Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

IRF3710ZSTRLPBF

  • irf3710zstrlpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 120nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 59A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2900pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRF3710ZSPBF

  • irf3710zspbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 120nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 59A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2900pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRF3710ZPBF

  • irf3710zpbf
  • International Rectifier, IR
  • MOSFET N-CH 100V 59A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 120nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 59A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2900pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRF3710ZLPBF

  • irf3710zlpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 100V 59A TO-262 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 120nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 59A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2900pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRF3710STRRPBF

  • irf3710strrpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 28A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 57A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3130pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRF3710STRR

  • irf3710strr
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 28A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 57A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3130pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRF3710STRLPBF

  • irf3710strlpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 28A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 57A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3130pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRF3710SPBF

  • irf3710spbf
  • International Rectifier, IR
  • MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 28A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 57A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3130pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRF3710PBF

  • irf3710pbf
  • International Rectifier, IR
  • MOSFET N-CH 100V 57A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 28A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 57A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3130pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRF3710LPBF

  • irf3710lpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 100V 57A TO-262 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 28A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 57A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3130pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRF3710L

  • irf3710l
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 100V 57A TO-262 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 28A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 57A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3130pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRF3709ZSPBF

  • irf3709zspbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 21A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 87A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2130pF @ 15

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRF3709ZSTRL

  • irf3709zstrl
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 21A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 87A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2130pF @ 15

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRF3709ZSTRR

  • irf3709zstrr
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 21A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 87A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2130pF @ 15

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRF3709ZPBF

  • irf3709zpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 30V 87A TO-220AB Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 21A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 87A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2130pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRF3709ZS

  • irf3709zs
  • International Rectifier, IR
  • MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 21A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 87A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2130pF @ 15

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRF3709ZCSTRL

  • irf3709zcstrl
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 21A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 87A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2130pF @ 15

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRF3709ZLPBF

  • irf3709zlpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 30V 87A TO-262 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 21A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 87A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2130pF @ 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRF3709ZCSTRR

  • irf3709zcstrr
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 21A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 87A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2130pF @ 15

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IRF3709ZL

  • irf3709zl
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 30V 87A TO-262 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 21A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 87A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2130pF @ 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь