Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IRF740ASPBF
- irf740aspbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1030pF @ 25V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF740AS
- irf740as
- Vishay/Siliconix, IR
- MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1030pF @ 25V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF740APBF
- irf740apbf
- Vishay/Siliconix, IR
- MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1030pF @ 25V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF740AL
- irf740al
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 400V 10A TO-262 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1030pF @ 25V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF740ALPBF
- irf740alpbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 400V 10A TO-262 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1030pF @ 25V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF740A
- irf740a
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1030pF @ 25V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7406TRPBF
- irf7406trpbf
- International Rectifier
- MOSFET P-CH 30V 5.8A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 2.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 59nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1100pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7406PBF
- irf7406pbf
- International Rectifier
- MOSFET P-CH 30V 5.8A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 2.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 59nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1100pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7404QTRPBF
- irf7404qtrpbf
- International Rectifier
- MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 3.2A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 50nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1500pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7404TRPBF
- irf7404trpbf
- International Rectifier
- MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 3.2A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 50nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1500pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7404PBF
- irf7404pbf
- International Rectifier
- MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 3.2A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 50nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1500pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7402TRPBF
- irf7402trpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 20V 6.8A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.1A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 650pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7403PBF
- irf7403pbf
- International Rectifier, IR
- MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 57nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1200pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7403TRPBF
- irf7403trpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 57nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1200pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7403TR
- irf7403tr
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 57nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1200pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7402PBF
- irf7402pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 20V 6.8A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.1A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 650pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7402TR
- irf7402tr
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 20V 6.8A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.1A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 650pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7401TRPBF
- irf7401trpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 20V 8.7A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 4.1A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 48nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1600pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7401PBF
- irf7401pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 20V 8.7A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 4.1A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 48nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1600pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF740
- irf740
- STMicroelectronics, IR
- MOSFET N-CH 400V 10A TO-220 Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Power - Max: 125W · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: TO-220-3 (Straight Leads)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК