8.6A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 89nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4300pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7665S2TRPBF
- irf7665s2trpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 100V DIRECTFET SB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62 mOhm @ 8.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 515pF @ 25V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7665S2TR1PBF
- irf7665s2tr1pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 100V 14.4A DFET SB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62 mOhm @ 8.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 515pF @ 25V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7663TRPBF
- irf7663trpbf
- International Rectifier
- MOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 7A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2520pF @ 10
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК