Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

IPP16CN10L G

  • ipp16cn10l.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 100V 54A TO220-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7 mOhm @ 54A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 44nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 54A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4190pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IPP13N03LB G

  • ipp13n03lb.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 30V 30A TO-220 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1355pF @ 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IPP147N12N3 G

  • ipp147n12n3.g
  • GLENAIR
  • запросить APEC

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IPP14N03LA

  • ipp14n03la
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 25V 30A TO-220AB Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.3nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1043pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IPP147N03L G

  • ipp147n03l.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 30V 20A TO-220-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1000pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IPP139N08N3 G

  • ipp139n08n3.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 80V 45A TO220-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9 mOhm @ 45A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 45A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1730pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IPP12CNE8N G

  • ipp12cne8n.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 85V 67A TO-220 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9 mOhm @ 67A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 85V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 64nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 67A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4340pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IPP120N06S4-H1

  • ipp120n06s4.h1
  • GLENAIR
  • запросить APEC

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IPP12CN10L G

  • ipp12cn10l.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 100V 69A TO220-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 69A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 58nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 69A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5600pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IPP12CN10N G

  • ipp12cn10n.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 100V 67A TO-220 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9 mOhm @ 67A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 65nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 67A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4320pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IPP126N10N3 G

  • ipp126n10n3.g
  • Infineon
  • TO220-3/N-KANAL POWER MOS

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IPP120N06S4-02

  • ipp120n06s4.02
  • GLENAIR
  • запросить APEC

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IPP120N06S4-03

  • ipp120n06s4.03
  • GLENAIR
  • запросить APEC

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IPP120N04S3-02

  • ipp120n04s3.02
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 210nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 14300p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IPP120N06N G

  • ipp120n06n.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 60V 75A TO-220 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 62nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2100pF @ 30

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IPP11N03LA

  • ipp11n03la
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 25V 30A TO-220 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1358pF @ 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IPP114N12N3 G

  • ipp114n12n3.g
  • GLENAIR
  • запросить APEC

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IPP110N20N3 G

  • ipp110n20n3.g
  • GLENAIR
  • запросить APEC

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IPP111N15N3 G

  • ipp111n15n3.g
  • Infineon
  • TO220-3/N-KANAL POWER MOS

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IPP10N03LB G

  • ipp10n03lb.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 30V 50A TO-220 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1639pF @ 15

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь