Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

Изображения для IRF614PBF

IRF614PBF

  • irf614pbf
  • Vishay/Siliconix
  • MOSFET N-CH 250V 2.7A TO-220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 1.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.2nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 140pF @ 25V · FET Polar

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRF610STRR

IRF610STRR

  • irf610strr
  • Vishay/Siliconix
  • MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.2nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 140pF @ 25V · FET Polarity

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRF610STRL

IRF610STRL

  • irf610strl
  • Vishay/Siliconix
  • MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.2nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 140pF @ 25V · FET Polarity

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRF610SPBF

IRF610SPBF

  • irf610spbf
  • Vishay/Siliconix
  • MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.2nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 140pF @ 25V · FET Polarity

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRF610LPBF

IRF610LPBF

  • irf610lpbf
  • Vishay/Siliconix
  • MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.2nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 140pF @ 25V · FET Polarit

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRF610PBF

IRF610PBF

  • irf610pbf
  • Vishay/Siliconix, IR
  • MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.2nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 140pF @ 25V · FET Polar

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRF610S

IRF610S

  • irf610s
  • Vishay/Siliconix
  • MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.2nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 140pF @ 25V · FET Polarity

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRF610L

IRF610L

  • irf610l
  • Vishay/Siliconix
  • MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.2nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 140pF @ 25V · FET Polarit

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRF6100

IRF6100

  • irf6100
  • International Rectifier
  • MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIP-FET Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 5.1A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1230pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRF6100PBF

IRF6100PBF

  • irf6100pbf
  • International Rectifier
  • MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIPFET Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 5.1A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1230pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRF610

IRF610

  • irf610
  • Vishay/Siliconix
  • MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.2nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 140pF @ 25V · FET Polar

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRF5806

IRF5806

  • irf5806
  • International Rectifier
  • MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86 mOhm @ 4A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.4nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 594pF @ 15V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRF5806TRPBF

IRF5806TRPBF

  • irf5806trpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86 mOhm @ 4A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.4nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 594pF @ 15V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRF5805TRPBF

IRF5805TRPBF

  • irf5805trpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET P-CH 30V 3.8A 6-TSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98 mOhm @ 3.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 511pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRF5805TR

IRF5805TR

  • irf5805tr
  • International Rectifier
  • MOSFET P-CH 30V 3.8A 6-TSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98 mOhm @ 3.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 511pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRF5804TRPBF

IRF5804TRPBF

  • irf5804trpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET P-CH 40V 2.5A 6-TSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198 mOhm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 680pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRF5804TR

IRF5804TR

  • irf5804tr
  • International Rectifier
  • MOSFET P-CH 40V 2.5A 6-TSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198 mOhm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 680pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRF5803TR

IRF5803TR

  • irf5803tr
  • International Rectifier
  • MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112 mOhm @ 3.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 37nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1110pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRF5803D2TRPBF

IRF5803D2TRPBF

  • irf5803d2trpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC Серия: FETKY™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112 mOhm @ 3.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 37nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1110pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRF5803TRPBF

IRF5803TRPBF

  • irf5803trpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112 mOhm @ 3.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 37nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1110pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь